據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4052 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 面對(duì)儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）供貨緊縮，以及二維（2D）NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝（Toshiba）已于近期宣布將于2013年8月底展開五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠（Fab
2013-07-08 09:46:13814 SK海力士火災(zāi)移轉(zhuǎn)產(chǎn)能效應(yīng)失靈，NAND Flash本季仍供過于求、價(jià)格也將恢復(fù)走跌情勢(shì)！受到大陸十一長(zhǎng)假銷售情況疲軟，研究機(jī)構(gòu)TrendForce（集邦）公布最新10月上旬NAND Flash合約價(jià)以持平開出，并預(yù)期NAND Flash合約價(jià)將開始轉(zhuǎn)為下跌。
2013-10-19 11:40:00786 被東芝（Toshiba）視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來，并考慮讓其上市、籌措研發(fā)所需的巨額資金
2015-12-19 19:26:40460 被東芝（Toshiba）視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來。
2015-12-22 08:17:04669 中國(guó)大陸廠商在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯（原同方國(guó)芯）投資
2016-04-26 09:32:001358 全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）將在 2017 年度采用被稱為“納米壓印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技術(shù)
2016-06-04 09:39:01687 7月15 日東芝偕同美國(guó)硬盤大廠西數(shù)（Western Digital）為日本三重縣四日市新設(shè)的半導(dǎo)體二廠舉行開幕儀式，兩者宣布至 2018 年前將投入超過 8,600 億日元（約 544億元人民幣）在 Nand Flash 的投資與產(chǎn)能布建。小米董事長(zhǎng)雷軍也現(xiàn)身 15 日東芝新廠開幕典禮會(huì)場(chǎng)。
2016-07-18 09:26:271305 更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力，長(zhǎng)期而言對(duì)東芝/威騰（WD）電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。
2017-02-07 10:39:38564 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121258 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
5G相關(guān)應(yīng)用等的大舉發(fā)力，5G基站中NOR FLASH占盡優(yōu)勢(shì)，而相關(guān)配套產(chǎn)品和生態(tài)產(chǎn)品中，NAND FLASH又頻繁亮相。二者之間雖然在部分領(lǐng)域此消彼長(zhǎng)，但是，在譬如電視機(jī)機(jī)頂盒領(lǐng)域，仍然是親密無間
2020-11-19 09:09:58
Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快
2022-01-26 07:56:35
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來的首次，受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。 雖然全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)總體上來看十分嚴(yán)峻，但受平板電腦和固態(tài)硬盤廠商對(duì)NAND閃存需求的刺激，第二季度美國(guó)內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43
Nand Flash操作原理/* *硬件平臺(tái)：韋東山嵌入式Linxu開發(fā)板（S3C2440.v3） *軟件平臺(tái)：運(yùn)行于VMware Workstation 12 Player下
2022-02-15 06:17:18
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
看到很多STM32開發(fā)板，無論是野火還是原子，或者其他的板子，都會(huì)在開發(fā)板上加各種存儲(chǔ)，SDRAM，NAND FLASH，SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲(chǔ)的使用；但是實(shí)際工作
2023-10-26 07:06:28
換了新的主控，也需要重新寫NAND Flash驅(qū)動(dòng)?！ 〕松厦嫣岬降膯栴}，現(xiàn)在的市場(chǎng)需求變化很快，為了實(shí)現(xiàn)新的賣點(diǎn)和功能，產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間都很緊張。開發(fā)應(yīng)用層軟件，已經(jīng)消耗了工程師的大量時(shí)間，但
2019-09-29 16:45:07
leds（運(yùn)行地址加載地址都是0）到NAND FLASH的0地址，開發(fā)板復(fù)位后，如果開機(jī)啟動(dòng)運(yùn)行l(wèi)eds，說明寫成功，否則寫失敗。使用串口loadb命令將編譯好的leds.bin下載到內(nèi)存
2019-07-03 05:45:43
FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash
2018-08-09 10:37:07
