? 2022年4月20日,中國蘇州訊?—— 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布,將持續(xù)供應(yīng)DDR3產(chǎn)品,為客戶帶來超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:032554 時鐘接口有兩個時鐘給DDR3控制器,一個時鐘是DDR3控制器的工作時鐘,一個是給DDR3的I/O接口。DDR3控制器的時鐘不可超過DSP的1/2,I/O接口的時鐘是DDR3的內(nèi)存時鐘。2.2. 信號
2018-01-18 22:04:33
嗨,我是FPGA領(lǐng)域的新手。現(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是,在我的情況下,我不必
2019-05-05 15:29:38
? ?在調(diào)試335x的DDR3時,用的是CCS,非操作系統(tǒng)調(diào)試。
? ?按TI給的AM335x——StarterKit.gel,這個文件導(dǎo)入到CCS,debug的時候,DDR3可以驅(qū)動,讀寫正常。按
2018-06-21 10:59:20
附件為DDR3走線主要的規(guī)則介紹,有興趣的朋友可以下載看看,老手就不用了~
2019-03-08 20:37:44
DDR3不是GDDR3 細說GDDR3顯存認識誤區(qū) 最近看到很多關(guān)于顯卡顯存規(guī)格的文章.很多的文章和說明都將顯卡的顯存GDDR3與DDR3規(guī)格認為是一種顯存規(guī)格,而且很多人的理解是GDDR3就是
2011-02-23 15:27:51
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
對電路設(shè)計的優(yōu)化包括降低信號反射、過沖,確定匹配電阻的大小、走線阻抗等,通過對無源器件的各種配置分析選取出最適合的參數(shù)配置?! D1時鐘線的拓撲結(jié)構(gòu)(點擊查看大圖) ?。?)DDR3總線的差分時鐘分析
2014-12-15 14:17:46
通過DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過命名怎樣算出內(nèi)存的大小?
2017-06-15 21:19:11
HI,我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb,由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps,因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
各位朋友有沒有遇到過DDR3 Vref 信號上100nF濾波電容失效的情況?我們板子用到了2顆DDR3芯片,VREFCA和VREFDQ管腳各自通過兩個10K電阻分壓得到0.76V。主芯片上還有一個MEM_VREF管腳也是通過兩個1K電阻分壓得到0.76V。
2019-02-19 10:41:35
DDR3(double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory)是應(yīng)用在計算機及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
共享交流一下,DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
這篇帖子跟大家一起來討論下DDR3布線的那些事:DDR3的設(shè)計有著嚴格等長要求,歸結(jié)起來分為兩類(以64位的DDR3為例): 數(shù)據(jù) (DQ,DQS,DQM):組內(nèi)等長,誤差控制在20MIL以內(nèi),組間
2016-10-28 10:25:21
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3,也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話,DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號是通過沿采樣的嗎,電平采樣不行?無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
)GROUP F 中 CLK、CLKn 差分對的線長誤差控制在 5mil 以內(nèi);CLK/CLKn 不能短于任意一組 DATA/DM/DQS。3.走線規(guī)則1)DDR3 的信號走線必須有完整參考面,以保證
2019-09-20 09:05:04
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好!關(guān)于DDR3,之前有小結(jié)過如果進行DDR3的SW leveling和進行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時,如果進行DDR3的問題定位,現(xiàn)小結(jié)一下,附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題,可在樓下跟帖討論。謝謝!
2018-06-21 04:01:01
DDR 走線,可以借鑒!
2020-09-15 19:03:17
有些方案的DDR布線要求是不要走蛇形線,請問下這是為什么要這樣要求? 走蛇形線有什么影響嗎? 謝謝!
