瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(5)-4

Lab Session 4

在Lab 3的基礎(chǔ)上增加低功耗 (Auto Judgement) 功能

5.5

使用QE for Cap Touch監(jiān)控觸摸底層數(shù)據(jù)以及觸摸行為

5.5.1 按照前文 "2.6運(yùn)行程序" 小節(jié)介紹的方法，在仿真狀態(tài)下全速運(yùn)行程序。

在 "Cap Touch Workflow" 的 "4.monitoring" 中，點(diǎn)擊 "Start Monitoring (Emulator)" 下方的"Show Views"

5.5.2 具體操作大體上可以按照前文 "2.9 使用QE for Cap Touch監(jiān)控觸摸底層數(shù)據(jù)以及觸摸行為" 小節(jié)介紹的方法進(jìn)行。

不同點(diǎn)在于：

? 在低功耗狀態(tài)下，即時(shí)監(jiān)控窗口 "Enbale Monitoring"，也無法使用QE for Cap Touch監(jiān)控觸摸底層數(shù)據(jù)以及觸摸行為。各個(gè)監(jiān)控窗口處于停止?fàn)顟B(tài)，數(shù)據(jù)和波形曲線停止刷新。

? 在 "CapTouch Parameters (QE) View" 中的MEC電極 (Config01) 的參數(shù)項(xiàng)比之前少。

? 在 "e2 studio" 下方 "Console控制臺(tái)" 窗口顯示了MCU當(dāng)前處于低功耗狀態(tài)。

? 在 "e2 studio" 狀態(tài)欄的左下角，顯示了當(dāng)前工程的運(yùn)行狀態(tài)處于 "待機(jī)" 狀態(tài)。

NOTE

在e2 studio左下角的狀態(tài)欄，顯示了當(dāng)前工程的運(yùn)行狀態(tài)，包括以下幾種。

在低功耗時(shí)顯示：

在正常運(yùn)行時(shí)顯示：

在程序暫時(shí)顯示：

5.6

調(diào)試低功耗 (Auto Judgement) 功能運(yùn)行參數(shù)

5.6.1 在這一部分，我們主要關(guān)注以下三部分的參數(shù)調(diào)整：

1. 低功耗工作模式下MEC電極的運(yùn)行參數(shù)

MEC電極的閾值Threshold（為Normal模式下工作時(shí)的50%）

2. 低功耗工作模式下的Auto Judgement自動(dòng)判斷功能的相關(guān)參數(shù)

在 "Lab_session_1" → src → smc_gen→ r_ctsu_qe→ doc→ en文件夾下的應(yīng)用筆記 "r01an4469ej0210-rx.pdf" 中，對(duì) "Auto Judgement" 自動(dòng)判斷功能的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的說明，如下圖所示：

其中主要的控制參數(shù)如下：

Tlot，Non-touch judgment continuous count，與Button的Negative Noise Filter Cycle意義相同

Thot，Touch judgment continuous count，與Button的Positive Noise Filter Cycle意義相同

Ajmmat，Moving average，與Button的Moving Average Filter Depth意義相同

Ajbmat，Baseline average count，與Button的Drift Correction Interval意義相同

3. 其他低功耗工作相關(guān)的參數(shù)

低功耗控制周期，見下圖

低功耗模式下的MEC電極的Sensor驅(qū)動(dòng)脈沖頻率

無按鍵按下時(shí)的等待時(shí)間

5.6.21. 低功耗工作模式下MEC電極的運(yùn)行參數(shù)

MEC電極的閾值Threshold（為Normal模式下工作時(shí)的50%），舉例來說，在 "qe_touch_config.c" 中可以看到MEC電極的閾值Threshold為309。

但是在QE監(jiān)控窗口看到的閾值Threshold為309的50%，為154。

為Normal模式下工作時(shí)的50%的原因如下：

CTUS2為三頻率測(cè)量，三頻率測(cè)量是丟棄一個(gè)異常值，最終兩個(gè)頻率的值求和，因此自動(dòng)調(diào)整過程 (Auto tuning process) 輸出一個(gè)頻率測(cè)量x2的結(jié)果，并反映在Log日志中。使用低功耗 (Auto Judgement) 功能時(shí)的監(jiān)測(cè)只顯示一個(gè)頻率的結(jié)果，因此結(jié)果是日志中顯示的閾值的一半。這是因?yàn)榧词乖跍y(cè)量三個(gè)頻率時(shí)，自動(dòng)判斷版本也不會(huì)組合這些值，而是對(duì)每個(gè)頻率單獨(dú)執(zhí)行觸摸判斷【這個(gè)機(jī)制以后可能會(huì)修改】。

低功耗模式下MEC電極閾值Threshold，建議使用 "CapTouch Parameters (QE) View" 在程序運(yùn)行狀態(tài)下通過 "Touch Threshold" 修改并調(diào)試，然后在 "qe_touch_config.c" 中直接修改。

調(diào)試時(shí)，先通過手指接近MEC電極，使系統(tǒng)自動(dòng)判斷有按鍵動(dòng)作，退出低功耗模式返回Normal模式，然后 "CapTouch Parameters (QE) View" 中修改 "Touch Threshold"，手指再次接近MEC電極觀測(cè)靈敏度變化，由于MEC電極在Normal模式下運(yùn)行的時(shí)間非常短，因此需要反復(fù)調(diào)試以達(dá)到滿意的效果。

5.6.3 將低功耗工作模式下MEC電極的閾值Threshold，調(diào)整為300的示例操作，如下圖所示：

低功耗工作模式下的MEC電極除了在低功耗模式下運(yùn)行外，在Normal模式下的也會(huì)短暫運(yùn)行，因?yàn)樾枰贜ormal模式下進(jìn)行baseline調(diào)整，因此在baseline調(diào)整期間可以通過QE的監(jiān)控窗口調(diào)試和修改閾值Threshold。在Normal模式下的短暫運(yùn)行的時(shí)間，也可以調(diào)整。

審核編輯：劉清