1. 法拉第未來被曝銷量造假,賈躍亭回應(yīng):誹謗
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近日市場消息,法拉第未來(Faraday Future)被兩名前員工舉報稱,迄今為止的銷量數(shù)據(jù)存在造假,而且法拉第未來還存在通過人力資源部門報復(fù)舉報人的行為。據(jù)披露,目前舉報法拉第未來銷量不實的人員為前銷售和售后總監(jiān)約瑟·格雷羅(Jose Guerrero)、前市場項目經(jīng)理維多利亞·謝(Victoria Xie),他們在兩起訴訟中指控法拉第未來、賈躍亭以及人力資源主管楊楠存在非法解雇、違約和精神傷害行為。
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關(guān)于銷量造假問題,兩名前員工舉報稱,法拉第未來在車輛未完成銷售即官宣交付,實際上有三輛車未獲全額付款,另有一輛延遲60多天才付款,法拉第未來此舉是為了抬高股價。維多利亞·謝同時稱,她舉報兩天后即遭解雇。針對被舉報一事,賈躍亭回應(yīng)稱,“我認為該訴狀中存在大量的虛假陳述和誹謗,目的是陰謀報復(fù)和敲詐勒索,我將會對這兩人提起反訴!”
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2. 恩智浦發(fā)布S32N55處理器,率先實現(xiàn)汽車中央實時控制的超高集成度
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2024年4月10日,恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布S32N55處理器, S32N系列超高集成度車載處理器家族的首位成員。
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S32N55作為最近發(fā)布的S32 CoreRide中央計算解決方案的核心,可提供安全、實時和應(yīng)用處理的可擴展組合,滿足汽車制造商的多樣化中央計算需求。S32N55處理器在安全、集中、實時汽車控制方面表現(xiàn)出色,實現(xiàn)這種控制需要高性能、確定性計算能力來支持最高級別的功能安全。通過軟件定義的硬件強制隔離,S32N55可以承載數(shù)十種具有不同重要性級別的汽車功能,同時避免不同功能間的干擾。
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3. 三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品,采用混合鍵合技術(shù)
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三星電子表示,已經(jīng)研發(fā)制造出16層堆疊的高帶寬存儲(HBM)的樣品。三星副總裁Kim Dae-woo表示,三星采用混合鍵合技術(shù)制造了該芯片。他表示,雖然16層堆棧HBM距離投入量產(chǎn)還需要一段時間,但證實其運行正常。
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Kim Dae-woo還補充說,該芯片是作為HBM3制造的,但三星計劃在HBM4中使用來提高生產(chǎn)率。消息人士稱,由于對準問題,三星預(yù)計只會對一兩個芯片堆疊組使用混合鍵合,但后來將該技術(shù)應(yīng)用于所有堆疊。該樣品是使用三星晶圓廠設(shè)備子公司Semes的設(shè)備制造的。
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4. Meta推出新款AI芯片 降低對英偉達依賴
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臉書母公司 Meta Platforms (10 日)推出新款自研芯片“Meta 訓練和推論加速器”幫助驅(qū)動人工智能 (AI) 服務(wù),在臉書和 IG 上對內(nèi)容進行排名和推薦,也減少對英偉達和其他外部公司半導(dǎo)體的依賴。Meta 去年曾發(fā)表第一代 MTIA 產(chǎn)品。
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值得注意的是,新一代 MTIA 將采用臺積電5 納米制程,效能是上一代芯片的 3 倍。該款芯片已布署在資料中心,替 AI 應(yīng)用程式提供服務(wù),目前正在進行幾個專案,擴大 MTIA 的范圍,包括支援生成式 AI 運作。
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5. 消息稱 AMD APU 核顯將長期采用 RDNA3+ 架構(gòu),預(yù)計將持續(xù)到 2027 年
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@金豬升級包 表示,由于三星 Exynos 合作的原因,AMD 無法對 APU 的核顯進行重大架構(gòu)升級,因此只能長期維持在 RDNA3+,預(yù)計將至少持續(xù)到 2027 年。RDNA 3+ 圖形架構(gòu)將首先在接下來的 AMD Zen 5 系列“Strix Point”APU 中采用,至少要等到今年年中才能看到。
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實際上,AMD RDNA 3+ 架構(gòu)已經(jīng)測試了很長一段時間,之前已經(jīng)出現(xiàn)在了 Linux 補丁中,ID 屬于“GFX115X”系列,可以理解為 RDNA 3.5。官方稱,該架構(gòu)將被命名為 RDNA 3+,只是對現(xiàn)有 RDNA 3 系列(應(yīng)用于 Radeon RX 7000 GPU 和 Ryzen 7040/8040 APU)IP 的優(yōu)化。
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6. 比亞迪混動 + 華為 HiCar,賽力斯藍電 E5 榮耀版上市:9.98 萬元起
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賽力斯藍電 E5 榮耀版現(xiàn)已上市,官方指導(dǎo)價 9.98 萬元-11.98 萬元,較上一代車型下調(diào) 4.01 萬元。該系列車型定位中型大七座插混 SUV,全系標配 100 公里純電續(xù)航及 5 項主動安全科技。
性能方面,藍電 E5 榮耀版賽力斯集團 DE-i 超級電驅(qū)智能平臺,搭載弗迪動力 1.5L 高效插混專用發(fā)動機,功率達到 81kW,電動機最大功率為 130kW,系統(tǒng)綜合功率 211kW,系統(tǒng)綜合扭矩 435N.m,WLTC 綜合百公里饋電油耗 5.4L,0-50km/h加速 2.9 秒。