2022-11-29 11:52:06
[size=14.3999996185303px]我有個ARM的板子,DDR2和NAND的數(shù)據(jù)線是復(fù)用的,這樣PCB走線的時候,除了原來DDR2高速信號走線阻抗和等長以外,還需要特別注意什么嗎。NAND的線長是不是不算入DDR2總的線長中。
2016-10-10 17:09:28
1/ DDR2/ DDR3。DDR4預(yù)計在2015年將成為消費類電子的主要設(shè)計,隨著DDR信號速率的不斷提高,在DDR4設(shè)計中特別是DQ和DQS之間傳輸時延對設(shè)計者提出更高的挑戰(zhàn)。在PCB設(shè)計的時候為了時序
2014-10-21 09:54:56
多大?6:如果空間不足的情況下,地址跟地址的間距最小可以做多少,數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)間距可以做多少?地址可以跟數(shù)據(jù)走同一層嗎?7:以上的等長情況在頻率,控制芯片,ddr顆粒不同的情況下,同樣適用嗎?8:關(guān)于ddr3
2015-01-06 15:34:50
大家好,我剛剛接觸AM3359,板子在DDR3的調(diào)試中,遇到了一個問題,希望得到大家的幫助。
DDR3的參數(shù)設(shè)置中,有兩個參數(shù)很是奇怪,一個是EMIF_SDCFG,這個參數(shù)有沒有辦法在不使用CCS
2018-05-15 05:49:26
我是一名labview FPGA程序員,使用的是NI 7975 fpga模塊,它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會有多少延遲?這是DDR3 DRAM雙端口(同時讀寫操作可能??)???
2020-05-20 14:42:11
大家好!
我剛剛買了TMDSEVM6678L開發(fā)套件,這款套件應(yīng)該有512MB的DDR3 SDRAM,從圖上看,有5塊芯片組成這512MB的DDR3,但是我的板子上DDR3部分只有4塊芯片,請教一下各位是我的板子少了一塊芯片還是這4塊芯片容量比5塊的要大,所以總量還是512MB呢?
謝謝!
2018-06-24 05:29:03
自己畫的6657的板,發(fā)現(xiàn)DDR3初始化有問題,初始化參數(shù)是按照芯片手冊來設(shè)置的,寫數(shù)據(jù)進去會出錯。初步懷疑是DDR3布線問題,請問TI的大神們,6657對DDR3的布線有什么具體的要求嗎?或者是
2018-06-21 05:42:03
兩旁大容量DDR3,是否有建議參考的型號?
開發(fā)板的DDR3是菊花鏈拓撲布線吧,能否用2片DDR3,走類似AM3517這樣的 T形拓撲?
一般來說 DDR3多片,走T行的話, 800MHz以上會有問題。 而菊花鏈更好。
2018-06-21 11:19:34
等長解析(1/2/4片)5、DDR、DDR2、DDR3、DDR4區(qū)別與聯(lián)系6、你問我答10個關(guān)于DDR設(shè)計問題現(xiàn)場答疑`
2018-10-10 11:49:20
我想請教個關(guān)于DSP6446的問題:DSP6446的哪個寄存器的設(shè)置需要根據(jù)DDR2的走線參數(shù)來確定呢?
2013-09-06 09:26:11
(flight-time skew)來降低共同切換噪聲(SSN)。走線擺率可以達到0.8tCK,這個寬度導(dǎo)致無法確定在哪兩個時鐘周期獲取數(shù)據(jù),因此,JEDEC為DDR3定義了校準(zhǔn)功能,它可以使控制器
2019-04-22 07:00:08
各位大蝦,我想設(shè)計一個檢測FPGA的外掛DDR3硬件是否有問題的程序。目前先做初級階段工作,主要實現(xiàn)以下幾點:1、檢測DDR3數(shù)據(jù)線DQ是否有錯連和漏連(虛焊)的情況,如有找到對應(yīng)的錯誤處;2
2013-04-12 13:00:45
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計。Gowin DDR3 參考設(shè)計可在高云官網(wǎng)下載,參考設(shè)計可用于仿真,實例化加插用戶設(shè)計后的總綜合,總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
管理員,發(fā)一份關(guān)于K2 ddr3 initialization文檔吧····我只找到了關(guān)于k1的
2018-06-21 17:16:04
大家好,請問:在PADS 2007中,已經(jīng)對DDR3的數(shù)據(jù)線,地址線,及控制線做了分組設(shè)置, 現(xiàn)在要走線了,發(fā)現(xiàn)好難控制啊,應(yīng)該如何走線???謝謝!
