嵌入式閃存中，然而，嵌入式閃存的小型化已近乎突破極限，無法跟上CMOS邏輯的小型化。 據(jù)稱嵌入式閃存的小型化極限是在CMOS邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)40nm至28nm上產(chǎn)生。嵌入式非易失性存儲(chǔ)器有望在28nm及更高版本的CMOS邏輯上扮演嵌入式閃存的角色。 嵌入式閃
2019-03-13 15:25:55
10487 聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門（300-million gate count）系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達(dá)100MB，可為高級(jí)通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬，滿足高速而穩(wěn)定的傳輸需求，以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:091286 Altera公司與臺(tái)積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺(tái)積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場(chǎng)的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09925 三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2013-05-23 09:05:161636 鎖定汽車應(yīng)用市場(chǎng)的晶片業(yè)者都清楚知道，下一代微控制器（MCU）的戰(zhàn)場(chǎng)是內(nèi)建 40奈米高速存取快閃記憶體的高性能產(chǎn)品；而到目前為止，有兩家主要關(guān)鍵廠商正面臨戰(zhàn)火──瑞薩電子（Renesas）的40奈米快閃記憶體技術(shù)，以及同樣為40奈米的Spansion嵌入式電荷擷?。–harge Trap，eCT）技術(shù)。
2013-12-17 09:21:341579 
針對(duì)混合動(dòng)力汽車（HEVs）和電動(dòng)汽車（EVs）系統(tǒng)控制應(yīng)用，Renesas（瑞薩電子）推出了32位汽車級(jí)微控制器，型號(hào)為RH850/C1x。RH850/C1x采用Renesas先進(jìn)的40nm
2015-10-13 18:18:121355 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會(huì)量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會(huì)在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過10nm節(jié)點(diǎn)，他們下一個(gè)高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171073 在經(jīng)過2016的一系列擴(kuò)張之后，近日，Crossbar與中芯國(guó)際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣，再次為芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示，中芯國(guó)際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個(gè)百分點(diǎn)至6%。
2017-01-18 10:46:161220 90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)力再度加強(qiáng)。 華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上
2017-12-27 17:59:319666 日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
對(duì)出現(xiàn)故障的器件進(jìn)行分析。另一方面，采用并列技術(shù)需要對(duì)定制壓焊墊進(jìn)行定位，以有效地在兩個(gè)芯片之間進(jìn)行綁定。絕大部分應(yīng)用所采用的首選方案均需要一個(gè)具有嵌入式閃存的標(biāo)準(zhǔn)微控制器，這種內(nèi)部綁定的應(yīng)用具有重大
2019-04-30 07:00:16
無法突破 90nm 以下節(jié)點(diǎn)，理由是存儲(chǔ)單元擴(kuò)展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)。可如今嵌入式閃存已發(fā)展到 28nm 級(jí)，因此證明上述看法是錯(cuò)誤的?，F(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時(shí)代。不過
2020-08-14 09:31:37
之外，具有高壓能力的嵌入式閃存技術(shù)的一個(gè)更大的優(yōu)勢(shì)在于元件的長(zhǎng)期供應(yīng)。例如，在汽車與工業(yè)應(yīng)用中，產(chǎn)品的壽命周期能達(dá)10年或更多。將閃存嵌入IC可以防止出現(xiàn)技術(shù)生命終結(jié)的風(fēng)險(xiǎn)，并且由于逐步淘汰當(dāng)前工藝而采用新的工藝，需要對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行定期檢驗(yàn)，這是采用分立式NVM或閃存微控制器時(shí)經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)的問題。
2019-04-08 09:36:15
和實(shí)時(shí)系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效
嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時(shí)詳細(xì)說明
嵌入式系統(tǒng)和實(shí)時(shí)系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵
工藝技術(shù)?！ ?/div>
2019-07-11 07:53:14
和實(shí)時(shí)系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時(shí)詳細(xì)說明嵌入式系統(tǒng)和實(shí)時(shí)系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-08-23 06:45:41
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2015-11-24 09:50:20
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2014-06-25 18:04:03
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2015-11-25 16:06:53
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2014-06-30 11:27:50
什么是嵌入式系統(tǒng)？怎樣去搭建一種嵌入式開發(fā)環(huán)境呢？
2021-10-19 07:46:35
隨著嵌入式系統(tǒng)硬件體系結(jié)構(gòu)的變化，嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)向嵌入式系統(tǒng)高端，即嵌入式軟件系統(tǒng)轉(zhuǎn)移，具體體現(xiàn)在嵌入式操作系統(tǒng)趨于多樣和應(yīng)用軟件日漸復(fù)雜。由于嵌入式系統(tǒng)軟硬件功能界限模糊，研究如何進(jìn)行系統(tǒng)測(cè)試和進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估來保證嵌入式系統(tǒng)的產(chǎn)品質(zhì)量具有重要意義。
2019-09-18 07:12:10
本人長(zhǎng)期從事嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品軟件規(guī)劃、設(shè)計(jì)、開發(fā)及管理相關(guān)工作，熟悉vxworks\linux\android\qnx等常用嵌入式系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)、應(yīng)用等開發(fā)，涉及到工控、軍用、民用等多個(gè)行業(yè)，希望尋求合作，聯(lián)系QQ：283744221
2016-10-19 17:07:44
GD32E5高性能微控制器，采用臺(tái)積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和經(jīng)濟(jì)的開發(fā)成本。推動(dòng)嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展，解決數(shù)字電源
2021-12-16 08:13:14
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
嵌入式系統(tǒng)是計(jì)算設(shè)備硬件中嵌入軟件作為其核心組件的應(yīng)用。我們身邊現(xiàn)在已經(jīng)被嵌入式系統(tǒng)包圍了，這些產(chǎn)品能為我們的生活帶來各種方便乃至奢華的功能，包括移動(dòng)手持設(shè)備、洗衣機(jī)、微波爐、ATM 機(jī)、空調(diào)等等。由于某些特定的應(yīng)用要求，工程師必須以不同于其它設(shè)計(jì)類型的特定方法進(jìn)行嵌入式設(shè)計(jì)。
2020-04-13 07:04:24
這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個(gè)產(chǎn)品中的性能目標(biāo)。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個(gè)M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
為何要進(jìn)行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計(jì)？如何進(jìn)行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計(jì)？
2021-11-01 06:31:26
什么是嵌入式？嵌入式設(shè)備有哪些呢？
2021-12-24 07:47:47
大多數(shù)汽車] 差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存多年來，大多數(shù)]
2020-01-12 08:00:00
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