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今日看點丨三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款A(yù)I芯片
- Meta(11178)
- AI芯片(34315)
- 三星(30155)
- HBM3(49)
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2013-10-08 15:48:39
展訊稱三星兩款功能機使用其基帶芯片
北京時間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息,展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布,基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機E1282(GT-E1282T
2012-11-09 15:43:30
收購SAMSUNG(三星)內(nèi)存芯片 回收SANKEN(三肯)功放IC
收購SAMSUNG(三星)內(nèi)存芯片 回收SANKEN(三肯)功放IC 181-2470同上-1558 同步芯片回收: 回收winbond華邦芯片、回收novatek聯(lián)詠芯片、回收himax奇景芯片
2021-07-25 15:36:48
有沒有人使用過三星的flash芯片,問題請教
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊說有Unique ID可以用,但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域,可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
科技產(chǎn)品下一個重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)
手表Apple Watch也就無法做出來,三星最先進的固態(tài)存儲器、來自英偉達和谷歌的人工智能系統(tǒng)和索尼超級快速的新型相機也不例外。這種3D堆疊類似于城市規(guī)劃。沒有它的話,隨著產(chǎn)品需要內(nèi)置更多的零部件,電路板上
2017-11-23 08:51:12
蘋果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!
半導(dǎo)體公司Dialog負責,博通供應(yīng)無線網(wǎng)路芯片,以及NXP負責NFC芯片。關(guān)于最重要的A10芯片,蘋果一改此前雙芯片供應(yīng)商的策略,即由三星和臺積電負責;以去年A9為例,就是分別采用臺積電16nm芯片
2016-07-21 17:07:54
蘋果與三星或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">推出12英寸平板電腦
手表iWatch的供貨商。而三星則本希望與Google加強合作推出平板電腦,但目前已經(jīng)放棄了這個可能,轉(zhuǎn)而投向自主研發(fā)?! 〈蟪叽缙桨逭谑袌鲠j釀,三星和蘋果的加入,勢必會沖擊到筆記本電腦的市場。但是從研發(fā)
2013-10-29 10:18:00
高價回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片
高價回收三星芯片高價回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價收購ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41
高價收購三星DDR3
三星ddr3 :DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15
高價收購三星字庫
回收三星字庫,全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購連接器,收購鉭電容,回收sd卡,收購tf卡?;厥展S庫存ic,大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12
XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
亞信電子推出新款雙端口以太網(wǎng)控制芯片
亞信電子推出新款雙端口以太網(wǎng)控制芯片
亞信電子(ASIX Electronics)近日宣布將針對嵌入式網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用之Embedded Ethernet系列,新增二款以太網(wǎng)控制芯片:AX88742及AX88783,該組件內(nèi)建
2008-08-05 10:42:151229
NEC推出新款車載音響應(yīng)用系統(tǒng)芯片及軟件
NEC推出新款車載音響應(yīng)用系統(tǒng)芯片及軟件日前,NEC電子完成了新款車載音響用系統(tǒng)芯片μPD35502的開發(fā),并將于即日起開始發(fā)售樣片。新產(chǎn)品的主要特征包括:可以輕
2010-04-07 10:20:15910
百度首款AI芯片昆侖完成研發(fā) 將由三星代工生產(chǎn)
今日據(jù)外媒報道,百度和三星宣布,百度首款AI芯片昆侖已經(jīng)完成研發(fā),將由三星代工生產(chǎn)。該芯片使用的是三星14nm工藝技術(shù),封裝解決方案采用的是I-Cube TM。明年年初,昆侖芯片將實現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-12-18 10:55:201399
三星新發(fā)布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt
三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453273
小米將推出新款自研芯片
據(jù)悉,此次小米推出新款澎湃自研芯片,很可能不是一款傳統(tǒng)意義上類似麒麟9000、驍龍888一樣大規(guī)模、集成式的SoC,這一代從官方“小芯片”的描述也能判斷。
2021-03-26 12:49:338479
SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片
韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142070
新思科技推出業(yè)界首個完整HBM3 IP和驗證解決方案,加速多裸晶芯片設(shè)計
HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363130
什么是HBM3 為什么HBM很重要
