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表12 日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法

第一部分		第二部分		第三部分		第四部分		第五部分
用數(shù)字表示類型或有效電極數(shù)		S表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIAJ）的注冊(cè)產(chǎn)品		用字母表示器件的極性及類型		用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)		用字母表示對(duì)原來型號(hào) 的改進(jìn)產(chǎn)品
符號(hào)	? 意義	符號(hào)	? 意義	符號(hào)	? 意義	符號(hào)	? 意義	符號(hào)	? 意義
? ? 0		? ? S		A		? ? 四位以上的數(shù)字		ABCDEFLL
				B
				C
				D
1				F
? ? 2				G
				H
				J
				K
? 3 LL				M

? ? n-1

?日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法有如下特點(diǎn)：
1) 型號(hào)中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。
2) 第二部分均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品，而不表示材料和極性。
3) 第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會(huì)（EIAJ）注冊(cè)登記的順序號(hào)，并不反映器件的性能，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號(hào)能反映產(chǎn)品時(shí)間的先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
5) 第六、七兩部分的符號(hào)和意義各公司不完全相同。
6) 日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標(biāo)記的型號(hào)，常采用簡(jiǎn)化標(biāo)記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡(jiǎn)化為D764，2SC502A簡(jiǎn)化為C502A。
7) 在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當(dāng)高頻管用。
8) 日本通常把Pcm?1W的管子，稱做大功率管。

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命名(9916) 命名(9916)

評(píng)論

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半導(dǎo)體最初計(jì)劃在云中為每個(gè)STM10器件提供32塊電路板，后續(xù)還會(huì)有更多電路板（來源：意法半導(dǎo)體）優(yōu)化代碼STM32Cube工具箱中的工具.AI包括圖形優(yōu)化器，它可以轉(zhuǎn)換微控制器的TensorFlow

2023-02-14 11:55:49

意法半導(dǎo)體第 21 年發(fā)布可持續(xù)發(fā)展報(bào)告

`中國(guó)，5月28日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡(jiǎn)稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發(fā)布了2018 年可持續(xù)發(fā)展

2018-05-29 10:32:58

意法半導(dǎo)體（ST）簡(jiǎn)化顯示模塊設(shè)計(jì)

　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為

2011-11-24 14:57:16

新冠病毒對(duì)世界半導(dǎo)體影響

新冠病毒對(duì)世界半導(dǎo)體影響全球疫情還在蔓延，根據(jù)2020年2月27日的疫情統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，韓國(guó)累計(jì)確診感染者達(dá)到1595人，日本感染者達(dá)894人。一衣帶水的日韓疫情兇猛，也牽動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的脈搏，因?yàn)?/div>

2020-02-27 10:45:14

求購ML7345C日本藍(lán)碧石半導(dǎo)體，量大價(jià)格是多少，這么聯(lián)系

求購ML7345C日本藍(lán)碧石半導(dǎo)體，量大價(jià)格是多少，這么聯(lián)系

2016-06-28 08:11:30

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體

2019-06-13 04:20:24

深圳意法半導(dǎo)體招聘molding工程師

大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年

2012-02-15 11:42:53

用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案

意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率

2023-09-08 06:33:00

電力半導(dǎo)體器件有哪些分類？

電力半導(dǎo)體器件的分類

2019-09-19 09:01:01

講一下意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞

意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答

2021-12-15 07:31:43

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類

2019-06-27 06:18:41

長(zhǎng)期高級(jí)群：94046358半導(dǎo)體器件，歡迎加入！

本人半導(dǎo)體行業(yè)多年，因長(zhǎng)期開會(huì)員，故建一高級(jí)群：94046358半導(dǎo)體器件，歡迎各位加入！

2009-11-18 15:43:56

半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法

半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法一．國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名1．型號(hào)由五個(gè)部分組成第一部分；用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的電極數(shù)目第二部分；用漢語拼音字母表示器件的材

2008-09-30 19:16:50

半導(dǎo)體器件測(cè)試-IGBT器件全參數(shù)測(cè)試-電子元件

半導(dǎo)體器件試驗(yàn)?法l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevicesl GB/T29332半

