根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 08:14:09
3440 自 2016 年開始醞釀的一波存儲(chǔ)漲價(jià)潮，在標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存（DRAM） 、儲(chǔ)存型快閃內(nèi)存 （NAND Flash） 已經(jīng)拉出一波漲價(jià)之后，編碼型快閃內(nèi)存 （NOR Flash） 也跟隨著漲價(jià)。
2017-01-24 10:39:441203 全球存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進(jìn)行，美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù)，計(jì)劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù)，正尋求相關(guān)買家，全力沖刺DRAM及3D NAND Flash，傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。
2017-02-13 09:12:001222 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問性能。
2024-02-19 11:45:24643 
。盡管本文絕不是對所有內(nèi)存技術(shù)的全面討論，但在討論所提出的內(nèi)存技術(shù)時(shí)，DRAM，SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點(diǎn)。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類型（具有不同的速度），但它們幾乎總是
2020-09-25 08:01:20
[ZZ]EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
5G相關(guān)應(yīng)用等的大舉發(fā)力，5G基站中NOR FLASH占盡優(yōu)勢，而相關(guān)配套產(chǎn)品和生態(tài)產(chǎn)品中，NAND FLASH又頻繁亮相。二者之間雖然在部分領(lǐng)域此消彼長，但是，在譬如電視機(jī)機(jī)頂盒領(lǐng)域，仍然是親密無間
2020-11-19 09:09:58
1、NAND Flash 和 NOR Flash區(qū)別2、串行通信的優(yōu)點(diǎn)3、三、五級流水線4、LDMIA R0! , {R1-R4}的尋址方式5、大小端存儲(chǔ)6、合法立即數(shù)7、STMDB R10
2021-07-16 07:23:16
NAND和NOR flash的區(qū)別
2012-08-09 14:17:12
Flash的原理是什么？Flash主要有哪幾種？NOR Flash與NAND Flash有何不同？
2021-10-22 08:47:25
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
。基本都是用的NOR flash或者 NAND flash。這個(gè)東西是怎么能夠把程序存下來的呢？引起了我們的思考。這種電子產(chǎn)品，一般通過電子的流動(dòng)來工作，但是當(dāng)電沒有了，機(jī)器也就無法保持原來的狀態(tài)，數(shù)據(jù)也就
2018-07-17 15:02:30
由于項(xiàng)目需要大量的圖片字庫還有音頻文件，所以外掛了NOR flash和NAND flash，需要用到燒寫算法STLDR（就是包含幾段在SRAM里面運(yùn)行的代碼），調(diào)試的時(shí)候遇到了幾個(gè)問題，都是大意造成
2022-01-26 07:17:14
本帖最后由 Mr_RMS 于 2018-3-12 10:34 編輯
nor flash啟動(dòng)與nand flash啟動(dòng)的區(qū)別1)接口區(qū)別：NOR FLASH地址線和數(shù)據(jù)線分開，來了地址和控制信號
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
。由于NOR的這個(gè)特點(diǎn)，嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常將NOR芯片做啟動(dòng)芯片使用。而NAND共用地址和數(shù)據(jù)總線，需要額外聯(lián)結(jié)一些控制的輸入輸出，所以直接將NAND芯片做啟動(dòng)芯片比較難。 4) N AN D閃存芯片
2013-04-02 23:02:03
數(shù)據(jù)線上。NOR芯片的使用也類似于通常的內(nèi)存芯片，它的傳輸效率很高，可執(zhí)行程序可以在芯片內(nèi)執(zhí)行( XI P, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼 讀到系統(tǒng)
2014-04-23 18:24:52
Flash和NOR Flash的比較NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面
2018-08-09 10:37:07
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了
2015-11-04 10:09:56
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，做為存儲(chǔ)設(shè)備的NOR flash和NAND flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置與IC的管腳中。但是由于不同容量
2018-08-07 17:01:06
Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同，可以分為哪幾種？Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別？SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里？
2021-06-18 08:46:32
WL＝ 4 Pages目前 SPI NAND flash的使用在網(wǎng)通類，消費(fèi)類的市場多了；因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">nor flash 可以被SPI NAND flash替代，讀取速度都是差不多，運(yùn)行容量可以直接用SPI NAND flash的容量，多出的容量也可以存儲(chǔ)其它文件，便于一些需要存儲(chǔ)需求的項(xiàng)目。
2022-07-01 10:28:37
如題，本人想玩下STM32對NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問，來熟悉這些器件的應(yīng)用，不知這里有哪位大俠用STM32玩過這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取
2013-01-04 00:20:57
我用OFLASH可以燒nand flash ，但是不能燒nor flash 內(nèi)存，是不是NOR FLASH壞了
2019-09-25 05:45:09
為啥使用nor flash 中UBOOT下載代碼到nand flash中，nor flash中的uboot 也被清除了??？
2019-03-21 07:45:08
，降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash：
nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦
2023-05-19 15:59:37
