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關(guān)于高功率SMPS拓?fù)涞摹笆走xMOSFET”的性能分析和應(yīng)用

cROa_英飛凌 ? 來源:djl ? 2019-09-24 14:22 ? 次閱讀

CoolMOS CFD7是英飛凌最新的具有集成快速體二極管高壓技術(shù),補(bǔ)全了CoolMOS 7系列。它是高功率SMPS應(yīng)用(如服務(wù)器、電信設(shè)備和EV充電站等)中的諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇。

伴隨5G物聯(lián)網(wǎng)時代的到來,全球市場的智能終端數(shù)量在急劇攀升,而為了確保高帶寬、高質(zhì)量的5G通信傳輸,基站等電信設(shè)備的大規(guī)模鋪設(shè)成為了必要的措施。同時,云端的服務(wù)器需求也在增加,源于云計算、大數(shù)據(jù)、AI等前沿技術(shù)都與通信產(chǎn)業(yè)密不可分。更不用說無人駕駛、新能源興起帶來的EV充電站發(fā)展機(jī)遇。在一名電源工程師的眼中,這些場景都離不開高功率的SMPS應(yīng)用。于是小編忍不住要馬上公開一個秘訣……

究竟是什么秘訣呢?

英飛凌高性能CoolMOS CFD7 系列,在高功率SMPS應(yīng)用的諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計中搶占先機(jī)!

英飛凌最新推出的CoolMOS CFD7系列是CoolMOS CFD2系列的后繼產(chǎn)品。與競爭對手相比,CoolMOS CFD7 降低了門極電荷(Qg),大大改善了關(guān)斷行為,反向恢復(fù)電荷(Qrr)降低了高達(dá)69%,而且反向恢復(fù)時間(trr)在業(yè)內(nèi)上是最短的。由于這些特性,CoolMOS CFD7 在諸如LLC和ZVS相移全橋之類的軟開關(guān)拓?fù)渲刑峁┝俗罡叩男屎鸵涣鞯目煽啃?。此外,由于?yōu)化了的RDS(on),CoolMOS CFD7可實現(xiàn)更高的功率密度。

這些最新的快速體二極管系列通過將快速開關(guān)技術(shù)的優(yōu)點與卓越的換向穩(wěn)健性結(jié)合在一起,并保持在設(shè)計過程中的易實現(xiàn)性,因此與競爭對手產(chǎn)品相比,具有明顯的優(yōu)勢。

600V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET——英飛凌給諧振拓?fù)涞慕鉀Q方案

1主要特性

超快速體二極管

一流的反向恢復(fù)電荷 (Qrr)

改進(jìn)的反向二極管dv/dt和dif/dt耐久性

極低的FOM RDS(on)x Qg和Eoss

一流的RDS(on)/封裝結(jié)合

2主要優(yōu)勢

流的硬換向穩(wěn)健性

在于諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中具有最高可靠性

高效率與杰出的易用性/性能的平衡

提升的功率密度解決方案

都說英飛凌技術(shù)水平節(jié)節(jié)高,除了上邊提及的主要特性與優(yōu)勢外,600VCoolMOS CFD7 SJ MOSFET將之前CoolMOS CFD2系列世界領(lǐng)先的反向恢復(fù)電荷(Qrr)水平再降低32%,實現(xiàn)了裸開關(guān)拓?fù)漕I(lǐng)域的最高可靠性,避免了特定情況下可能發(fā)生的整流問題,能夠面向目標(biāo)市場提供最優(yōu)匹配效率。

關(guān)于高功率SMPS拓?fù)涞摹笆走xMOSFET”的性能分析和應(yīng)用

170 mΩ CFD與190 mΩ范圍內(nèi)的競爭對手產(chǎn)品的Qrr比較

以600V的IPW60R070CFD7為例,我們從下圖顯示的應(yīng)用測量結(jié)果也可以看出,最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上的主要競爭對手相比,能效可增加高達(dá)1.45%,而且超出目標(biāo)應(yīng)用的要求,這就是英飛凌業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)的BIGGER所在。

關(guān)于高功率SMPS拓?fù)涞摹笆走xMOSFET”的性能分析和應(yīng)用

CoolMOS CFD7系列與競爭對手產(chǎn)品的能效比較

關(guān)于高功率SMPS拓?fù)涞摹笆走xMOSFET”的性能分析和應(yīng)用

600V CoolMOS CFD7產(chǎn)品系列全家福

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