格力20億入股三安光電，再次加大芯片投入！

格力11月11日晚發(fā)布公告，擬以自有資金20億元認(rèn)購三安光電非公開發(fā)行的股份，三安光電此次非公開發(fā)行A股股票，擬募集資金總額不超過70億元，先導(dǎo)高芯擬認(rèn)購其余50億元，此次募集資金將投入半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目（一期）。

該項目總投資約138億元。此次募投項目主要投向中高端產(chǎn)品，包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、車用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/紅外LED、太陽能電池芯片等。

圖片來源三安光電公告

根據(jù)進度安排，本次募集資金投資項目建設(shè)期為4年，達(dá)產(chǎn)期為7年，預(yù)計達(dá)產(chǎn)年銷售收入82.44億元(不含稅)，達(dá)產(chǎn)年凈利潤19.92億元。

格力在公告中表示，三安光電是LED芯片龍頭，在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域具有先發(fā)優(yōu)勢。此次對三安光電的戰(zhàn)略性股權(quán)投資，有助于公司中央空調(diào)、智能裝備、精密模具、光伏及儲能等板塊打入半導(dǎo)體制造行業(yè)，格力期望和三安光電進行合作研發(fā)，借助后者在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢，提升空調(diào)芯片性能。

為什么入股三安光電？

SiC是由硅和碳組成的化合物半導(dǎo)體材料，在熱、化學(xué)、機械方面都非常穩(wěn)定。SiC從上個世紀(jì)70年代開始研發(fā)，2001年SiCSBD商用，2010年SiCMOSFET商用，SiCIGBT還在研發(fā)當(dāng)中。隨著6英寸SiC單晶襯底和外延晶片的缺陷降低和質(zhì)量提高，使得SiC器件制備能夠在目前現(xiàn)有6英寸Si基功率器件生長線上進行，這將進一步降低SiC材料和器件成本，推進SiC器件和模塊的普及。

相對于Si器件，SiC器件更具優(yōu)勢，體現(xiàn)在三個方面：降低電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗、更容易實現(xiàn)小型化、更耐高溫高壓。

降低能量損耗。SiC材料開關(guān)損耗極低，全SiC功率模塊的開關(guān)損耗大大低于同等IGBT模塊的開關(guān)損耗，而且開關(guān)頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意味著對于IGBT模塊不擅長的高速開關(guān)工作，全SiC功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實現(xiàn)高速開關(guān)。

低阻值使得更易實現(xiàn)小型化。SiC材料具備更低的通態(tài)電阻，阻值相同的情況下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。

更耐高溫。SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度，承受的溫度相對Si更高；SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導(dǎo)率，而硅材料的熱導(dǎo)率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導(dǎo)率可以帶來功率密度的顯著提升，同時散熱系統(tǒng)的設(shè)計更簡單，或者直接采用自然冷卻。

目前，全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢。其中美國全球獨大，全球SiC產(chǎn)量的70%~80%來自美國公司，典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，典型公司是英飛凌、意法半導(dǎo)體等；日本是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的領(lǐng)先者，典型公司是羅姆半導(dǎo)體、三菱電機、富士電機等。

國內(nèi)企業(yè)在SiC方面也多有布局。SiC襯底方面，天科合達(dá)、山東天岳、同光晶體等均能供應(yīng)3英寸~6英寸的單晶襯底。SiC外延片方面，廈門瀚天天成與東莞天域生產(chǎn)3英寸~6英寸SiC外延片。

SiC器件IDM方面，中電科55所是國內(nèi)少數(shù)從4-6寸碳化硅外延生長、芯片設(shè)計與制造、模塊封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)單位，其6英寸碳化硅中試線已投入運行，旗下的控股子公司揚州國揚電子為“寬禁帶電力電子器件國家重點實驗室”的重要實體單位，專業(yè)從事以碳化硅為代表的新型半導(dǎo)體功率模塊的研制和批產(chǎn)，現(xiàn)有一條于2017年投產(chǎn)、產(chǎn)能50萬只/年的模塊工藝線。泰科天潤已經(jīng)量產(chǎn)SiCSBD，產(chǎn)品涵蓋600V/5A～50A、1200V/5A～50A和1700V/10A系列。深圳基本半導(dǎo)體擁有獨創(chuàng)的3DSiC技術(shù)，推出的1200VSiCMOSFET性能達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