我們知道，S5pv210的啟動(dòng)代碼是從Nand flash中開始執(zhí)行的，將Nand flash中的代碼拷貝到DDR中，再開始執(zhí)行C語(yǔ)言。Nand flash的重要性可想而知。Nand-flash內(nèi)存
2015-09-14 21:19:54
描述:本人理解bootloader的功能，但是不太理解當(dāng)從nand flash中把內(nèi)核讀寫到內(nèi)存時(shí)，內(nèi)核為什么已經(jīng)存在nand flash中，是因?yàn)楫?dāng)時(shí)體驗(yàn)開發(fā)板時(shí)，或者開發(fā)板拿到手后，內(nèi)核已經(jīng)存在
2019-09-25 05:45:26
Cystron technology limited 主要做內(nèi)存存儲(chǔ)，只做原裝原包。主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品如下：1. 內(nèi)存IC: SDRAM,DDR,DDR2,DDR3,DDR4,Mobile DDR
2019-09-27 17:34:40
，按頁(yè)來讀，norflash沒有頁(yè)），NAND FLASH的主要供應(yīng)商是SAMSUNG和東芝。
由于nandflash引腳上復(fù)用，因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn)，但是擦除和寫入速度比nor
2023-05-19 15:59:37
TF卡、貼片式SD卡、貼片式內(nèi)存卡、貼片式閃存卡、貼片式卡、貼片式U盤、貼片式UDP等等?！ 〈蠹叶荚谙耄欠裼幸环N可焊接的SD卡產(chǎn)品。是否有一種品質(zhì)穩(wěn)定可靠，尺寸又小，簡(jiǎn)單易用，還不用寫驅(qū)動(dòng)的NAND
2019-10-15 17:01:27
，優(yōu)化了控制器，這些
產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度
提高約8%，而寫入速度
提高將近20%。 市場(chǎng)對(duì)于能夠支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的
NAND閃存的需求繼續(xù)增長(zhǎng)。帶控制器的嵌入式
內(nèi)存尤其供不應(yīng)求，因?yàn)?/div>
2018-09-13 14:36:33
市場(chǎng)2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國(guó)已成為全球主要的市場(chǎng)，為了擺脫長(zhǎng)期對(duì)外采購(gòu)的依賴，國(guó)內(nèi)存
2021-07-13 06:38:27
增加。怎么才能提高分析效率？BI數(shù)據(jù)可視化軟件的零編程構(gòu)建分析模型，讓業(yè)務(wù)獨(dú)立自助分析的做法也就應(yīng)運(yùn)而生了。零編程構(gòu)建分析模型這種做法有兩個(gè)明顯的好處，一個(gè)是提高了數(shù)據(jù)分析的效率，另一個(gè)則是提高了數(shù)據(jù)
2023-04-11 10:29:43
Flash連接到MCU的嵌入式系統(tǒng)，其約束是完全不同的。了解這些差異將幫助開發(fā)人員避免代價(jià)高昂且耗時(shí)的錯(cuò)誤。明確需求為了在面對(duì)NAND Flash的細(xì)微差別時(shí)，做出良好的設(shè)計(jì)決策，開發(fā)人員必須仔細(xì)確定系統(tǒng)
2020-09-04 13:51:34
和Nor Flash的區(qū)別（1）啟動(dòng)方式不同 開發(fā)板上電啟動(dòng)時(shí)，Nand Flash會(huì)先把Nand Flash中前4K內(nèi)容自動(dòng)拷貝到片內(nèi)內(nèi)存（SRAM）中去，然后CPU從SRAM的0地址開始執(zhí)行程序。用戶
2023-02-17 14:06:29
模切機(jī)對(duì)生產(chǎn)速度和精度要求很高，本文主要介紹英威騰DA100高精度交流伺服在數(shù)控多功能單座模切機(jī)上的應(yīng)用。
2020-05-08 07:53:38
本帖最后由 kingry 于 2012-10-21 20:11 編輯
在英威騰INVT-P9/1.5KW變頻器的主電路圖中有看到380V整流后，用電容進(jìn)行了分壓：開關(guān)電源的輸入電源不是直接
2012-10-21 13:01:22
本帖最后由 kingry 于 2012-10-23 00:45 編輯
英威騰INVT-P9/1.5KW變頻器的主電路圖中有看到380V整流后，用電容進(jìn)行了分壓：開關(guān)電源的輸入電源不是直接
2012-10-21 12:56:07
重慶回收東芝flash高價(jià)收購(gòu)東芝flash，專業(yè)回收東芝flash。長(zhǎng)期回收flash。價(jià)格高，歡迎有貨聯(lián)系我們。深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252
2020-11-05 17:41:02
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2021-06-16 19:17:37
由于Nand Flash 寫之前需要擦除且使用壽命有限，為了提高Nand Flash 的使用壽命，需要對(duì)Nand Flash 存儲(chǔ)塊進(jìn)行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS，針對(duì)其不足，并根據(jù)ZLG/FFS設(shè)計(jì)了一個(gè)新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC？
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:271430 DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士
2010-01-20 09:25:34685 傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片
2010-02-11 09:06:321434 根據(jù)調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市
