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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>3D NAND Flash技術(shù)將進(jìn)一步帶動(dòng)未來(lái)幾季市場(chǎng)對(duì)高容量的需求

3D NAND Flash技術(shù)將進(jìn)一步帶動(dòng)未來(lái)幾季市場(chǎng)對(duì)高容量的需求

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2017,VR技術(shù)重新定義未來(lái)

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2017-03-14 14:48:09

5G頻譜規(guī)劃再進(jìn)一步,工信部將部署兩大初始頻段

,二階段試驗(yàn)完成。二是進(jìn)一步加大技術(shù)研發(fā)、開(kāi)放合作、融合創(chuàng)新的力度,在ITU和3GPP的框架下,積極推動(dòng)形成全球統(tǒng)的5G標(biāo)準(zhǔn),與國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界共同推動(dòng)移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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高容量雙向電池電源系統(tǒng)板設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

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E4406A達(dá)到adc對(duì)齊時(shí)不會(huì)更進(jìn)一步

你好E4406A有問(wèn)題----當(dāng)我啟動(dòng)時(shí) - 設(shè)備按我的意愿啟動(dòng)自動(dòng)對(duì)齊,但是當(dāng)它達(dá)到adc對(duì)齊時(shí)它不會(huì)更進(jìn)一步。根本沒(méi)有消息??梢杂胊bort終止它,并且分析儀似乎正常工作---- ??我可以用
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2023-04-14 09:25:14

全新適配鴻蒙生態(tài),Cocos引擎助力3D應(yīng)用開(kāi)發(fā)

鴻蒙生態(tài)全場(chǎng)景內(nèi)容生產(chǎn),成為鴻蒙生態(tài)堅(jiān)定的共建者。Cocos 將以工具的視角,不斷完善開(kāi)發(fā)工具鏈,簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)與內(nèi)容上線流程,降低數(shù)字開(kāi)發(fā)門(mén)檻,進(jìn)一步打造高效、便捷的3D內(nèi)容開(kāi)發(fā)平臺(tái),助力夯實(shí)軟硬件體化的技術(shù)底座。
2023-04-14 11:37:18

全球3D芯片及模組引領(lǐng)者,強(qiáng)勢(shì)登陸中國(guó)市場(chǎng)

提供全球領(lǐng)先的底層技術(shù),賦能衣食住行、醫(yī)療、教育、娛樂(lè)等各行業(yè)的無(wú)窮3D視覺(jué)應(yīng)用。此次發(fā)布C158模組不但擁有銀牛NU4000強(qiáng)大的綜合能力,還進(jìn)一步貼合本土化應(yīng)用。為確保及時(shí)響應(yīng)客戶的需求,特意針對(duì)
2021-11-29 11:03:09

初學(xué)linux,安裝了Ubuntu系統(tǒng)界面,請(qǐng)教該如何進(jìn)一步快速學(xué)習(xí)

初學(xué)linux,安裝了Ubuntu系統(tǒng)界面,請(qǐng)教該如何進(jìn)一步快速學(xué)習(xí),大家有什么好的初學(xué)的資料分享下,謝謝啦
2015-08-24 18:39:29

初學(xué)者除了學(xué)好書(shū)本上的基本知識(shí)外,如何能進(jìn)一步學(xué)習(xí)Protel

初學(xué)者除了學(xué)好書(shū)本上的基本知識(shí)外,如何能進(jìn)一步學(xué)習(xí)Protel
2017-03-03 09:19:29

疊層陶瓷電容器進(jìn)一步容量

替代品的需求日益高漲。那么,首先簡(jiǎn)單介紹下疊層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)。如圖所示,涂有粉狀陶瓷材料的片狀電介質(zhì)與電極組成重疊交替的結(jié)構(gòu)。為使大家進(jìn)一步了解結(jié)構(gòu)與靜電電容的關(guān)系,使用以下公式來(lái)說(shuō)明。從公式中可以
2018-12-03 14:35:18

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

的96層3D閃存使用的是新代BiCS4技術(shù),QLC類型的核心容量高達(dá)1.33Tb,比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)水平提升了33%,東芝已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了16核心的單芯片閃存,顆閃存的容量就有2.66TB。 國(guó)內(nèi)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng)
2021-07-13 06:38:27

如何flash擦除命令的進(jìn)一步使用

各路神仙,我想問(wèn)下在寫(xiě)flash擦除命令字 ‘60’之前 。要不要寫(xiě)使能命令“06”
2020-06-15 06:59:52

如何進(jìn)一步減少CC2640R2F待機(jī)功耗?

