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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>閃存的尺寸 - 非易失性存儲器主導閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)?

閃存的尺寸 - 非易失性存儲器主導閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)?

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2018-12-23 13:31:0010224

關(guān)于非易失性存儲器和易失性存儲器的區(qū)別詳解

非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003

非易失性存儲器和易失性存儲器有什么全部詳細資料對比

非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357

石油高溫存儲器未來發(fā)展趨勢預測

主流的基于浮柵閃存技術(shù)非易失性存儲器技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲器技術(shù),以替代閃存技術(shù),更有效地縮小存儲
2020-04-03 15:01:30664

存儲的應用領域_云存儲關(guān)鍵技術(shù)有哪些

本文主要介紹了云存儲的應用領域及云存儲關(guān)鍵技術(shù)
2020-04-30 14:51:585695

新興的非易失性存儲器技術(shù)誰將更勝一籌

新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機存取存儲器(FeRAM),磁性隨機存取存儲器(MRAM),相變存儲器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840

存儲器和新興非易失性存儲器技術(shù)的特點

良好的設計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗證設備性能以及在制造后一次在晶圓和設備級別進行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:16847

MRAM將會成為非易失性存儲器(NVRAM)未來的關(guān)鍵技術(shù)

經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器(NVRAM)未來的關(guān)鍵技術(shù)。作為一項非易失性存儲器技術(shù),MRAM存儲芯片是可以在掉電時保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431266

淺談幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點

SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時,他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技術(shù)的優(yōu)缺點。 表1非易失性存儲器比較
2020-10-23 14:36:121516

非易失性存儲器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊

非易失性存儲器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:20:486

非易失性存儲器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊

非易失性存儲器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:30:0915

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

非易失性存儲器S25FL512S手冊

非易失性存儲器S25FL512S手冊免費下載。
2021-06-10 09:46:242

128Kbit非易失性存儲器FM25V01A-G的功能及特征

Cypress憑借在分立存儲器半導體領域近40年的經(jīng)驗,以同類最佳的存儲器產(chǎn)品、解決方案和技術(shù)引領行業(yè)。于1982年推出第一款隨機存取存儲器,并從這個吉祥的開端發(fā)展為涵蓋NOR閃存、pSRAM
2021-06-25 09:08:512574

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

256Kbit非易失性存儲器FM25V02A的功能及特性

FM25V02A是使用高級鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的;與RAM相同,它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時間,并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:082426

淺談閃速存儲器存儲單元連接方式

閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash),是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場效應管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術(shù)
2022-08-08 15:46:001076

MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應用筆記

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲器操作應用筆記.zip》資料免費下載
2022-09-22 10:00:540

非易失性存儲器是如何發(fā)展起來的?

DRAM屬于易失性存儲器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們再來看看半導體存儲的另一個重要領域,也就是非易失性存儲器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。
2022-10-13 09:24:131347

利用MAXQ處理器中的非易失性存儲器服務

的哈佛機器。MAXQ器件包含實現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)的硬件,允許方便地訪問代碼空間作為數(shù)據(jù)存儲器。這種額外的多功能性,結(jié)合MAXQ提供存儲器寫和擦除服務的實用功能,為完整的讀寫、非易失性存儲器子系統(tǒng)提供了背景。
2023-03-03 14:48:48454

鐵電存儲器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697

回顧易失性存儲器發(fā)展

易失性存儲器發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲器發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28878

如何充分利用單片機(MCU)的非易失性存儲器呢?

如何充分利用單片機(MCU)的非易失性存儲器 單片機(MCU)的非易失性存儲器(NVM)是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM,我們
2023-12-15 10:10:49507

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