，否則速率很慢；燒寫Nand Flash只是從理論上能夠達(dá)到，但是還沒有人直接實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)。本文使用一個(gè)間接的方法來實(shí)現(xiàn)對S3C2410、S3C2440開發(fā)板的Nor、Nand Flash的燒寫。原理為
2009-03-27 09:51:32
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
和Nor Flash的區(qū)別（1）啟動(dòng)方式不同 開發(fā)板上電啟動(dòng)時(shí)，Nand Flash會(huì)先把Nand Flash中前4K內(nèi)容自動(dòng)拷貝到片內(nèi)內(nèi)存（SRAM）中去，然后CPU從SRAM的0地址開始執(zhí)行程序。用戶
2023-02-17 14:06:29
在LED和按鍵實(shí)驗(yàn)中，燒寫程序一再強(qiáng)調(diào)燒寫到Nand Flash中。我把相應(yīng)的led_key.bin燒寫到Nor Flash中，發(fā)現(xiàn)按鍵按下燈沒有亮。導(dǎo)致這種現(xiàn)象的原因是什么？或者說Nor
2019-04-17 04:30:54
Andy 你好，我想通過EMIF實(shí)現(xiàn)boot , 手冊里兩種選擇，一種是通過NAND flash， 另一種是通過 NOR flash。看論壇里大家都是采用外接NOR flash 實(shí)現(xiàn)的。NOR
2018-12-24 14:28:33
請問nand flash和nor flash有什么不同？
2020-11-05 08:03:50
請問F2812內(nèi)部的flash是nor flash還是NAND flash？NOR Flash的數(shù)據(jù)寫入的速度是多少，寫1M數(shù)據(jù)要多少時(shí)間？再就是如果外擴(kuò)flash的話，選擇nor flash 還是nand flash好一些呢?
2018-11-14 10:55:47
請問 1、用哪種FLASH好；2、如果NOR FLASH啟動(dòng)，PIN.T28 GPMC_CS0接NOR FLASH, 那么 NAND FLASH 用PIN.P25 GPMC_CS4可以嗎？3、如果
2018-08-13 06:57:03
請問一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實(shí)就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
s3c2440沒有nor flash的控制器，請問是怎么控制nor flash的
2019-07-29 02:00:44
簡要比較NOR 和NAND 兩種Flash 技術(shù)，分析嵌入式Linux 系統(tǒng)MTD 子系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)；詳細(xì)介紹在編譯Linux 內(nèi)核時(shí)， 如何在MTD 子系統(tǒng)內(nèi)對使用的NOR Flash 芯片進(jìn)行配置和定制。
2009-04-15 11:05:04
30 并行NOR Flash每次傳輸多個(gè)bit位的數(shù)據(jù)，而串行NOR Flash每次傳輸一個(gè)bit位的數(shù)據(jù)。并行NOR Flash比串行NOR Flash具有更快的傳輸速度。
2010-03-09 16:06:5049 串行NOR Flash介紹，串行NOR Flash分類、串行NOR Flash選型以及串行NOR Flash命名規(guī)則
2010-03-10 14:52:1830 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，
2010-07-15 11:38:4179 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用1 NAND FlaSh和NOR Flash
閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、
2009-10-17 10:15:591259 
和 WINCE 系統(tǒng)下 NAND Flash 驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 并且詳細(xì)描述了 如何調(diào)整處理器存儲(chǔ)控制器的寄存器來控制 NAND Flash 的讀寫時(shí)序 以達(dá)到對其讀寫速度進(jìn)行優(yōu)化的目的。
2016-03-14 16:01:232 存儲(chǔ)缺貨效應(yīng)持續(xù)擴(kuò)大，繼DRAM、儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)（NAND Flash）在淡季飆出歷年最大漲幅后，編碼型快閃存儲(chǔ)（NOR Flash）也在睽違四年多來首次漲價(jià)，首季調(diào)漲5~7%不等，下季漲幅更大，估計(jì)逾10%。
2017-01-23 09:13:031669 多用于微控制器啟動(dòng)配置外部存儲(chǔ)器件，即代碼存儲(chǔ)介質(zhì)，而NAND Flash則使用復(fù)雜的I/O口來串行存取數(shù)據(jù)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有極高的單元密度，數(shù)據(jù)寫入速度更快，多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面。因此NOR
2017-02-08 03:18:12942 
主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel
2017-10-11 14:39:468295 的設(shè)計(jì)方案。 1引言 NOR FLASH 是很常見的一種存儲(chǔ)芯片，數(shù)據(jù)掉電不會(huì)丟失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片內(nèi)執(zhí)行。這點(diǎn)和NAND FLASH
2017-10-15 12:20:5423 引言 NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（ PDA）、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:527 受NAND Flash的擠壓，NOR Flash的市場占有率非常的低，但后續(xù)缺口卻一直沒有補(bǔ)上，因此NOR Flash供需變得極度的緊張，缺貨狀況恐怕到明年上半年都不會(huì)緩解。中芯長電采購NOR Flash測試設(shè)備，能緩解存儲(chǔ)器缺貨現(xiàn)狀？
2017-12-14 16:34:171238 flash不一樣，Nor flash帶有RAM接口，有足夠的地址線進(jìn)行尋址，所以CPU可以訪問Nor flash內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)，程序可以在nor flash中運(yùn)行，而Nand flash不行，所以Nand flash中的程序想要運(yùn)行必須拷貝到內(nèi)存（一般是SDRAM）當(dāng)中來。
2017-12-21 18:14:247371 隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
2018-09-18 15:10:169544 
Nor Flash的接口和RAM完全相同，可以隨機(jī)訪問任意地址的數(shù)據(jù)，在其上進(jìn)行讀操作的效率非常高，但是擦除和寫操作的效率很低，另外，Nor Flash的容量一般比較小，通常，Nor Flash用于存儲(chǔ)程序。