各位大俠好,最近公司要求CC2640R2模塊的功耗進(jìn)一步縮減,我應(yīng)公司要求做了個(gè)最簡(jiǎn)電路,目前外圍電阻、電位器、LED等繁雜的元件已盡數(shù)砍掉,現(xiàn)在測(cè)量出僅中心的綠板CC2640R2模塊待機(jī)功耗在
2019-10-21 10:02:32

如何進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)RFID的安全隱私保護(hù)?

如何進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)RFID的安全隱私保護(hù)?
2021-05-26 06:09:27

如何進(jìn)一步封裝已有的通訊協(xié)議?

時(shí)間為9:00到11:00),也可以刷卡打開(kāi)閘機(jī)。閘機(jī)配有發(fā)卡器和讀卡器。請(qǐng)問(wèn)附件中的通訊協(xié)議是屬于TCP/IP協(xié)議嗎?如果方便遠(yuǎn)端的計(jì)算機(jī)控制閘機(jī),是不是要進(jìn)一步封裝附件中的通訊協(xié)議呢?例如,建立個(gè)
2017-12-08 00:26:24

如何進(jìn)一步提高1302精度?

GN1302 晶振引腳連接 2 個(gè) 30pf 電容,每天大約慢 4 秒,如何進(jìn)一步提高精度?時(shí)鐘每天慢 4 秒是因?yàn)榫д竦耐獠控?fù)載電容過(guò)大,即 30pf 電容過(guò)大。如果使用的晶振的負(fù)載電容參數(shù)為
2022-12-29 17:36:43

如何分析內(nèi)存使用以便進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)存

、引言內(nèi)存是嵌入式系統(tǒng)中的關(guān)鍵資源,內(nèi)存占用主要是指軟件系統(tǒng)的內(nèi)存使用情況。本篇博客介紹如何分析內(nèi)存使用以便進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)存占用相關(guān)的基礎(chǔ)概念和相關(guān)工具。二、內(nèi)存占用內(nèi)存占用是應(yīng)用程序運(yùn)行時(shí)
2021-12-15 06:05:33

如何讓計(jì)算機(jī)視覺(jué)更進(jìn)一步接近人類視覺(jué)?

如何讓計(jì)算機(jī)視覺(jué)更進(jìn)一步接近人類視覺(jué)?
2021-06-01 06:27:08

希望進(jìn)一步降低功耗與噪聲采用什么片子好?

傳感器為震動(dòng)速度傳感器,待提取信號(hào)頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV,原來(lái)采用AD620放大,現(xiàn)在希望進(jìn)一步降低功耗與噪聲,采用什么片子好?
2018-10-25 09:25:24

怎樣去進(jìn)一步提高NTP的授時(shí)精度呢

網(wǎng)絡(luò)時(shí)間協(xié)議NTP是什么意思?NTP授時(shí)的原理是什么?怎樣去進(jìn)一步提高NTP的授時(shí)精度呢?
2021-11-01 07:12:40

手機(jī)射頻元件如何進(jìn)一步集成?

、電視手機(jī)。這些采用多種RF技 術(shù)的手機(jī)在提供便利的同時(shí)也使得手機(jī)的設(shè)計(jì)變得復(fù)雜,如何進(jìn)一步集成射頻元件也變得至關(guān)重要。
2019-08-27 08:33:19

有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率???