2011-09-07 09:20:48748 
今天內(nèi)存行業(yè)的橫向整合正在展開，內(nèi)存芯片制造商爾必達(dá)(Elpida)和東芝正在洽談內(nèi)存業(yè)務(wù)合并事宜。
2012-01-06 09:50:37528 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計(jì)。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案
2016-03-14 16:01:232 NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析
2016-03-17 14:14:0137 017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 09:38:18653 需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限，供需失衡下，DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢(shì)翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下，同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估
2016-12-23 16:22:381010 
最后階段。但由于出售的股份少于20%，擬參與投標(biāo)陣營(yíng)的部分企業(yè)出現(xiàn)觀望情緒，東芝能否如期拆分半導(dǎo)體業(yè)務(wù)可能會(huì)出現(xiàn)變數(shù)。 此次招標(biāo)，除了在內(nèi)存事業(yè)上和東芝合作的美國(guó)西數(shù)、美國(guó)貝恩資本等投資基金，成功收購(gòu)夏普后的鴻海據(jù)傳也加
2017-02-07 14:02:11131 東芝半導(dǎo)體擬釋出存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)股份，吸引各界覬覦。先前傳鴻海已經(jīng)投標(biāo)，最新消息指出全球第二大存儲(chǔ)器廠SK海力士也想搶下這塊肥肉，提升NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，SK
2017-02-08 02:01:10128 足夠資金，彌補(bǔ)美國(guó)核能事業(yè)的資產(chǎn)虧損。近來也傳出西部數(shù)據(jù)(WD)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、富士康(Foxconn)及Bain Capital有意競(jìng)購(gòu)，對(duì)此外界分析認(rèn)為，西部數(shù)據(jù)或可借由收購(gòu)東芝半導(dǎo)體事業(yè)部分股權(quán)，擴(kuò)大在全球NAND Flash市場(chǎng)的影響力與競(jìng)爭(zhēng)力，并
2017-02-15 01:06:41114 Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等。
2017-10-10 10:54:1124236 
Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667 flash不一樣，Nor flash帶有RAM接口，有足夠的地址線進(jìn)行尋址，所以CPU可以訪問Nor flash內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)，程序可以在nor flash中運(yùn)行，而Nand flash不行，所以Nand flash中的程序想要運(yùn)行必須拷貝到內(nèi)存（一般是SDRAM）當(dāng)中來。
2017-12-21 18:14:247371 據(jù)報(bào)道，東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)出售計(jì)劃總是難以完成，近日東芝表示如果在三月底還沒有獲得反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)，那么將啟動(dòng)內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)IPO計(jì)劃。
2018-01-23 11:54:19831 據(jù)《金融時(shí)報(bào)》北京時(shí)間1月22日?qǐng)?bào)道，知情人士透露，如果180億美元向貝恩資本(以下簡(jiǎn)稱“貝恩”)出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的交易在3月底前沒有獲得反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)，東芝將考慮讓內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)IPO(首次公開
2018-01-23 16:06:27565 
，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng)，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過，在內(nèi)存天下三分的大背景下，新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D
2018-09-29 16:05:515499 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 關(guān)鍵詞：東芝 來源：新浪科技 據(jù)日本共同社(Kyodo News)24日?qǐng)?bào)道稱，全球第二大NAND閃存制造商東芝內(nèi)存公司(Toshiba Memory)最快將于2019年秋季IPO(首次公開招股