2018-10-07 15:39:0010675 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
2018-10-07 15:41:0023547 所謂的boot sect，是指的是Nor Flash和Nand Flash不太一樣。Nand Flash從開始到最后，都是由同樣大小的page所組成的。
2018-09-19 10:23:557022 
三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:553185 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢。
2019-07-06 11:38:563485 非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長表示，近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn)，看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場開始擴(kuò)大出貨，19納米
2019-11-12 14:16:061465 兆易創(chuàng)新的NOR Flash和SPI NAND Flash在容量、傳輸速度、可靠性、安全性、低功耗及小型化等方面具備創(chuàng)新性的技術(shù)優(yōu)勢。
2020-03-19 18:02:002712 字節(jié)。 NAND Flash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)﹐只能通過I/O接口發(fā)送命令和地址，對NAND Flash內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問。各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息
2020-11-03 16:17:0529749 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
的逐漸普及，NAND FLASH 市場份額一度擴(kuò)張明顯，而NOR FLASH市場略有收縮。而疫情帶來的影響仍在持續(xù)，平板電腦的銷量仍然呈現(xiàn)持續(xù)增長的態(tài)勢，兩種FLASH都是必不可少的關(guān)鍵配件之一。以及
2020-11-28 11:38:273049 
Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 始調(diào)漲，上半年價(jià)格有望一路走漲；NOR Flash 市場情況相同，同樣已漲價(jià)，明年有望進(jìn)一步調(diào)漲。 IT之家查詢發(fā)現(xiàn)，包括三星、SK 海力士、美光、南亞等各大廠商 DRAM 出貨價(jià)均有不同程度上漲，而閃存 Flash 市場基本無波瀾。 對于漲價(jià)的 問題，晶豪科技稱晶圓代工自 9 月下旬起，產(chǎn)能就處于
2020-12-08 13:43:471630 
1.1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進(jìn)行訪問，可以很容...
2020-12-14 22:48:021624 物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用旺宏之低功耗NOR?FLASH 得益于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、5G、智能手機(jī)及其周邊（如TWS耳機(jī)、可穿戴式設(shè)備）等需求的推動(dòng)，近一兩年，NOR Flash市場得到了飛速增長。詳細(xì)應(yīng)用如下
2021-05-04 10:18:002537 NOR Flash主要用來存儲(chǔ)代碼及少量數(shù)據(jù)，近幾年因5G、IoT、TWS耳機(jī)、AMOLED屏幕、TDDI等市場快速發(fā)展而備受重視。 NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃
2021-03-03 16:17:18703 NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。而NOR Flash“讀寫速度快、可靠性高、使用壽命長”，多用來存儲(chǔ)少量代碼。
2021-03-23 14:54:0513361 Flash控制器正成為一種趨勢。 本文討論了Flash Memory的兩種主流實(shí)現(xiàn)技術(shù)即NAND Flash和NOR Flash 的特點(diǎn)和區(qū)別，分析了市場上存在的NAND Flash的典型規(guī)格及其
2021-03-29 10:07:0819 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229 
Flash在我們生活中無處不在，比如：U盤、固態(tài)硬盤、SD卡、內(nèi)存卡等。 同時(shí)，在單片機(jī)開發(fā)過程中也會(huì)遇到各種各樣的Flash，比如：SPI Flash、Nor Flash、 Nand Falsh
2021-10-09 15:01:554922 ，只跟flash本身功率有關(guān)。如nand、nor flash。nand flash中的存儲(chǔ)顆粒也有技術(shù)差異，如slc、mlc。這些東西是內(nèi)部封裝起來的用于存儲(chǔ)的內(nèi)核，對外編程的接口還需要一個(gè)外部控制器。我們買到的flash芯片，其實(shí)是內(nèi)部的flash存儲(chǔ)顆粒+外部封裝的控制器來構(gòu)成的。即，對外是外部控制器，對內(nèi)是
2021-12-01 19:51:1724 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
1.1接口差別NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進(jìn)行訪問，可以很容...
2022-01-26 17:12:5213 FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，作為存儲(chǔ)設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:174893 Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26470 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲(chǔ)程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03764 
不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長。 據(jù)CFM閃存市場分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。
2023-12-05 13:57:37840 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
%，NOR Flash 市場規(guī)模25億美元，占比為2%， ? 當(dāng)然，我們國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。并且，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的參與感尤其強(qiáng)烈
2022-04-17 15:21:464854
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