級(jí)放大再加給AD7714時(shí),測(cè)得人分辨率還要低些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號(hào),該信號(hào)相對(duì)來(lái)說(shuō)很穩(wěn)定,而且板上的噪聲也不是太大。請(qǐng)問(wèn)各位大蝦,還有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率???不勝感激!
2023-12-25 06:33:32

比E2PROM和NOR Flash容量大穩(wěn)定性高的SD NAND Flash

MCU如何選擇大容量存儲(chǔ)NAND Flash,SD NAND是不二選擇,簡(jiǎn)直就是"郎才女貌"?! el:*** |QQ 2852826868  深圳市雷龍發(fā)展有限公司是CS品牌國(guó)內(nèi)唯代理商,公司創(chuàng)始人都為技術(shù)出身,專注存儲(chǔ)產(chǎn)品13年。`
2019-10-10 16:55:02

3D視覺(jué)技術(shù)方案

3D視覺(jué)技術(shù)有何作用?常見(jiàn)的3D視覺(jué)方案主要有哪些?
2021-11-09 07:46:56

汽車(chē)車(chē)載3D技術(shù)應(yīng)用蓄勢(shì)待發(fā),助力實(shí)現(xiàn)安全駕駛

,進(jìn)而改進(jìn)和實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者所需求的用戶界面。3D技術(shù)可向用戶呈現(xiàn)更多信息,但對(duì)系統(tǒng)存儲(chǔ)器(DDR)和非易失性存儲(chǔ)器(NOR/NAND閃存)需求產(chǎn)生的影響甚微。未來(lái),如果這樣套監(jiān)視系統(tǒng)能夠普及
2014-08-14 14:00:59

物聯(lián)網(wǎng)、AR、3D打印、機(jī)器人未來(lái)改變我們的生活?

的物體。土豪迪拜使用3D打印技術(shù)打印的整棟建筑“世界首座3D打印商業(yè)辦公樓”、“3D打印未來(lái)博物館”、“智能棕櫚樹(shù)3D打印太陽(yáng)能中心”都是在這個(gè)充滿建筑奇跡的國(guó)家誕生的!想象下,使用這種技術(shù)可以打印
2017-10-19 09:18:04

看NOR 與 NAND的區(qū)別都有哪些?

的MCU也做不到^^    由于SD NAND存儲(chǔ)單元使用的是NAND 架構(gòu),所以NAND 持有的基礎(chǔ)特性也繼承了下來(lái),SD NAND在這個(gè)基礎(chǔ)上進(jìn)一步做了優(yōu)化,使得易用性和應(yīng)用兼容性上大大提升?! ∥覀?/div>
2022-06-16 17:22:00

芯片的3D化歷程

半導(dǎo)體模型并將其投入生產(chǎn)實(shí)踐,尤其是3D器件結(jié)構(gòu),使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年?!?015年曾有報(bào)道稱,F(xiàn)inFET未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm。發(fā)展至今,我們也看到,F(xiàn)inFET技術(shù)仍然還被用于7nm中
2020-03-19 14:04:57

芯片選型小技巧 | Nor FlashNand Flash區(qū)別與共性

上,對(duì)CPU的接口要求低;有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每個(gè)字節(jié)。但不同容量的NorFlash的地址線需求樣,Nor Flash芯片容量升級(jí)不便。 (3Nand Flash和Nor
2023-02-17 14:06:29

裸眼3D顯示應(yīng)用

正如充滿未來(lái)感的好萊塢電影中經(jīng)常出現(xiàn)的那樣,下代投影顯示將會(huì)提供逼真的觀看體驗(yàn)。通過(guò)立體眼鏡與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)內(nèi)容相結(jié)合,3D顯示應(yīng)用成功的實(shí)現(xiàn)了上述的體驗(yàn)場(chǎng)景。遺憾的是,由于使用眼鏡的不便性
2022-11-07 07:32:53

請(qǐng)問(wèn)如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)?

