今年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品所青睞的存儲(chǔ)解決方案。甚至在NOR市場內(nèi)部，兩種NOR也在自相殘殺。由于串行外圍接口（SPI） NOR的設(shè)計(jì)相對(duì)簡單，而且制造成本較低，所以正在奪取并行NOR的市場份額。
2013-04-10 16:15:51
2664 存儲(chǔ)器，NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命，因此適合用來存儲(chǔ)代碼；NAND 的優(yōu)勢在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問性能。
2024-02-19 11:45:24643 
5G到底是什么？為什么引得一眾通訊巨頭相繼搶占先機(jī)？在這里，將用一組圖帶您梳理一下5G的發(fā)展史。在視頻、游戲霸屏移動(dòng)端的今天，4G已不能滿足龐大的流量需求。4G即將成為明日黃花，5G即將接棒流量市場
2020-12-24 06:25:54
[ZZ]EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
5G相關(guān)應(yīng)用等的大舉發(fā)力，5G基站中NOR FLASH占盡優(yōu)勢，而相關(guān)配套產(chǎn)品和生態(tài)產(chǎn)品中，NAND FLASH又頻繁亮相。二者之間雖然在部分領(lǐng)域此消彼長，但是，在譬如電視機(jī)機(jī)頂盒領(lǐng)域，仍然是親密無間
2020-11-19 09:09:58
1、NAND Flash 和 NOR Flash區(qū)別2、串行通信的優(yōu)點(diǎn)3、三、五級(jí)流水線4、LDMIA R0! , {R1-R4}的尋址方式5、大小端存儲(chǔ)6、合法立即數(shù)7、STMDB R10
2021-07-16 07:23:16
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦寫次數(shù)是NOR 的十倍；NAND 的擦除和寫入速度比NOR 快，讀取速度比NOR 稍慢；1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
NAND和NOR flash的區(qū)別
2012-08-09 14:17:12
Flash的原理是什么？Flash主要有哪幾種？NOR Flash與NAND Flash有何不同？
2021-10-22 08:47:25
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁來讀取，同樣按塊擦除。對(duì)比：由于NAND flash數(shù)據(jù)線引腳和地址線引腳復(fù)用，因此讀取速度比NOR flash慢，但是擦除和寫 入 速度比NOR flash快很多。NAND flash數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的
2022-01-26 06:36:43
由于項(xiàng)目需要大量的圖片字庫還有音頻文件，所以外掛了NOR flash和NAND flash，需要用到燒寫算法STLDR（就是包含幾段在SRAM里面運(yùn)行的代碼），調(diào)試的時(shí)候遇到了幾個(gè)問題，都是大意造成
2022-01-26 07:17:14
（NOR Flash與NAND Flash連接線）：NOR Flash與主控芯片的連接線分為數(shù)據(jù)線和地址線，所以可以隨時(shí)訪問任意地址。而NAND Flash與主控芯片的連接線只有一種，所以此線是復(fù)用...
