比特位的技術(shù)），實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前，最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
7050 9月2日，長江存儲(chǔ)正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國際會(huì)議VLSI研討會(huì)
2019-12-13 10:46:0711441 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 Western Digital和Kioxia宣布成功開發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:005791 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 西數(shù)公司日前表示今年會(huì)試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤更容易了。
2017-02-07 14:21:31750 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 目前東芝已經(jīng)提出了創(chuàng)紀(jì)錄的96層堆疊3D閃存——第四代BiCS閃存。它的內(nèi)部是如何工作的？一顆閃存芯片又是,如何演變成我們能看到的閃存顆粒？
2017-09-20 09:39:1424679 BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。
2020-02-10 19:46:29853 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:162883 Kioxia（鎧俠）和西部數(shù)據(jù)宣布，雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進(jìn)的3D NAND技術(shù)。 Kioxia首席技術(shù)
2021-02-20 15:30:152151 的層數(shù)也不同，鎧俠、西數(shù)使用的BiCS技術(shù)，堆棧層數(shù)并不是最高的，但是存儲(chǔ)密度不錯(cuò)，這次162層相比之前的112層閃存提升了10%的密度。
2021-02-20 10:02:322320 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001984 
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
的存儲(chǔ)成本。在認(rèn)識(shí)到不斷縮小的光刻技術(shù)的擴(kuò)展局限性之后，需要一種新的方法來增加每個(gè)設(shè)備的密度，同時(shí)降低每 GB 的相對成本，此時(shí)便出現(xiàn)了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
3D NAND的生產(chǎn)狀況。之前西部資料制定過一個(gè)目標(biāo)，希望今年采用BiCS 3技術(shù)生產(chǎn)的64層3D NAND能占到3D NAND產(chǎn)量的75%，不過現(xiàn)在這個(gè)數(shù)字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
NAND技術(shù)時(shí)代，創(chuàng)新的X4架構(gòu)成功投入商用，西部數(shù)據(jù)現(xiàn)在將X4架構(gòu)應(yīng)用于先進(jìn)的64層3D NAND。隨著閃存技術(shù)的發(fā)展，NAND Flash架構(gòu)設(shè)計(jì)已從SLC過渡到MLC，現(xiàn)在TLC已成為了主流
2022-02-04 10:27:01
1.4規(guī)范，112L BiCS5 3D TLC ，DRAM-less控制器， 性能方面，順序讀寫速度最高可達(dá)3500 MB/秒、2900 MB/秒，隨機(jī)寫入和讀取的最大值分別為 450K IOPS
2022-01-25 08:48:08
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術(shù)，QLC類型的核心容量高達(dá)1．33Tb，比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)水平提升了33％，東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。 國內(nèi)崛起撬動(dòng)全球
2021-07-13 06:38:27
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目僅限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之間， NAND的市場復(fù)合年增長率將達(dá)到 7%。技術(shù)方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù)，讓制造商能進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)勢。領(lǐng)先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
衍生了一些新的技術(shù)，來助力其閃存產(chǎn)品向3D方向發(fā)展。其中，就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術(shù)3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11633 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 
目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
層數(shù)的增加也就意味著對工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895 美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度?？梢?，3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場”。
2018-07-17 10:34:084865 
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 昨日長江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、Net
2018-09-21 20:06:01485 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先進(jìn)
2018-10-08 17:11:001940 至少2年時(shí)間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級(jí)市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同，堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39395 支持64層3D QLC后，現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)布
2018-11-19 17:22:316838 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
在本周的活動(dòng)上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級(jí)的延遲，采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。
2019-03-25 14:44:563061 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143302 現(xiàn)在，長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。
2019-08-26 16:15:583539 ，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021051 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 有關(guān)國產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品，而當(dāng)長江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候，我們知道，真正的國產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:07882 作為NADN閃存技術(shù)的發(fā)明者，鎧俠（原來的東芝存儲(chǔ)）在新一代閃存研發(fā)上再次甩開對手，率先推出了Twin BiCS FLASH閃存技術(shù)，有望成為PLC閃存的最佳搭檔。
2019-12-18 14:54:123344 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135022 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-10 14:23:27640 前幾天西數(shù)、鎧俠(原東芝存儲(chǔ))各自宣布了新一代BiCS5技術(shù)的3D閃存，堆棧層數(shù)也從目前的96層提升到了112層，IO接口速度提升40%，同時(shí)QLC型閃存核心容量可達(dá)1.33Tb，目前是世界最高水平的。
2020-02-04 15:23:07749 
根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:344317 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557 追求存儲(chǔ)密度以降低存儲(chǔ)成本不斷推動(dòng)著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時(shí)代，跨越MLC、TLC向QLC時(shí)代快速演進(jìn)，并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊，發(fā)展到了目前最新一代的高達(dá)128層堆疊。
2020-04-14 15:28:031730 
長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成
2020-07-24 15:09:131525 無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:592809 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 的應(yīng)用效能。 據(jù)了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘（Replacement Gate）架構(gòu)，是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn)，相較于前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599 北京時(shí)間11月13日消息，內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:261872 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。
2020-11-19 16:11:182910 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492766 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 的層數(shù)也不同，鎧俠、西數(shù)使用的BiCS技術(shù)，堆棧層數(shù)并不是最高的，但是存儲(chǔ)密度不錯(cuò)，這次162層相比之前的112層閃存提升了10%的密度。 這樣一來，從112層提高到162層使得芯片的面積減少了40%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產(chǎn)70%的容量，直接大幅降低了閃存成本。 除
2021-02-19 18:03:412179 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582012 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
全球存儲(chǔ)市場對高密度 NAND 閃存的需求不斷增長。目前，這一需求已通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，而且尤其是在過去十年中一直處于存儲(chǔ)討論和發(fā)展中心的 3D NAND 架構(gòu)
2022-07-28 10:12:491704 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 來源：KIOXIA鎧俠中國 為展示先進(jìn)閃存技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，鎧俠株式會(huì)社與西部數(shù)據(jù)公司今日（3月31日）發(fā)布了他們最新的3D閃存技術(shù)的細(xì)節(jié)，該技術(shù)目前正在備產(chǎn)中。該3D閃存采用先進(jìn)的微縮和晶圓鍵合技術(shù)
2023-04-04 16:39:43491 眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時(shí)，鎧俠還是第一個(gè)設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03798 字節(jié)）。每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前
2023-06-10 17:21:001983 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21865 中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！?b class="flag-6" style="color: red">目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07266 增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26245 
在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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