等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負載效應。負載效應有兩種:宏觀負載效應和微觀負載效應。
2023-02-08 09:41:26
2467 單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。
2023-02-13 11:13:235905 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58844 
在半導體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58552 
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對外提供6英寸半導體工藝代工服務和工藝加工服務，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
STI34061
2023-03-29 21:41:52
STI3408B
2023-03-29 22:43:48
STI3508C
2023-03-29 21:34:44
STI4600BCV誰需要用到呢？STI4600BCV誰需要用到呢？STI4600BCV誰需要用到呢？
2013-04-18 10:36:34
STI9712
2023-03-28 14:46:32
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
什么是LOCOS什么是STILOCOS和STI的區(qū)別
2020-12-29 06:19:42
溫度都高于現(xiàn)有的錫鉛合金。例如從目前較可能被業(yè)界廣泛接受的“錫——銀——銅”合金看來，起熔點是217℃，這將在焊接工藝中造成工藝窗口的大大縮小。理論上工藝窗口的縮小為從錫鉛焊料的37℃降到23℃。實際上
2016-05-25 10:08:40
。焊點上錫不好工藝窗口大，溫度曲線調(diào)整較易。焊點空洞較好消除，焊點上錫較好波峰焊接焊點上錫不好，需要加快冷卻，錫槽合金雜質(zhì)含量檢測頻繁度加大，有可能生產(chǎn)現(xiàn)場需要檢測儀器焊點上錫較好，錫槽合金雜質(zhì)含量檢測
2016-07-14 11:00:51
曲線調(diào)整較難。焊點空洞難以消除。焊點上錫不好工藝窗口大，溫度曲線調(diào)整較易。焊點空洞較好消除，焊點上錫較好 波峰焊接焊點上錫不好，需要加快冷卻，錫槽合金雜質(zhì)含量檢測頻繁度加大，有可能生產(chǎn)現(xiàn)場需要檢測儀
2016-05-25 10:10:15
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
新加坡知名半導體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經(jīng)驗。刻蝕設備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
導致工藝無法控制。有時醋酸和其他成分被混合進來控制加熱反應。一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝。刻蝕配方要進行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。取向的晶圓以45°角刻蝕，取向的晶圓以“平”底刻蝕。其他取向
2018-12-21 13:49:20
冰箱冷藏室的溫度1、夏季溫度調(diào)節(jié) 電冰箱（冷柜）在使用過程中，其工作時間和耗電受環(huán)境溫度影響很大，因此需要我們在不同的季節(jié)要選擇不同的檔位使用。 夏季環(huán)境溫度高時，應打在弱檔2-3檔使用。 原因：在
2008-07-02 12:59:44
與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體
2018-09-03 09:31:49
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
的加工工藝流程，加工過程中需要運用刻蝕機在晶圓上把復雜的3D圖形一層一層“堆疊”起來，實現(xiàn)單片機IC芯片的更小化。芯片，本質(zhì)上是一片載有集成電路（IC：Integrated circuit）的半導體元件
2018-08-23 17:34:34
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
通過光熱反射技術測量大功率二極管激光器腔面溫度,并取得了初步結(jié)果。由于是非接觸探測,故而比較真實反映了正在工作的大功率二極管激光器腔面溫度。通過實驗及分析表明,有源區(qū)是產(chǎn)生熱最多的地方,通過測量
2010-05-04 08:04:08
擊穿電壓。同時，還簡要描述了這種器件的制造工藝。關鍵詞：靜電感應晶閘管；埋柵結(jié)構(gòu)；臺面刻蝕；柵陰擊穿；表面缺
2009-10-06 09:30:24
基于STI4600BCV設計的信號模擬發(fā)生器
2013-04-18 10:43:31
我司目前LED 驅(qū)動用的型號是STI9287，是一顆Boost LED Driver，想問下IC是否能同時驅(qū)動幾組并聯(lián)的LED？怎么計算。
2022-03-17 15:54:41
上。 刻蝕只去除曝光圖形上的材料。 在芯片工藝中，圖形化和刻蝕過程會重復進行多次。2017年3月11日，據(jù)CCTV2財經(jīng)頻道節(jié)目的報道，中微AMEC正在研制目前世界最先進的5納米等離子刻蝕機，將于2017年底將量產(chǎn)。轉(zhuǎn)自吳川斌的博客`
2017-10-09 19:41:52
耦合腔的原理及介紹已經(jīng)把矩形腔、圓柱腔總結(jié)成為傳輸線腔，并采用場論(復頻率)方法和網(wǎng)絡(推廣cullen)方法作了分析，不論是什么橫截面的腔，它們都可以歸納為理想腔或孤立腔，其最主要特點是四周封閉
2009-11-02 17:50:29
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
Microstructures在SEMICON China期間推出了干法刻蝕模塊與氧化物釋放技術，該技術為MEMS器件設計師提供了更多的生產(chǎn)選擇，同時帶來了寬泛的制造工藝窗口，從而使良率得到了提升。麥|斯
2013-11-04 11:51:00
本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評價過程。針對實際應用中的問題，展開討論。通過實際案例分析,展示了干刻清洗工藝的應用價值。關鍵字：干刻清
2009-12-14 11:06:10
16 意法半導體(ST)又推出了最新的低成本標清機頂盒解碼器芯片STi5206。
STi5206用于取代STi5205，它可以實現(xiàn)更多的功能，以及進一步簡化機頂盒的設計和制造。STi5206的靈活架構(gòu)為
2010-08-10 09:04:282466 蘋果設計和工程團隊研究出一種新型的鍵盤刻蝕工藝，利用不同的激光來制作蘋果背光鍵盤.