SiC器件Fabless方面，上海瞻芯電子于2018年5月成功地在一條成熟量產(chǎn)的6英寸工藝生產(chǎn)線上完成SiCMOSFET的制造流程。

代工方面，三安光電旗下的三安集成于2018年12月公布商業(yè)版本的6英寸碳SiC晶圓制造流程，并將其加入到代工組合當(dāng)中。根據(jù)公司新聞稿，目前三安SiC工藝技術(shù)可以為650V、1200V和更高額定電壓的肖特基勢壘二極管（SBD）提供器件結(jié)構(gòu)，公司預(yù)計在不久后會推出針對900V、1200V和更高額定電壓的SiC MOSFETs產(chǎn)品。

整體而言，SiC產(chǎn)業(yè)鏈全球來看仍處于起步階段，國內(nèi)企業(yè)更是大部分處于早期研發(fā)階段，遠(yuǎn)未成熟。三安光電旗下三安集成業(yè)務(wù)是國內(nèi)稀缺寬禁帶半導(dǎo)體制造企業(yè)，布局基本對標(biāo)Cree，從LED芯片到LED應(yīng)用，從SiC晶圓到GaN代工，三安光電的布局前瞻且具備可行性，有望在寬禁帶領(lǐng)域延續(xù)其在LED產(chǎn)業(yè)的競爭力，這可能也是格力參與投入三安光電項目的原因。

格力還投資了哪些半導(dǎo)體項目？

2018年5月，董明珠高調(diào)宣稱，未來幾年要投重金搞芯片研發(fā)，不能讓別人卡脖子，不能受制于人。格力要長期持續(xù)發(fā)展，必須掌握核心技術(shù)。董明珠所說的核心技術(shù)，就是芯片。

2018年8月，格力投資10億元成立空調(diào)芯片設(shè)計公司。這家公司名為“珠海零邊界集成電路有限公司”，注冊資本為10億元，格力100%控股，法定代表人董明珠。公司的主營業(yè)務(wù)就是芯片設(shè)計，其中以研究高端變頻驅(qū)動芯片和主機芯片為主。

圖片來源天眼查

2018年10月，格力30億元戰(zhàn)略投資聞泰科技收購Nexperia HoldingB.V.（安世集團）項目，投資后格力持有聞泰科技12.33%股份。

圖片來源格力公告

安世集團是一家歐洲芯片企業(yè)，位于荷蘭奈梅亨，為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)器件供應(yīng)商，專注于分立器件、邏輯器件及MOSFET器件的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售。

安世集團脫胎于半導(dǎo)體行業(yè)巨頭恩智浦半導(dǎo)體公司的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品分部。過去，恩智浦旗下共有7個從事標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)的子公司，安世半導(dǎo)體便是恩智浦為置出資產(chǎn)和承接業(yè)務(wù)而新設(shè)的全資子公司，用于管控上述7家子公司。

此后，經(jīng)過一系列并購及資本運作，安世集團成為安世半導(dǎo)體的實際控制主體。據(jù)了解，安世半導(dǎo)體擁有“半導(dǎo)體設(shè)計+晶圓制造+封裝測試+集成電路設(shè)備+銷售部門”的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

西南證券研報顯示，2018年安世半導(dǎo)體全球市占率14%，二極管全球第一，邏輯器件全球第二，汽車MOS管全球第二，小信號MOS管全球第三。2018年全年生產(chǎn)總量超過1000億顆，穩(wěn)居全球第一。

本文綜合自中國基金報、中泰證券、中金公司等