“慢而寬”的內(nèi)存技術(shù),用于減少芯片外內(nèi)存中的信號傳輸延遲,但現(xiàn)在HBM3正變得越來越快,越來越寬。在某些情況下,甚至被用于L4緩存。 Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示:“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達到更高水平,而且更多設(shè)計可以使用
2021-11-01 14:30:506620
Meta自研RISC-V AI推理芯片
Meta取消了大規(guī)模推出內(nèi)部推理芯片的計劃,并開始著手開發(fā)能夠執(zhí)行訓練和推理的芯片。
2023-05-20 10:03:251532
瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39717
AI加速存儲芯片反轉(zhuǎn) HBM芯片崛起
HBM(High Bandwidth Memory)是一種創(chuàng)新的CPU/GPU內(nèi)存芯片,它通過堆疊多個DDR芯片并與GPU封裝在一起,實現(xiàn)了高容量和高位寬的DDR組合陣列。
2023-07-13 14:53:051131
三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù);傳蘋果悄悄開發(fā)“Apple GPT” 或?qū)⑻魬?zhàn)OpenAI
熱點新聞 1、三星計劃為英偉達AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道,英偉達正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱,這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02420
美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40547
美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新
(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速率超過9.2Gb/s,比當前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:21503
業(yè)界最快、容量最高的HBM?
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07617
SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達提供樣品
該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41556
三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3
有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5140573
Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能
? 中國北京,2023年12月7日—— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP
2023-12-07 11:01:13125
Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06343
Meta計劃今年部署自研定制芯片,以加速AI研發(fā)
Meta公司近日宣布計劃在今年內(nèi)為其數(shù)據(jù)中心部署一款自研定制芯片,以支持其人工智能(AI)的研發(fā)工作。這一舉措旨在提高Meta在AI領(lǐng)域的競爭力,并加速其技術(shù)發(fā)展。
2024-02-03 10:48:23281
Meta將于今年在數(shù)據(jù)中心部署新款定制AI芯片
Meta近日宣布,計劃于2024年在其數(shù)據(jù)中心部署新款內(nèi)部定制的AI芯片。這款芯片將用于支持Meta的人工智能業(yè)務(wù),進一步提升數(shù)據(jù)處理和運算效率。
2024-02-04 10:17:32401
三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00269
三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21394
三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達36
三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜(TC NCF)技術(shù),成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:45433
三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM
三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51182
Meta擬將自研AI芯片交由三星代工
Meta正在積極拓展其AI技術(shù)領(lǐng)域,尋求與新的芯片代工伙伴合作。據(jù)外媒報道,Meta CEO扎克伯格在近期訪問韓國期間,與三星高層深入探討了AI芯片代工合作的可能性。此舉被看作是Meta為減少對臺積電依賴,進一步推動自研AI芯片發(fā)展的重要一步。
2024-03-08 13:55:30182
Meta尋求與三星合作生產(chǎn)AI芯片
該媒體稱,扎克伯格在此次與尹錫悅的會談中,曾提到擔憂公司過度依賴臺積電代工,且臺積電因產(chǎn)能不足而存在一定程度上的不確定性,這可能對Meta未來的供應(yīng)鏈造成影響。據(jù)悉,Meta已經(jīng)向臺積電訂購兩款AI芯片。
2024-03-08 14:09:17165
三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導(dǎo)的芯片封裝工藝
就此,知情人士指出,三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業(yè)分析機構(gòu)表示,考慮到AI行業(yè)對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調(diào)整。
2024-03-13 13:35:19119
英偉達尋求從三星采購HBM芯片
英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04344
三星電子HBM存儲技術(shù)進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09128
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