2021-07-22 09:26:53
韋老師講NOR啟動(dòng)、NAND啟動(dòng)時(shí)，NOR啟動(dòng)，nor地位0，SRAM為0x4000,0000，SDRAM 0x3000,0000 這些數(shù)據(jù)是什么意思，這些地址是怎么來的？比如說我以后用的不是
2019-05-06 09:21:48
無法從NAND直接啟動(dòng)。除非裝載完程序，才能使用NAND Flash.2)性能區(qū)別NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 NAND
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
使用角度來看，NOR閃存與NAND閃存是各有特點(diǎn)的：（1）NOR的存儲(chǔ)密度低，所以存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)的成本也較高，而NAND閃存的存儲(chǔ)密度和存儲(chǔ)容量均比較高；（2）NAND型閃存在擦、寫文件（特別是連續(xù)
2013-04-02 23:02:03
芯片型號(hào)有關(guān)系。 從使用角度來看，NOR閃存與NAND閃存是各有特點(diǎn)的：（1）NOR的存儲(chǔ)密度低，所以存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)的成本也較高，而NAND閃存的存儲(chǔ)密度和存儲(chǔ)容量均比較高；（2）NAND型閃存在擦、寫
2014-04-23 18:24:52
: S3C2400A芯片問題發(fā)生描述:視頻中老師講到Nor啟動(dòng)還有Nand啟動(dòng)，涉及到的SRAM地址是不一樣的，Nor啟動(dòng)和Nand啟動(dòng)指定的SRAM是同一塊嗎？若是同一塊，為什么SRAM的地址會(huì)變，不是固定的嗎？ 是因?yàn)槠瑑?nèi)SRAM接的地址總線隨著Nor或者Nand啟動(dòng)，發(fā)生變化了，所以SRAM的地址不同嗎？
2019-04-09 07:45:01
。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR 和NAND
2018-08-09 10:37:07
各位專家好！我在做C6678的 NAND&NOR boot ，根據(jù)說明燒寫完eeprom IBL和NOR、NAND flash代碼后，選擇NAND Boot:Set the dip
2018-08-06 06:37:35
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，做為存儲(chǔ)設(shè)備的NOR flash和NAND flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置與IC的管腳中。但是由于不同容量
2018-08-07 17:01:06
Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同，可以分為哪幾種？Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別？SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里？
2021-06-18 08:46:32
Flash是隨機(jī)按字節(jié)讀取數(shù)據(jù)，NAND FLASH是按塊進(jìn)行讀取。大容量下NAND FLASH比NOR Flash成本要低很多，體積也更?。唬ㄗⅲ?b class="flag-6" style="color: red">NOR Flash和NAND FLASH的擦除都是按
2022-07-01 10:28:37
如題，本人想玩下STM32對(duì)NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問，來熟悉這些器件的應(yīng)用，不知這里有哪位大俠用STM32玩過這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
這個(gè)我將u-boot移植到nand 啟動(dòng)，發(fā)現(xiàn)查看不到nor flash， 貌似從nand 和nor啟動(dòng)u-boot的nor地址不一樣，從nor啟動(dòng)是0x00000000,從nand啟動(dòng)不知道nor
2014-12-08 19:18:22
nuc980程序是放在spi nor或者nand上的！請(qǐng)問是否有加密的辦法？有什么方案？
2023-06-13 07:50:27
nuc980程序是放在spi nor或者nand上的，請(qǐng)問是否有加密的辦法？有什么方案？
2023-09-04 08:12:38
我用OFLASH可以燒nand flash ，但是不能燒nor flash 內(nèi)存，是不是NOR FLASH壞了
2019-09-25 05:45:09
什么是SLC NAND？它有什么特點(diǎn)嗎？和SPI NOR FLASH相比，SLC NAND有什么優(yōu)勢？
2021-06-18 07:26:48
為啥使用nor flash 中UBOOT下載代碼到nand flash中，nor flash中的uboot 也被清除了??？
