回顧關(guān)于MOS-AK hangzhou 器件模型的介紹和分析

2017年的MOS-AK 器件模型國際會(huì)議于6月29-30日在美麗的杭州舉辦，會(huì)議得到了當(dāng)?shù)亟M織方杭州電子科大的積極支持和配合，籌備工作非常順利，MOS-AK組委會(huì)也非常期待半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的朋友來參加這個(gè)會(huì)議，因?yàn)槠骷Ｐ褪侵袊雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)薄弱環(huán)節(jié)，需要大家一起來扶持和幫助。通過一段時(shí)間的積累，相信大家能看到通過模型產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自身會(huì)擁有更多核心價(jià)值。

這次會(huì)議有幾個(gè)邀請報(bào)告，在這里，我們先向大家介紹一下這些報(bào)告的主要亮點(diǎn)，喜歡的朋友不要錯(cuò)過。

1. Beyond 100GHz: Device characterization for THz applications(IMS-Lab)

報(bào)告的內(nèi)容基于歐盟項(xiàng)目的結(jié)果，主要介紹在100GHz 以上的 on-wafer 校準(zhǔn)，去嵌，測試結(jié)構(gòu)方面必須注意的事項(xiàng)：比如探針接觸，探針位置，機(jī)械性探針變形和探針之間的耦合對測量的影響等。這個(gè)對高頻電路設(shè)計(jì)公司非常有意義，因?yàn)樵O(shè)計(jì)仿真結(jié)果和流片的不匹配是經(jīng)常發(fā)生的事情，需要在測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，測量知識(shí)方面就打好基礎(chǔ)。

2. Latest improvments in modeling for GaN and GaAs foundry processes with the support of ADS capabilities (UMS-GaAs)

此篇報(bào)告主要介紹UMS在運(yùn)用Dr. C.Chang 創(chuàng)新的III-V 器件模型方程的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了對GaN和GaAsNon-Linear 特性的描述，同時(shí)也包括了頻率離散現(xiàn)象，比如自熱和電荷陷阱現(xiàn)象。新的擴(kuò)展方程保證了對于不同尺寸的器件能夠有比較準(zhǔn)確可靠的模擬結(jié)果，也在PA， LNA等的設(shè)計(jì)中得到驗(yàn)證。 除了非線性模型，ADS PDK 也包含了DRC，3D 演示（for momentum simulation)，更多的PDK 方面的改善也會(huì)在報(bào)告中提到。這個(gè)報(bào)告內(nèi)容對III-V設(shè)計(jì)公司和科研院所是非常有意義的。

3.Surface Potential Based Compact Model for Thin Film Transistor (IME Chinese academy)

此篇報(bào)告運(yùn)用了基于物理基礎(chǔ)的surface potential model對TFT器件進(jìn)行了研究。 對TFT器件的模型描述在模型界一直是難點(diǎn)，主要原因是TRAP的影響對器件性能變化非常大。本篇報(bào)告通過新模型的開發(fā)和應(yīng)用，真正的實(shí)現(xiàn)了在RFID應(yīng)用方面的驗(yàn)證，使設(shè)計(jì)人員能夠比較準(zhǔn)確預(yù)判電路的特性和結(jié)果。這個(gè)報(bào)告也充分顯示了模型對于電路設(shè)計(jì)的核心價(jià)值。

4. A New Compact Model for FinFETs Accommodating Inner Thermal Effect (Hangzhou dianzi University)

隨著工藝節(jié)點(diǎn)的減小，F(xiàn)inFET的新結(jié)構(gòu)也越來越受人關(guān)注，不僅在數(shù)字應(yīng)用方面，RF也有應(yīng)用。 由于器件非常小，自熱效應(yīng)明顯，為了描述此現(xiàn)象，一個(gè)新型的小信號(hào)bulk FinFET模型 應(yīng)運(yùn)而生。 這個(gè)模型在SMIC 14nm bulk FinFET 上得到了驗(yàn)證，仿真和硅片數(shù)據(jù)在100Khz-50.2GHz 之間取得了很好的一致。這為后續(xù)設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)新型電路打好了扎實(shí)的基礎(chǔ)。沒有好的器件模型，設(shè)計(jì)人員的效率會(huì)變的低下和無效。

5. Radiation Hardening of Memory Products （Cypress semiconductor)

防輻射對于某些產(chǎn)品來說一直是頭疼的問題。在這篇報(bào)告中，作者對輻射環(huán)境和安全操作的內(nèi)存產(chǎn)品在衛(wèi)星應(yīng)用中的挑戰(zhàn)做了概述。討論了基本輻射對單個(gè)晶體管水平的影響以及空間輻射效應(yīng)對產(chǎn)品級(jí)的影響，也討論易失性和非易失性內(nèi)存技術(shù)。 特別是電離總劑量（TID）對在65nm CMOS基于SONOS NOR閃存的非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保留行為的影響?；谟^測到的輻射效應(yīng)，報(bào)告最后提出了如何使器件仿真通向電路級(jí)輻射效應(yīng)仿真的方法和建議。

除了上述邀請報(bào)告，我們也有來自很多來自工業(yè)界，學(xué)術(shù)界一年來在模型方面的研究和進(jìn)展報(bào)告，他們是Keysight, NXP，Synopsys，HHGRACE ，Qinhuang University, HIWAFER，THz R&D institute, SIMIT, Silicon Radar, Cogenda等，特別是Silicon Radar 會(huì)給大家?guī)磲槍τ谀壳盁衢T的77GHz, 122GHz雷達(dá)芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面的系統(tǒng)模型經(jīng)驗(yàn)。 感興趣的朋友，如果想報(bào)名或者了解會(huì)議報(bào)告內(nèi)容可以參考微信左下角的閱讀原文或者到http://www.xmodtech.cn/Agenda 。

最后歡迎大家積極參加國內(nèi)舉辦的MOS-AK器件模型國際會(huì)議，一起為這個(gè)有意義的活動(dòng)加油鼓勁，讓模型這個(gè)被很多人忽視的產(chǎn)業(yè)重新獲得重視，讓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得更多和國外半導(dǎo)體競爭的核心價(jià)值。