2018-10-27 17:09:01114 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出，在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下，預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591150 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47991 6月15日，東芝存儲(chǔ)器公司NAND Flash工廠于當(dāng)?shù)貢r(shí)間下午6點(diǎn)25分發(fā)生斷電事故，大概花了13分鐘之后就恢復(fù)供電了，然而工廠在恢復(fù)供電后一直處于停產(chǎn)狀態(tài)。
2019-07-01 11:08:553257 NAND Flash受到東芝存儲(chǔ)器工廠停電事件，將帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌走揚(yáng)，威剛科技初估，NAND Flash價(jià)格將調(diào)漲10%至15%；另一存儲(chǔ)器模組廠十銓科技也認(rèn)為不論DRAM或NAND Flash，下半年都將有很大的成長(zhǎng)空間。
2019-07-09 16:02:202513 東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長(zhǎng)約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估，此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力，第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲，3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855 ，既能持久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，又具備極高的速度，因而也被成為Persistent Memory持久內(nèi)存，它是近年來半導(dǎo)體存儲(chǔ)的發(fā)展新方向。東芝宣布了XL-Flash，它就屬于持久內(nèi)存類型。 為了讓NAND閃存的速度能夠達(dá)到內(nèi)存級(jí)的水平，東芝在BiCS 3D閃存結(jié)構(gòu)之上進(jìn)
2020-09-16 14:37:473196 海力士則是宣布成功開發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。不過，雖然兩家廠商競(jìng)相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:122382 超低延時(shí)閃存是當(dāng)前非常熱門的技術(shù)趨勢(shì)，東芝推出的XL-FLASH是超低延時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)的代表，讀延時(shí)可以達(dá)到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對(duì)XL-FLASH的低延時(shí)潛力
2019-08-18 09:03:00776 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 新年伊始，讓PC用戶們心情復(fù)雜的消息傳來，存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價(jià)格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:30:182865 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁(yè)構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁(yè)
2020-07-22 11:56:265264 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)： 對(duì)目前市場(chǎng)主要的Nand Flash廠商及其產(chǎn)品進(jìn)行梳理，以下是具體內(nèi)容： 三星 1、三星SSD 980 PRO 三星電子推出首款消費(fèi)類PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980
2020-11-04 14:17:5915347 移動(dòng)電話的功能日益豐富，其對(duì)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的需求正在快速增長(zhǎng)。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特點(diǎn)，在各種數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛 應(yīng)用，在各種片上系統(tǒng)芯片中（SOC）集成NAND
2021-03-29 10:07:0819 Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL（NAND Flash Translation Layer）和FAT類文件系統(tǒng)來解決NAND Flash存儲(chǔ)的問題。
2021-07-30 10:41:299 Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快
2021-12-02 09:06:0812 1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 從SD卡、手機(jī)、平板等消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心企業(yè)級(jí)場(chǎng)景，NAND Flash憑借其高性能、大容量、低功耗以及低成本等特性大受歡迎，是目前應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體非易失存儲(chǔ)介質(zhì)。為了滿足業(yè)務(wù)場(chǎng)景越來越嚴(yán)苛的性能要求，人們想了許多方法來提升基于NAND Flash的系統(tǒng)性能，具體可分為以下幾類。
2023-01-14 11:22:202543 Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
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