資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:21
4235 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:333837 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042264 在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí)，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿(mǎn)足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282470 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:326096 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211479 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有 使用過(guò) nand flash的，遇到一個(gè)問(wèn)題找不到原因。最開(kāi)始 nand flash 默認(rèn)接口 是 SDR 模式，我將 nand flash 接口配置成 DDR timing mode
2020-10-04 13:30:42
細(xì)說(shuō)電流隔離低壓差分信號(hào)傳輸 （LVDS）接口，涉及到串行數(shù)據(jù)傳輸?shù)募扔?b class="flag-6" style="color: red">接口標(biāo)準(zhǔn) (TIA/EIA-644)
2020-12-18 06:01:32
一文讀懂接口模塊的組合應(yīng)用有哪些？
2021-05-17 07:15:49
主要是因?yàn)镹OR型閃存的接口簡(jiǎn)單，數(shù)據(jù)操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現(xiàn)壞區(qū)塊，因而一般用在對(duì)可靠性要求高的地方。相反的，NAND型閃存接口和操作均相對(duì)復(fù)雜，位交換操作也很多，關(guān)鍵性數(shù)據(jù)更是需
2013-04-02 23:02:03
于NAND閃存，這主要是因?yàn)镹OR型閃存的接口簡(jiǎn)單，數(shù)據(jù)操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現(xiàn)壞區(qū)塊，因而一般用在對(duì)可靠性要求高的地方。相反的，NAND型閃存接口和操作均相對(duì)復(fù)雜，位交換操作也很多
2014-04-23 18:24:52
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
認(rèn)為每個(gè)組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個(gè)NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問(wèn)，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲(chǔ)在非易失性閃存中，在加電時(shí)，ARM處理器會(huì)自動(dòng)配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛(ài)的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶(hù)正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問(wèn)候錢(qián)德拉以上來(lái)自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
各位，我正在嘗試使用 IMXRT1171 處理器中的 SEMC 和 AXI 接口配置一個(gè) SkyHigh ONFI Nand 閃存（編碼 S34ML01G3）。我從 nandflash_semc
2023-04-04 06:38:32
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個(gè)核心，但它們?cè)贏XI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器 我是一位在職者（北京），專(zhuān)業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2012-02-17 11:11:16
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器我是一位在職者（北京），專(zhuān)業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2014-03-01 18:49:08
U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)思路
2021-04-27 07:00:42
全球領(lǐng)先的測(cè)量解決方案提供商——泰克公司日前為開(kāi)放的NAND閃存接口(ONFI)標(biāo)準(zhǔn)推出業(yè)內(nèi)第一個(gè)測(cè)試解決方案。ONFI 4.0測(cè)試解決方案適用于泰克高性能示波器，包括在ONFI總線上分析DDR2
2016-12-12 10:42:11
supports NAND devices that comply with the ONFI standard. If aNAND device is ONFI
2019-01-24 06:31:34
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批
2010-03-04 11:02:511093 爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19664 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358227 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的
2010-05-20 09:26:23776 
ONFI(Open NAND Flash InteRFace) 本周發(fā)布了最新 ONFI 3.0 標(biāo)準(zhǔn)，可讓 SSD 固態(tài)硬盤(pán)存取速率加倍。
2011-03-21 11:03:222146 介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制,提供更好的讀寫(xiě)速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法
2011-12-15 17:11:3151 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，盡管超級(jí)本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應(yīng)商相比，專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢(shì)。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場(chǎng)以及令
2012-07-06 09:39:14817 
東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06797 對(duì)于許多消費(fèi)類(lèi)音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381480 
內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23604 ONFI協(xié)議中文版 很不錯(cuò)
2017-07-27 14:08:071 三星NAND閃存規(guī)格書(shū) K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復(fù)位后進(jìn)入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼，完成由硬件啟動(dòng)到操作系統(tǒng)啟動(dòng)的過(guò)渡，為運(yùn)行操作系統(tǒng)提供基本的運(yùn)行環(huán)境，如初始化CPU、堆棧、初始化存儲(chǔ)器系統(tǒng)等，其功能類(lèi)似于PC機(jī)的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門(mén)，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶(hù)想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對(duì)于許多消費(fèi)類(lèi)音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009865 
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053697 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031195 2017年經(jīng)歷市況樂(lè)觀的一年后，NAND閃存（flash）市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過(guò)于求了，從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063593 
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2018-08-30 14:39:00836 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤(pán)無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01502 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2018-10-25 17:37:1818 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241692 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345472 
IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱(chēng)2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01291 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱(chēng)2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26589 
SM3267是一個(gè)USB 3.0單通道閃存驅(qū)動(dòng)器控制器，為SLC、MLC、TLC和高速切換和ONFI DDR NAND提供高性能和高兼容性。對(duì)于USB 3.0閃存磁盤(pán)應(yīng)用程序，此控制器支持多達(dá)4個(gè)NAND閃存設(shè)備的高容量。
2019-05-13 08:00:0029 2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開(kāi)始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222637 NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專(zhuān)用控制器來(lái)處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專(zhuān)注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579835 
任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00650 
首先，閃存是分為很多標(biāo)準(zhǔn)的。其中，以英特爾、美光、海力士為首的NAND廠商所主打制定的閃存接口標(biāo)準(zhǔn)為“ONFI”，而以三星和東芝陣營(yíng)為首的NAND廠商當(dāng)前所主打的則是“Toggle DDR”。
2020-04-02 08:00:000 ONFI（Open NAND Flash Interface，開(kāi)放式NAND閃存接口）規(guī)范是一種Flash閃存接口的標(biāo)準(zhǔn)，它是Intel為統(tǒng)一當(dāng)初混亂的閃存接口所倡導(dǎo)的標(biāo)準(zhǔn)。因?yàn)樵诖酥埃袌?chǎng)上銷(xiāo)售
2020-04-18 13:54:002497 
的投資額就達(dá)8萬(wàn)億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而，三星電子過(guò)往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資，以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn)，或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn)，再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173173 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314806 
通常情況下，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類(lèi)型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46720 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:527062 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492033 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212096 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552605 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492776 日本芯片制造商Kioxia開(kāi)發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002593 NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(mén)（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143944 
微米NAND閃存設(shè)備包括用于高性能I/O操作的異步數(shù)據(jù)接口。這些設(shè)備使用高度多路復(fù)用的8位總線（DQx）來(lái)傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)。有五個(gè)控制信號(hào)用于實(shí)現(xiàn)異步數(shù)據(jù)接口：CE#、CLE、ALE、WE#
2021-03-29 09:46:5615 美光的176層 NAND 技術(shù)，其支持的接口速度為1600MT/s（ONFi總線）,高于96層和128層閃存的1200MT/s,與96層 NAND 相比，讀寫(xiě)延遲情況改善了35%以上，傳輸速度提升了33%，與使用96層 NAND 的 UFS 3.1模塊相比
2021-03-30 15:03:551910 本文檔重點(diǎn)介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（Static Memory Controller，SMC）的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510 寫(xiě)入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:562910 EE-344：在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427 在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088 EE-279將NAND閃存與ADSP-2126x SHARC?處理器接口
2021-06-18 09:21:341 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問(wèn)片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561308 NAND 閃存內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET（金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管）， 與普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同之處在于，在柵極（控制柵）與漏極/源極之間存在浮置柵，利用該浮置柵存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152117 
MX35LFxGE4AB是具有串行接口的1Gb/2Gb SLC NAND閃存設(shè)備。然而，該設(shè)備的存儲(chǔ)陣列采用了與并行NAND相同的單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行接口。
2022-07-07 16:29:296 但同樣重要的組件。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)而言之，沒(méi)有它什么都行不通。 ? NAND 閃存控制器，或簡(jiǎn)稱(chēng)“控制器”，專(zhuān)為不同的接口（如 PCIe、eMMC、SD、SATA 和 USB）而設(shè)計(jì)，具有不同的質(zhì)量和不同的用例。它們的共同點(diǎn)是管理 NAND 閃存上的數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)技術(shù)在過(guò)
2022-09-05 14:42:551478 本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111239 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32889 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431544 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392175 閃存最初是隨著外部存儲(chǔ)設(shè)備（例如USB存儲(chǔ)設(shè)備）進(jìn)入家庭的，容量非常適中，只有幾MB，現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到數(shù)百GB?，F(xiàn)在，它已經(jīng)無(wú)處不在，從智能手機(jī)到物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品等無(wú)數(shù)設(shè)備。隨著應(yīng)用程序的爆炸式增長(zhǎng)，許多閃存協(xié)議應(yīng)運(yùn)而生，讓我們談?wù)勂渲兄?– ONFi。
2023-05-26 15:30:331806 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶(hù)可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:002001 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53292 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶(hù)就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22259 芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中XinCun芯存科技的串行外設(shè)接口NAND閃存 XCSP4AAPK-IT已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持
2024-03-26 18:16:3636 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論