Litho路障威脅到40納米以下的芯片生產(chǎn)

加利福尼亞州圣何塞 - 制造商設(shè)備供應(yīng)商佳能公司的一位官員警告說，下一代平版印刷術(shù)（NGL）面臨著新的障礙，可能會(huì)威脅到IC產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向低于40納米的芯片制造業(yè)。

Current 193在65納米節(jié)點(diǎn)之后，-nm光學(xué)工具可能會(huì)碰壁，這促使人們需要65納米及以上的新解決方案。浸入式光刻技術(shù)仍然是當(dāng)前和“干燥”193納米工具之后最有前途的技術(shù)，但評(píng)委會(huì)仍然不清楚該技術(shù)是否可以處理晶圓 - 大批量生產(chǎn)。

電子投影光刻（EPL）缺乏客戶群，而極紫外（EUV）技術(shù)顯然已經(jīng)遇到了一個(gè)新的，無法預(yù)料的障礙 - 可行的光刻膠。

EUV應(yīng)該在2009年之前投入生產(chǎn)32納米節(jié)點(diǎn)。在EUV進(jìn)入晶圓廠批量生產(chǎn)之前，該行業(yè)必須解決幾個(gè)問題，最明顯的是電源。

在最近的日本EUV活動(dòng)中，平版印刷者發(fā)現(xiàn)了一個(gè)新問題。 EUV“40nm以下的化學(xué)放大抗蝕劑圖像是不可接受的，”光學(xué)設(shè)備供應(yīng)商佳能（東京）的研究員Phil Ware周四（11月18日）在國際Sematech全球經(jīng)濟(jì)研討會(huì)上發(fā)表演講。

過去，EUV支持者聲稱目前的抗蝕劑適合生產(chǎn)。然而，Ware表示EUV將需要“更靈敏的抗蝕劑”，以便EUV工具處理低于40納米的晶圓。 “這是業(yè)界必須克服的問題之一，”韋爾說。

“EUV看起來不確定，”他說。 “所有與EUV相同的問題仍然在列表中，盡管所有的資金都花在了這個(gè)行業(yè)。如果EUV沒有來自32納米節(jié)點(diǎn)，那將是22納米的挑戰(zhàn)?！?/p>

這并不是說其他NGL候選人都是扣籃，包括EPL。 “EPL有一個(gè)不同的問題：沒有客戶，”Ware說。

甚至還有一些關(guān)于沉浸式光刻的問題，這應(yīng)該在2006年和2007年的時(shí)間框架內(nèi)出現(xiàn)。雖然該行業(yè)看好沉浸，但該技術(shù)尚未在生產(chǎn)工廠生產(chǎn)晶圓。 “我們正在等待的是生命的證據(jù)，”他說。

沉浸似乎也有一些理論上的限制。有些人認(rèn)為沉浸可以擴(kuò)展到22納米節(jié)點(diǎn)。 Ware指出，先進(jìn)的193納米浸沒工具加上折射率為1.6的“調(diào)味水”，只能處理低至40納米的晶圓。

“你還需要（解決方案）在30納米，“他說。使用157納米工具進(jìn)行浸入可能超過40納米，但該技術(shù)仍然缺乏合適的157納米鏡頭材料。他說，沒有可行的157納米浸泡液體。