2019-03-21 07:45:08
Utilities--->Filesystem---><*> e2fsprogs //選中Tina 一般支持nor, nand, mmc 三種介質(zhì)。更具
2022-10-14 10:51:32
隨著蘋果?和谷歌?在最新款智能手機(jī)中去除耳機(jī)插孔、轉(zhuǎn)而使用無線耳塞式耳機(jī)，可以說，有線音頻連接很快會(huì)成為明日黃花。這些消費(fèi)電子巨頭和率先的創(chuàng)業(yè)公司都力爭開發(fā)出“真正的無線”耳機(jī)，他們將要面臨的主要
2019-08-13 06:15:58
網(wǎng)盤中007_clk_010_002文件夾下的bin文件，切換NAND啟動(dòng)和NOR啟動(dòng)，發(fā)現(xiàn)LED閃爍的速度明顯不同，不知道這是什么原因引起的？輸出的錯(cuò)誤信息:
2019-04-12 07:02:15
作者：Mark Melvin，安森美半導(dǎo)體隨著蘋果?和谷歌?在最新款智能手機(jī)中去除耳機(jī)插孔、轉(zhuǎn)而使用無線耳塞式耳機(jī)，可以說，有線音頻連接很快會(huì)成為明日黃花。這些消費(fèi)電子巨頭和率先的創(chuàng)業(yè)公司都力爭開發(fā)
2019-07-24 06:11:59
NAND 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的I/O 端口只有8 個(gè)，比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè)I/O 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得
2018-06-14 14:34:31
第8課第010節(jié)完善LED 程序中我使用老師的源碼 ，怎么nand 和nor 的結(jié)果是不一樣？如果是nand 啟動(dòng) 三個(gè)LED能夠一個(gè)個(gè)的點(diǎn)亮這是是正確的，但是如果是nor 啟動(dòng)，出來的盡然是LCD
2019-04-18 06:26:29
揭開iPad2成本優(yōu)勢的秘密 北京時(shí)間3月3日凌晨，蘋果公司最新的平板電腦產(chǎn)品iPad2，如期在美國舊金山發(fā)布。以目前掌握的信息看，與上一代產(chǎn)品相比，iPad2在性能上有顯著的提升，而售價(jià)仍與前一代
2011-03-05 21:44:30
，否則速率很慢；燒寫Nand Flash只是從理論上能夠達(dá)到，但是還沒有人直接實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)。本文使用一個(gè)間接的方法來實(shí)現(xiàn)對(duì)S3C2410、S3C2440開發(fā)板的Nor、Nand Flash的燒寫。原理為
2009-03-27 09:51:32
（GUI）、視頻緩存、協(xié)議棧等等。 那傳統(tǒng)的E2PROM和NOR Flash就不夠用了。這個(gè)時(shí)候MCU可能就需要用到NAND Flash了?！ 〉玀CU采用NAND Flash，面臨著新的挑戰(zhàn)： 1
2019-10-10 16:55:02
我正在學(xué)習(xí)韋老師的1期加強(qiáng)版linux,在學(xué)到初始化clk時(shí)，發(fā)現(xiàn)把clk設(shè)置成FCLK=400M，HCLK=100,PCLK=50M后，依次點(diǎn)燈程式為什么在Nor上工作不了，可在NAND的上可以
2019-05-08 07:04:45
在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度
2022-06-16 17:22:00
區(qū)別呢？本文將闡述。 Nand Flash和 Nor Flash存儲(chǔ)器簡介（1）Nand Flash存儲(chǔ)器簡介 1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能
2023-02-17 14:06:29
在LED和按鍵實(shí)驗(yàn)中，燒寫程序一再強(qiáng)調(diào)燒寫到Nand Flash中。我把相應(yīng)的led_key.bin燒寫到Nor Flash中，發(fā)現(xiàn)按鍵按下燈沒有亮。導(dǎo)致這種現(xiàn)象的原因是什么？或者說Nor
2019-04-17 04:30:54
Andy 你好，我想通過EMIF實(shí)現(xiàn)boot , 手冊(cè)里兩種選擇，一種是通過NAND flash， 另一種是通過 NOR flash。看論壇里大家都是采用外接NOR flash 實(shí)現(xiàn)的。NOR
2018-12-24 14:28:33
請(qǐng)問nand flash和nor flash有什么不同？
2020-11-05 08:03:50
請(qǐng)問F2812內(nèi)部的flash是nor flash還是NAND flash？NOR Flash的數(shù)據(jù)寫入的速度是多少，寫1M數(shù)據(jù)要多少時(shí)間？再就是如果外擴(kuò)flash的話，選擇nor flash 還是nand flash好一些呢?