2013-07-03 09:19:02
我做硬件設(shè)計時,參照官方下載的原理圖evm816x_Schematics_RevD,我發(fā)現(xiàn)DDR0的接線方式如下數(shù)據(jù)線DDR0_D5連接的是DDR3的MEM00_D5,DDR0_D0連接
2020-04-16 08:38:17
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
`各位大俠好,小弟最近在走一個DDR3的布線,數(shù)據(jù)線等長做到了+/-5mil,可地址線和控制線由于空間不夠,只能做到+/-200mil,這樣布線有問題嗎?設(shè)計的板子是4層板,中間兩層是電源
2015-06-22 20:59:24
DDR3的IP核配置完畢后,產(chǎn)生了好多文件,請問如何調(diào)用這些文件實現(xiàn)DDR3的讀寫呢?看了一些文章,說是要等到local_init_done為高電平后,才能進行讀寫操作。請問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
看完保證你會做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
是信號完整性方面的配置,主要是一些信號線的阻抗設(shè)置,這個要咨詢硬件工程師,這里我們直接使用NXP的默認設(shè)置即可。 關(guān)于DDR3的配置我們就講解到這里,如果是EMMC核心板(DDR3型號為
2019-12-28 16:00:43
SDRAM 相連的是BANK35 的 IO,DDR3 的硬件設(shè)計需要嚴格考慮信號完整性,我們在電路設(shè)計和 PCB設(shè)計的時候已經(jīng)充分考慮了匹配電阻/終端電阻,走線阻抗控制,走線等長控制,保證DDR3 高速
2021-07-30 11:23:45
匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗,電阻值可能需要做出不同的選擇,通常其電阻值在30-70 Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100 Ohms。3. 互聯(lián)通路拓撲對于DDR2和DDR3,其中信號
2019-07-30 07:00:00
嗨,我正在設(shè)計一個定制FPGA板&我將使用帶有Kintex(XC7K160T-2FFG676C)FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx& amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
(CPU或FPGA)不停的發(fā)送不同時延的DQS 信號,DDR3 SDRAM 顆粒在DQS-DQS#的上升沿采樣CK 的狀態(tài),并通過DQ 線反饋給DDR3 控制器??刂破鞫朔磸?fù)的調(diào)整DQS-DQS#的延時
2022-12-16 17:01:46
并不會注意一些數(shù)字上的差異,如DDR3和DDr2,或許大多數(shù)人都會追求時髦選擇DDR3,但是你真的了解DDR2與DDR3的區(qū)別嗎?作為消費者,其實我們可主宰自己的命運,用知識的武器捍衛(wèi)自己的選擇。下面
2011-12-13 11:29:47
。DDR3 SDRAM在降低系統(tǒng)功耗的同時提高了系統(tǒng)性能,其利用“FlyBy”和動態(tài)片上匹配技術(shù)對于信號完整性的改善效果明顯[5]。本文基于Xilinx的MIG_v1.91 IP核進行了DDR3 SDRAM
2018-08-02 09:34:58
Xilinx Virtex-6系列FPGA中使用MIG3.7 IP核實現(xiàn)高速率DDR3芯片控制的設(shè)計思想和設(shè)計方案。針對高速實時數(shù)字信號處理中大容量采樣數(shù)據(jù)通過DDR3存儲和讀取的應(yīng)用背景,設(shè)計和實現(xiàn)了
2018-08-30 09:59:01
本手冊以 DDR3 器件為例講解硬件設(shè)計方法,包括 FPGA I/O 分配、原理圖設(shè)計、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計、PCB 走線、參考平面設(shè)計、仿真等,旨在協(xié)助用戶快速完成信號完整性好、低功耗、低噪聲的高速存儲
2022-09-29 06:15:25
基于Xilinx MIS IP的DDR3讀寫User Interface解析特權(quán)同學(xué),版權(quán)所有,轉(zhuǎn)載請注明出處參考文檔:ug586_7Series_MIS.pdf1. Command時序首先,關(guān)于
2016-10-13 15:18:27
現(xiàn)在因為項目需要,要用DDR3來實現(xiàn)一個4入4出的vedio frame buffer。因為片子使用的是lattice的,參考設(shè)計什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實現(xiàn)這個vedio
2015-08-27 14:47:57