如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)?
2023-10-18 06:53:31

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化   NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季,仍在等待蘋(píng)果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn),2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有
2010-01-27 09:47:59483

卓然為全球2D和3D電視市場(chǎng)進(jìn)一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù)

卓然為全球2D和3D電視市場(chǎng)進(jìn)一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù) 第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質(zhì)量美國(guó)卓然公司(納
2010-11-17 15:04:04607

NAND Flash需求9月有望開(kāi)始回溫

根據(jù)調(diào)查,市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求,9月份可望逐漸開(kāi)始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平,但記憶卡及U盤(pán)(UFD)通路市
2011-09-07 09:20:48748

IMEC開(kāi)發(fā)新型電介質(zhì),推動(dòng)20nm NAND Flash進(jìn)一步微縮

比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)(HfAlO/Al2O3/HfAlO)堆迭,這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中,并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010

3D NAND產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,SSD價(jià)格跌至歷史谷底

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年,主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,使得高容量NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667

存儲(chǔ)容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲(chǔ)存的發(fā)展

性能以外,還需要更高容量的儲(chǔ)存,才足以支持5G、人工智能(AI)、擴(kuò)增實(shí)境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量僅16GB、32GB的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前的移動(dòng)應(yīng)用需求,從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)的進(jìn)展鋪路。
2018-06-07 07:44:00744

群聯(lián)欲大幅征才200名工程師,進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)3D NAND

NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng),但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513

SSD與HDD價(jià)差進(jìn)一步收斂,推動(dòng)SSD取代效益顯現(xiàn)

隨著NAND Flash產(chǎn)能開(kāi)出,市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)松動(dòng),刺激市場(chǎng)搭載SSD的需求大增,業(yè)者認(rèn)為,2018年下半NAND Flash價(jià)格將一路走跌,將促使SSD與HDD價(jià)差進(jìn)一步收斂,目前SSD價(jià)差逐步
2018-06-28 07:18:00597

DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈

隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出,且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線,今年以來(lái)高容量SSD價(jià)格持續(xù)下滑,6月中旬主流的240GB TLC SSD現(xiàn)貨價(jià)已降至40~43美元
2018-06-26 15:39:493933

NAND供大于求 價(jià)格將會(huì)進(jìn)一步下降

據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights 周二(10 日) 最新研報(bào)指出,預(yù)計(jì)全球主要NAND 供應(yīng)商將大幅擴(kuò)大資本支出,來(lái)拉高產(chǎn)能,估計(jì)今年的NAND 記憶體價(jià)格將進(jìn)一步走跌。
2018-07-13 15:04:363502

英特爾與美光64層3D NAND備受關(guān)注,或?qū)⒓せ瓘S爭(zhēng)奪96層3D NAND技術(shù)

,同時(shí)恐激化各家原廠展開(kāi)96層3D NAND技術(shù)競(jìng)爭(zhēng),然而市場(chǎng)更多的是關(guān)心NAND Flash價(jià)格走向?qū)⑷绾巍?/div>
2018-08-22 16:25:462115

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量

Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代,帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí),加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車(chē)追趕國(guó)際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

了——NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分,為了進(jìn)一步高容量、降低成本,NAND的制程工藝也在不斷進(jìn)步,從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND閃存跟處理器不一樣,先進(jìn)工藝雖然
2018-10-08 15:52:39395

美光科技宣布QLC NAND技術(shù)提升市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措

美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州博伊西,2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼:MU)今天宣布旗下 QLC(四級(jí)單元)NAND 技術(shù)提升市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301154

紫光實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn) 讓國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)更進(jìn)一步

昨日,紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司發(fā)布信息,宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示,這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破,也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005039

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

5G助推NAND FLASH發(fā)展

一小段上升期。隨著5G通信和AI技術(shù)的發(fā)展,數(shù)據(jù)中心將繼續(xù)增長(zhǎng)。2020年中國(guó)新增數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)容量將占全球新增量的50%左右。 2020年更多創(chuàng)新技術(shù)及成熟技術(shù)將在數(shù)據(jù)中心中被廣泛采用。服務(wù)器芯片NAND FLASH也出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。5G通信和人工智能的發(fā)展,數(shù)據(jù)中心將進(jìn)一步
2020-03-25 16:12:05854

制造商推動(dòng)3D NAND閃存的進(jìn)一步發(fā)展

  全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過(guò)許多發(fā)展得到滿足,不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上,尤其是通過(guò) 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車(chē)和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:25703

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