2018-11-14 10:55:47
請(qǐng)問 1、用哪種FLASH好；2、如果NOR FLASH啟動(dòng)，PIN.T28 GPMC_CS0接NOR FLASH, 那么 NAND FLASH 用PIN.P25 GPMC_CS4可以嗎？3、如果
2018-08-13 06:57:03
請(qǐng)問一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實(shí)就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
nand flash 和 nor flash默認(rèn)是1？
2019-05-07 06:40:45
HMC722LC3C是一個(gè)AND/NAND/OR/NOR功能，旨在支持最高13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率和高達(dá)13 GHz的時(shí)鐘頻率。 HMC772LC3C可輕松配置為提供以下任何邏輯功能
2023-11-06 21:57:24
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，
2010-07-15 11:38:41
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了
2006-04-17 20:48:523069 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢明顯，NOR風(fēng)光不再
市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同
2009-11-18 16:36:031184 
鎳氫動(dòng)力電池值當(dāng)年還是明日黃花
工信部發(fā)布《新能源汽車生產(chǎn)企業(yè)及產(chǎn)品準(zhǔn)入管理規(guī)則》，根據(jù)新能源汽車整車、系統(tǒng)及關(guān)鍵
2009-11-20 11:25:31658 CES成電子閱讀器秀場 分析師憂成明日黃花
導(dǎo)語：國外媒體近日撰文指出，盡管在美國拉斯維加斯舉行的2010年國際消費(fèi)
2010-01-12 08:47:27502 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 iPhone在9月12號(hào)就要上市了，手上的iPhone4s就快成為明日黃花了，何況曾經(jīng)的iPhone4，iPhone維修價(jià)格居高不下一直是業(yè)內(nèi)討論的問題，如何將自己手上屏幕有問題的4代進(jìn)行“手術(shù)”，而避免
2012-09-06 10:18:32357455 
松下終于要為等離子產(chǎn)業(yè)的奮斗史畫上一個(gè)句號(hào)了。日前，其在上海的等離子電視組裝廠停工，相關(guān)人員全部離職。有消息稱，松下將于2013年徹底告別等離子產(chǎn)業(yè)，而松下的撤離也將意味著在國內(nèi)興旺了12年的等離子電視行將就木。
2013-01-24 08:51:543379 內(nèi)存SRAM-NOR-NAND資料匯總（附程序及原理圖）
2017-11-29 17:49:5012 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122132 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
2018-09-18 15:10:169544 
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
2018-10-07 15:37:0012471 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
2018-10-07 15:41:0023549 在NOR和NAND閃存中，存儲(chǔ)器被組織成擦除塊。該架構(gòu)有助于在保持性能的同時(shí)保持較低的成本，例如，較小的塊尺寸可以實(shí)現(xiàn)更快的擦除周期。然而，較小塊的缺點(diǎn)是芯片面積和存儲(chǔ)器成本增加。由于每比特成本較低，與NOR閃存相比，NAND閃存可以更經(jīng)濟(jì)高效地支持更小的擦除塊。
2019-08-29 17:26:2912636 
非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長表示，近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn)，看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場開始擴(kuò)大出貨，19納米
2019-11-12 14:16:061465 兆易創(chuàng)新的NOR Flash和SPI NAND Flash在容量、傳輸速度、可靠性、安全性、低功耗及小型化等方面具備創(chuàng)新性的技術(shù)優(yōu)勢。
2020-03-19 18:02:002713 。NAND Flash讀/寫操作采用512或2048字節(jié)的頁。 NOR Flash是并行訪問，Nand Flash是串行訪問，所以相對(duì)來
2020-11-03 16:17:0529749 的逐漸普及，NAND FLASH 市場份額一度擴(kuò)張明顯，而NOR FLASH市場略有收縮。而疫情帶來的影響仍在持續(xù)，平板電腦的銷量仍然呈現(xiàn)持續(xù)增長的態(tài)勢，兩種FLASH都是必不可少的關(guān)鍵配件之一。以及
2020-11-28 11:38:273049 
存儲(chǔ)廠旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2020年表現(xiàn)不錯(cuò)，展望2021年，第1季度可望淡季不淡并維持全線全產(chǎn)能生產(chǎn)，且ROM、NOR Flash、NAND Flash及代工產(chǎn)品線均正向看待
2021-01-29 09:50:391662 NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。而NOR Flash“讀寫速度快、可靠性高、使用壽命長”，多用來存儲(chǔ)少量代碼。
2021-03-23 14:54:0513361 線復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁來讀取，同樣按塊擦除。對(duì)比：由于NAND flash數(shù)據(jù)線引腳和地址線引腳復(fù)用，因此讀取速度比NOR flash慢，但是擦除和寫 入 速度比NOR flash快很多。 NAND flash數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的
2021-12-02 12:21:0630 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，F(xiàn)lash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259809 
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，作為存儲(chǔ)設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:174893 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會(huì)帶來3d nand價(jià)格上漲的效果，從而可能會(huì)改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會(huì)上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:04953 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20736 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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