輸出）；實(shí)時(shí)時(shí)鐘和看門狗，112個(gè)通用I/O 口（可承受5V 電壓）；2 個(gè)低功耗模式：空閑和掉電?！ ∑霞筛咚?b class="flag-6" style="color: red">閃存 LPC2000系列的片上閃存專為嵌入式應(yīng)用而設(shè)計(jì)。采用0.18微米的工藝
2008-06-17 11:56:19
基于全新Arm? Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺(tái)積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟(jì)
2021-11-04 08:38:32
如何使用 GDB 進(jìn)行嵌入式遠(yuǎn)程調(diào)試？
2021-12-24 07:01:07
嵌入式flash的特性有哪些？嵌入式flash的操作流程有哪些？
2021-10-08 08:51:35
如何對(duì)嵌入式應(yīng)用程序進(jìn)行調(diào)試
2021-12-24 07:36:55
嵌入式軟件的覆蓋測(cè)試原理是什么？嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的覆蓋測(cè)試工具是什么？Logiscope在嵌入式操作系統(tǒng)DeltaCORE測(cè)試中的應(yīng)用是什么？
2021-05-13 07:30:16
嵌入式閃存技術(shù)認(rèn)知誤區(qū)
2021-01-12 06:30:12
怎樣在嵌入式A40i開發(fā)板上配置sftp用于文件傳輸呢？請(qǐng)問嵌入式A40i開發(fā)板是如何控制LED閃爍的？
2021-12-27 07:21:34
【來源】：《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05
40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23701 英飛凌、TSMC擴(kuò)大合作，攜手65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司近日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開發(fā)
2009-11-10 09:02:381977 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551000 臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示，臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:43893 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗(yàn)
2010-01-26 08:49:17851 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)
2010-02-02 18:00:12783 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42779 臺(tái)積電無奈出B計(jì)劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個(gè)場(chǎng)合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50712 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國(guó)際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。
2011-06-22 09:16:331258 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應(yīng)用的65納米嵌入式閃存(eFlash)微控制器(MCU)樣品。這是英飛凌和臺(tái)積電(TSMC)于2009年開始共同開發(fā)及生產(chǎn)65 納米
2011-11-19 00:13:18543 英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護(hù)應(yīng)用。
2011-11-30 10:07:061176 瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797 意法·愛立信今天發(fā)布了業(yè)界首個(gè)采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺(tái)CG2905。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度，推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)擴(kuò)增實(shí)境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:38783 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:34922 益華電腦宣布，晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認(rèn)證Cadence實(shí)體驗(yàn)證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類比、數(shù)位與混合訊號(hào)設(shè)計(jì)實(shí)體signoff。同時(shí)
2014-03-25 09:33:50862 Storage Technology（SST）與先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強(qiáng)化型（LPx）/RF平臺(tái)的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）產(chǎn)品已通過全面認(rèn)證并開始投放市場(chǎng)。
2015-05-18 14:48:301429 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，正與 GLOBALFOUNDRIES 展開合作，認(rèn)證 Mentor? RTL 到 GDS 平臺(tái)（包括 RealTime
2015-11-16 17:16:231078 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司（以下簡(jiǎn)稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253 作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國(guó)際（SMIC）的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）芯片，并稱更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來。
2017-01-17 09:40:003747 目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作，發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中，中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396 近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205 聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這個(gè)微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:361757 出樣40nm ReRAM存儲(chǔ)芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來，這種新型存儲(chǔ)芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:162811 的2G 、3G 和4G無線通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一，今日宣布其首款集成了無線連接的手機(jī)基帶平臺(tái)-SC6531正式商用。展訊單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531集成了FM與藍(lán)牙，更高
2018-11-14 20:39:01419 “芯啟源”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:383721 繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發(fā)公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺(tái)積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場(chǎng)推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個(gè)重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗(yàn)證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:032715 瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動(dòng)駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 Objective Analysis總裁Jim Handy表示：“當(dāng)閃存置于主處理器之外時(shí)，保證嵌入式系統(tǒng)的安全性就變得尤為重要。針對(duì)閃存無法嵌入MCU的情況，英飛凌推出的安全閃存解決方案是一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的架構(gòu)。
2020-07-20 15:37:591852 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布與英飛凌合作推出SONOS嵌入式閃存（eFlash）平臺(tái)
2022-12-15 09:06:59707 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其Ariel? SoC成功通過完整質(zhì)量可靠度驗(yàn)證，該IoT芯片基于聯(lián)電40納米超低功耗（40ULP）工藝并采用英飛凌SONOS eFlash嵌入式閃存技術(shù)。
2023-08-17 15:58:201104 Z20K11xN采用國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個(gè)郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081075 
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