大家好,我在DDR3規(guī)格中發(fā)現(xiàn)JEDEC79-3E定義VOH(DC)是DC輸出高測量級別(用于IV曲線線性)。但是沒有關(guān)于如何測量高輸出直流輸出的指南,特別是當(dāng)信號在高電壓時有環(huán)時,請參見附圖。誰能
2019-04-17 13:59:13
一張表總結(jié)常規(guī)DDR3的走線設(shè)計
2021-03-03 08:00:13
模擬DDR3的地址信號與時鐘信號
2021-03-02 08:12:10
各位大神好,小弟在設(shè)計的FPGA模塊中需要加入一個
DDR3作為緩存,但是不是特別了解
DDR3的輸入輸出
信號(包括
信號類型、位寬以及功能),哪位大神對這個比較了解,最好能分享下相關(guān)資料,謝謝了,急用?。。。。。?/div>
2014-10-21 17:46:09
FPGA出來的信號到DDR3有800M的速度,對信號的相位偏移要求很高。請問在做Layout設(shè)計時,有沒有固定的模式(設(shè)計方法、參數(shù))可以保證DDR3信號的相位偏移在時間t內(nèi)。比如要求走線平行,寬度
2016-06-14 12:31:37
DDR3的數(shù)據(jù)線等長是怎么設(shè)置長度的
2019-07-17 04:47:35
兩片DDR3走fly by拓撲是否一定要8層板?最近要畫一個FPGA帶DDR3的,800Mhz,想了解一下
2019-03-01 07:35:22
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:34 編輯
各位專家好!剛剛學(xué)習(xí)DSP,還沒有入門。實驗室購買了TMS320C6678開發(fā)板。請問:1、為什么DSP需要外接DDR3?2
2018-06-20 00:40:57
針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計
2012-12-29 19:12:39
設(shè)計為較高的阻抗,經(jīng)過負載電容的平均后,負載部分的走線才會和主線段阻抗保持一致,從而達到阻抗連續(xù),降低反射的效果。 在實際中的一個DDR3設(shè)計案例,來分析對比采用高阻抗負載走線和采用主線和負載走線同阻抗
2015-11-16 16:04:19
Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114257 本文章主要涉及到對 DDR2 和DDR3 在設(shè)計印制線路板(PCB)時,考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項,這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB 層數(shù),特別是4 層板
2011-07-12 17:31:100 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計
2016-02-23 11:37:230 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計,要認證看
2016-12-16 21:23:410 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變:
2017-11-08 15:42:2330895 針對采用DDR3接口來設(shè)計的新一代閃存固態(tài)盤(SSD)需要完成與內(nèi)存控制器進行通信與交互的特點,提出了基于現(xiàn)場可編程門陣列( FPGA)的DDR3協(xié)議解析邏輯方案。首先,介紹了DDR3內(nèi)存工作原理
2017-12-05 09:34:4410 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了:一、DDR的布線分析與設(shè)計,二、DDR電路的信號完整性,三、DDR Layout Guide,四、DDR設(shè)計建議,六、DDR design checklist,七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試例程,Vivado也提供了一個DDR的example,但卻是純Verilog代碼,比較復(fù)雜,這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下,用很簡單的程序就可以進行DDR3的測試。
2021-05-02 09:05:002979 《信號與系統(tǒng) 第3版》習(xí)題解析
2022-03-21 15:06:190 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。所謂同步,是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對應(yīng)的時延差異較大,必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38313 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003905
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