2011-12-16 09:43:20764 
晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設備、操作流程及常用化學品；3、主要檢測項目及標準；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0924 光刻蝕 這是目前的CPU 制造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什么這么說呢？ 光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對于所用光的波長要求極為
2017-10-24 14:52:5816 高效TEC溫度窗口控制器 ATW3A314 ATW3A314是一款高效集成的電子模塊,通過控制TEC制冷片來調(diào)節(jié)目標物體溫度，使其在預設的溫度窗口范圍內(nèi)。這款控制器的優(yōu)點在于為使用電池供電的系統(tǒng)
2018-09-26 09:43:03207 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現(xiàn)。為了復制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768524 深反應離子刻蝕工藝，是實現(xiàn)高深寬比特性的重要方式，已成為微加工技術的基石。這項刻蝕技術在眾多領域均得到了應用：1)MEMS電容式慣性傳感器；2) 宏觀設備的微型化；3) 三維集成電路堆疊技術的硅通孔工藝。
2020-10-09 14:17:3512731 
不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議
2022-12-13 11:42:001674 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議等。
2020-12-08 23:36:0025 功率、下電極基底溫度、腔室壓力等參數(shù)對SiC背面通孔的刻蝕速率、選擇比、傾斜角及側(cè)壁光滑度的影響。通過裝片夾具改進及工藝條件優(yōu)化，開發(fā)出刻蝕速率為1μm/min、SiC與Ni的選擇比大于60∶1、傾斜角小于85°、側(cè)壁光滑的SiC通孔工藝條件，可用
2020-12-29 14:32:102146 功率、下電極基底溫度、腔室壓力等參數(shù)對SiC背面通孔的刻蝕速率、選擇比、傾斜角及側(cè)壁光滑度的影響。通過裝片夾具改進及工藝條件優(yōu)化，開發(fā)出刻蝕速率為1μm/min、SiC與Ni的選擇比大于60∶1、傾斜角小于85°、側(cè)壁光滑的SiC通孔工藝條件，可用
2020-12-29 14:34:101236 摘要：在半導體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個相對復雜又難以控制的工藝。在這個工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072510 
摘要：對比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等幾種ＧａＮ７干法刻蝕方法的特點?；仡櫫耍牵幔危狈?b class="flag-6" style="color: red">刻蝕領域的研究進展。以ＩＣＰ刻蝕ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料為例，通過工藝參數(shù)的優(yōu)化，得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及
2020-12-29 14:39:292909 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:588547 
摘要：簡述了在SiC材料半導體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術的工藝發(fā)展狀況. 半導體器件已廣泛應用于各種場合,近年來其應用領域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:117638 
刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設備中， 這是一個很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設置。
2022-03-15 13:41:592907 
刻蝕室半導體IC制造中的至關重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 STI3508CB 是恒定頻率的電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。 STI3508CB 開關頻率為 1.2MHz， 并允許使用微型、低成本的電容器以及高度為 2 毫米或更小的電感器。 內(nèi)部的軟啟動可減小小浪涌電流
2022-07-08 14:28:172349 
STI9287C 和 STI9287CA 是來自單節(jié)鋰離子電池的 30V OVP，專為 WLED 驅(qū)動器設計的轉(zhuǎn)換器。STI9287C 和 STI9287CA 用于驅(qū)動WLED ，可通過外部電阻設置
2022-07-12 09:33:521539 
在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:153281 干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:193264 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187251 環(huán)柵器件溝道形成是在Si襯底上外延生長SiGe/Si的超晶格結(jié)構(gòu)，然后進行選擇性刻蝕形成堆疊Si納米片溝道。該工藝的關鍵是：①外延高質(zhì)量的SiGe/Si超晶格結(jié)構(gòu)，并在淺槽隔離（Shallow Trench Isolation, STI）工藝后保持SiGe/Si的界面處不發(fā)生Ge擴散；
2022-11-16 10:12:422294 每一臺刻蝕設備都需做好在最佳條件下運行的準備。我們的刻蝕工藝工程師運用精湛的制造技術，完成這一細節(jié)工藝的處理。
2023-01-07 14:08:363141 刻蝕是移除晶圓表面材料，達到IC設計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。
2023-02-06 15:06:263998 濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184085 磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨氣(NH3)這兩種副產(chǎn)品都可以溶于水。LOCOS工藝的場區(qū)氧化層生成后(或USG研磨和STI退火處理后)，這個技術至今仍在隔離形成工藝中被采用以去除氮化硅。
2023-02-13 11:11:062026 刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì)，例如用氧等離子體剝除光刻膠，這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會很快與含碳物質(zhì)中的碳和氫反應，形成易揮發(fā)的co,co2和h2o并且將含碳物質(zhì)有效地從表面移除。這個過程是在帶有刻蝕隧道的桶狀系統(tǒng)中進行的（見下圖）。
2023-03-06 13:50:481074 嚴重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過150攝氏度,屏蔽層就會被燒焦，而且化學刻蝕速率
2023-03-06 13:52:33827 對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預先設定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031773 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182461 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162200 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發(fā)性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271074 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353321 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183035 
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392859 在下面的圖中較為詳細的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168 
在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003307 
持續(xù)的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發(fā)階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-16 16:55:04270 
以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
2023-11-23 09:04:42178 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531538 該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
在紅外探測器的制造技術中，臺面刻蝕是完成器件電學隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42130 
影響深硅刻蝕的關鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
刻蝕機的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24472 
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