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電子發(fā)燒友網>存儲技術>SK海力士正式宣布年底前量產并提供業(yè)界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器

SK海力士正式宣布年底前量產并提供業(yè)界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器

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收購海力士內存芯片

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高價回收海力士內存,長期收購海力士內存

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SK海力士預計將設備投資比去年減少4成

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ASML公司的EUV光刻機全球獨一份,現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上,臺積電、三星用它生產CPU、GPU等芯片。馬上內存芯片也要跟進了,SK海力士宣布年底量產EUV工藝內存。
2020-10-30 10:54:211646

嘉合勁威將在2021年率先實現(xiàn)DDR5內存量產

,2021 年將在深圳坪山率先實現(xiàn) DDR5 內存量產。 參數(shù)方面,新一代的內存 DDR5,一個 DIMM,兩個通道,將具備更快的速度,有望達到 4.8Gbps 的速度,比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:361735

DDR5最大優(yōu)勢是容量而非速度

%,未來將最高摸到8400MHz左右。 ? 大多數(shù)人關注的也是DDR5頻率,不過在業(yè)內專家來說頻率可能不是最重要的,美光首席架構
2020-12-12 10:35:393946

威剛DDR5內存條最新進展:單條64GB、頻率8400MHz

高玩的需求。 威剛規(guī)劃的DDR5內存將覆蓋企業(yè)用戶、游戲用戶、創(chuàng)作者等,最大傳輸速度8400MT/s(等效8400MHz),容量可達64GB,支持ECC糾錯等。 根據DDR5 SDRAM標準
2021-01-06 16:40:434429

SK海力士已開始安裝EUV光刻機,以量產10nm 1a DRAM

據etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機,以量產10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內在M16廠建設產線以生產下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146

SK海力士將首次使用EUV光刻機生產芯片

存儲芯片廠商SK海力士今天宣布,其公司位于韓國首爾南部利川市的M16新廠已經竣工,SK海力士將首次使用極紫外輻射(EUV)光刻機在生產存儲芯片。SK海力士經過兩年的時間,花費了3.5萬億韓元
2021-02-02 15:00:152112

國產品牌阿斯加特推首款DDR5內存

2021年將是DDR內存技術升級換代元年,DDR5內存下半年就會正式亮相。今天國產存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內存,起步頻率達到DDR5-4800MHz
2021-02-22 16:31:203265

SK海力士與ASML簽合同:SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機

隨著半導體工藝進入10nm節(jié)點以下,EUV光刻機成為制高點,之前臺積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機,率先量產7nm、5nm工藝,現(xiàn)在內存廠商也要入場了,SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機
2021-02-25 09:30:232047

SK海力士開始量產DDR5移動內存

SK海力士今天宣布,已經開始量產18GB LPDDR5移動版內存,存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:542574

SK首次提供24Gb DDR5樣品 美光推出全新20代PCI SSD

  SK海力士宣布提供業(yè)界內DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產品采用了EUV工藝的第四代10納米級(1a)技術,相較第二代10納米級(1y)DDR5產品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產效率,其速度提升高達33%。
2022-03-29 17:20:521533

SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠,并繼續(xù)加強在中國的投資

近日,SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分,將被用于生產非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務
2022-05-19 14:32:533109

SK海力士將向英偉達系統(tǒng)供應HBM3

SK海力士業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:251175

存儲技術的新動向:DDR5DDR4 DIMMs比較

JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲器架構,認為它的出現(xiàn)標志整個產業(yè)即將向DDR5服務器雙列直插式存儲器模塊(DIMM)過渡。
2022-12-05 11:59:262313

SK海力士開發(fā)出業(yè)界最快的服務器內存模組MCR DIMM

* 業(yè)界最快的DDR5服務器,實現(xiàn)數(shù)據傳輸速率高達8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作,SK海力士領航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術突破,鞏固在服務器DRAM市場的領導地位 韓國首爾
2022-12-09 20:40:311447

SK海力士第四代10納米級DDR5服務器DRAM全球首獲英特爾認證

服務器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布,公司研發(fā)的第四代10納米級(1a)DDR5服務器DRAM獲得了英特爾(Intel?)近期上市的全新第四代Xeon?服務器
2023-01-12 21:32:26610

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看

被壓制,消費電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導致存儲芯片需求減少;疊加芯片價格大幅下滑導致。 內存芯片行業(yè)面臨著嚴重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:122647

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產

業(yè)界透露,三星電子、sk海力士存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47704

三星、SK海力士存儲器庫存破表 牽動南亞科、華邦、群聯(lián)等后市

據dram領域的調查企業(yè)trend force稱,去年第四季度在dram領域,三星以45.1%的世界市場占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領域,三星以世界第1位占據了第4季度的世界市場占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占據了第3位。
2023-08-17 09:38:58292

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎,成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,從明年上半年開始批量生產hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563

Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構建和擴張數(shù)據中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務器dram。據悉,對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:33504

SK海力士官宣終止與華為的合作

近期,有關韓國SK海力士為華為提供關鍵芯片的消息引起了廣泛關注。據某拆解視頻顯示,華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK海力士”標識,但未能獲取到有關存儲芯片核心信息的詳細資料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工藝目前還沒有定論。
2023-09-18 16:58:031765

三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產量

 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代(1b)DDR5,供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計,由于DDR5需求高漲,拉動產品平均銷售單價,SK海力士DRAM業(yè)務有望加快轉虧為盈,公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174

SK海力士三季度虧損97億元,SK海力士確認反對西數(shù)與鎧俠合并

SK海力士稱,由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加,公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等,銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比,營業(yè)收入增長了24%,營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28413

瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應商獎”

SK海力士提供優(yōu)質的產品和服務。從DDR4世代跨越到DDR5世代,瀾起科技與SK海力士合作的產品涵蓋DDR4、DDR5內存接口芯片及DDR5內存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學習等異構計算飛速發(fā)展,CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起,吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37471

DDR5內存沖上8400MHzDDR3L依然大行其道

硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道:CES 2024大展期間,雷克沙帶來了豐富的存儲方案,涵蓋SSD、內存、存儲卡等,包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內存。
2024-01-12 10:32:27285

SK海力士第四季轉虧為盈 HBM3營收增長5倍

韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據顯示,公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上,成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641

鎧俠向SK海力士提議在日產非易失性存儲器,推動合作達成

去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實施的日本產 3D NAND 晶圓廠,提供額外產能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產能。
2024-02-18 16:06:59115

SK海力士將于3月量產HBM3E存儲器

在全球存儲半導體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品,并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:08612

SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247

SK海力士預計3月量產HBM3E,供貨英偉達

達長達半年的嚴格性能評估。據此,SK海力士計劃在今年3月開始量產這款高頻寬記憶體,以供應給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:21372

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:44333

SK海力士HBM3E正式量產,鞏固AI存儲領域的領先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預計這款最新產品的大批量投產及其作為業(yè)內首家供應HBM3制造商所累積的經驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:21252

SK海力士成功量產超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274

SK海力士展示業(yè)界最高標準適于AI應用的存儲器產品

3月18日至21日,SK海力士在圣何塞舉辦的2024年度英偉達GPU技術大會(NVIDIA GTC 2024,NVIDIA GPU Technology Conference 2024)上,展示了公司最新適于AI應用的存儲技術。
2024-03-21 09:04:08172

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126

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