2024-01-29 22:00:42

半導(dǎo)體型號(hào)命名方法

　　一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

2006-04-17 20:47:46

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半導(dǎo)體器件

一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分

2006-06-30 13:01:22

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半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名法

半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名法 半導(dǎo)體集成電路的型號(hào)由5部分組成，各部分的符號(hào)及意義見附表1-16?！? 附表1-16 半導(dǎo)體集成電路型號(hào)

2007-12-19 15:45:08

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國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件命名

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件命名 1．國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)由五個(gè)部分組成第一部分；用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的電極數(shù)目

2008-09-30 19:19:50

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常用進(jìn)口半導(dǎo)體器件型號(hào)命名

常用進(jìn)口半導(dǎo)體器件型號(hào)命名表 2 進(jìn)口

2008-09-30 20:05:41

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半導(dǎo)體分立器件的命名方法

半導(dǎo)體分立器件的命名方法表9 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法

2008-12-19 01:17:30

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我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名方法

我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名法表9 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法

2008-12-19 01:18:21

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國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名方法

國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名法表10 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法

2008-12-19 01:19:04

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美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法表11 美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法

2008-12-19 01:19:49

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電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）——半導(dǎo)體器件

電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）——半導(dǎo)體器件　　一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法　　半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管

2009-11-12 17:21:55

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各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹

各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、

2009-11-28 09:42:37

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歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法

歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件

2009-12-03 13:47:29

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中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法

中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五

2010-01-15 14:52:17

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美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： &nbs

2010-01-16 10:11:14

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中國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)的命名方法

中國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)的命名方法中國(guó)晶體管和其他半導(dǎo)體器件的型號(hào),通常由以下五部分組成:第一部分:用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的有效電極數(shù)

2010-02-05 09:54:26

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日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下： &nbs

2010-02-06 14:36:46

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半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類

半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類 半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品

2010-03-01 17:25:02

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半導(dǎo)體三極管的型號(hào)和命名方法

半導(dǎo)體三極管的型號(hào)和命名方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下

2010-03-06 10:11:47

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半導(dǎo)體的簡(jiǎn)單知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

一.中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件.半導(dǎo)體特殊器件.復(fù)合管.PIN型管.激光器件的型號(hào)命名只有第三.四.五部分)組成。五個(gè)部分意義如下: 第一部分:用數(shù)

2011-10-31 16:19:39

日本制成耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件

　日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年

2012-11-15 11:42:52

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常用半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)

常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件

2015-11-13 15:47:24

如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志

本文首先介紹了美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法，其次介紹了如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志，具體的跟隨小編一起來了解一下。

2018-05-31 13:03:25

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半導(dǎo)體光電器件有哪些

半導(dǎo)體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來，使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。即利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)（或熱電效應(yīng)）制成的器件。光電器件主要有，利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件，利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。

2019-01-09 15:06:16

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日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為什么會(huì)沒落

到了2018年，世界前10大半導(dǎo)體企業(yè)中，已看不到日本企業(yè)的身影。

2019-02-23 10:42:38

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日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為什么會(huì)衰退

日本《鉆石》周刊6月8日刊登了日本早稻田大學(xué)商務(wù)金融研究中心顧問野口悠紀(jì)雄的一篇文章，題為《日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退的根本原因是什么？》。普遍認(rèn)為，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退的原因在于技術(shù)流出和投資決策失誤，但作者則認(rèn)為關(guān)鍵不在于此?，F(xiàn)將文章摘編如下：

2019-06-14 16:42:13

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日本半導(dǎo)體制裁韓國(guó)事件刷屏而日本，正是半導(dǎo)體材料和設(shè)備的強(qiáng)國(guó)

日本半導(dǎo)體制裁韓國(guó)事件刷屏半導(dǎo)體圈?。ㄈ蚩只?！日本半導(dǎo)體 封殺韓國(guó)?。?/div>

2019-07-08 14:38:56

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半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法和半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義說明

一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：第一部分：用數(shù)字

2019-10-04 09:25:00

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日本半導(dǎo)體是如何跌落神壇的

以史為鑒，看看日本跌下了半導(dǎo)體的神壇，就明白為何現(xiàn)在米國(guó)制裁中國(guó)的半導(dǎo)體芯片

2023-03-02 11:17:46

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淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。

2023-10-18 11:16:21

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日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法

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