本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計(jì)算過程，供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時(shí)參考！
2022-07-06 18:10:02
1883 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 的散熱方面，針對功率半導(dǎo)體器件在散熱路徑方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行歸納總結(jié)。通過對國內(nèi)外 功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的綜述，梳理了功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過程中在散熱方面的考慮及封裝散熱特點(diǎn)，并根據(jù)功率器 件散熱特點(diǎn)對功率器件封裝結(jié)構(gòu)類型進(jìn)行了分類。
2023-04-18 09:53:235975 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝
2023-09-24 10:42:40391 
近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測，到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場增長機(jī)會在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 盡管自20世紀(jì)70年代以來，與器件相關(guān)的SiC材料研究一直在進(jìn)行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品質(zhì)因素是有抱負(fù)的材料和器件科學(xué)家繼續(xù)推進(jìn)SiC
2023-02-27 13:48:12
可以通過在SiC功率器件上運(yùn)行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應(yīng)力測試來評估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進(jìn)行了壓力測試，具有
2019-07-30 15:15:17
，或者溫度越高，恢復(fù)時(shí)間和恢復(fù)電流就越大，從而損耗也越大。與此相反，SiC-SBD是不使用少數(shù)載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的多數(shù)載流子器件（單極性器件），因此原理上不會發(fā)生少數(shù)載流子積聚的現(xiàn)象。由于只產(chǎn)生使結(jié)電容放電
2019-03-14 06:20:14
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。與Si-MOSFET的區(qū)別：驅(qū)動(dòng)電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET的有效性。所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
和Ag-In瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)進(jìn)行了研究。 實(shí)驗(yàn) 本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的封裝襯底。DBC襯底使用了一個(gè)夾在兩片0.2032mm銅板之間
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關(guān)速度與寄生電容下面通過與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開關(guān)
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
代表，SiC材料、器件已經(jīng)列入國家“十四五”科技規(guī)劃，其具有電壓高、損耗低、耐高溫工作等優(yōu)勢，對于電力電子裝備高效化、小型化具有重要作用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC材料的這些優(yōu)良特性，需要通過封裝來實(shí)現(xiàn)功率和信號高效
2023-02-27 14:22:06
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報(bào)道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測試和環(huán)境試驗(yàn)， 證實(shí)了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實(shí)際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。SiC功率元器件關(guān)于SiC功率元器件，將分以下4部分進(jìn)行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個(gè)方面進(jìn)行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
``首先感謝羅姆公司提供的開發(fā)板試用機(jī)會，本人作為高校學(xué)生，一直從事電源管理方向的研究，想向大功率的方向發(fā)展。SiC作為第三代半導(dǎo)體為功率電子的發(fā)展提供了很大的潛力，現(xiàn)在比較成熟的SiC器件制造廠商
2020-05-19 16:03:51
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過基于半橋級聯(lián)型拓?fù)涞膬δ芟到y(tǒng)，通過電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
的APS系統(tǒng)損耗中，功率器件的損耗大約占50%，而ACL濾波電抗器的損耗大約占30%。圖1APS系統(tǒng)原理圖通過將APS中的傳統(tǒng)功率模塊換成最新的SiC功率模塊，憑借全SiC功率模塊低損耗的特點(diǎn)，可以提高
2017-05-10 11:32:57
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個(gè)SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個(gè)一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過，市場估算，循續(xù)漸進(jìn)采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計(jì)的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開關(guān)損耗降低了75%（芯片溫度150℃時(shí)）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優(yōu)勢–高頻驅(qū)動(dòng)，不僅
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
本文將介紹全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)—緩沖電容器。在高速開關(guān)大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電容器。寄生電感會使開關(guān)
2018-11-27 16:39:33
大功率白光LED封裝從實(shí)際應(yīng)用的角度來看，安裝使用簡單，體積相對較小的大功率LED器件，在大部分的照明應(yīng)用中必將取代傳統(tǒng)的小功率LED器件。小功率的LED組成的照明燈具為了達(dá)到照明的需要，必須集中
2013-06-10 23:11:54
的高性價(jià)比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導(dǎo)通電
2020-07-07 11:42:42
的寄生電感會導(dǎo)致開關(guān)時(shí)的浪涌電壓非常大。要實(shí)現(xiàn)全SiC功率模塊的大電流化，從最大限度地發(fā)揮SiC功率元器件的特點(diǎn)–高速開關(guān)性能的角度出發(fā)，也需要開發(fā)新型封裝，以降低這種寄生電感值，從而抑制浪涌電壓
2018-12-04 10:19:59
電路并使用專門設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以說是非常好的方法。到目前為止，我們已經(jīng)以“全SiC模塊的的應(yīng)用要點(diǎn)”為題，探討了柵極驅(qū)動(dòng)、緩沖電路的效果，本次又對專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了介紹?；谶@些補(bǔ)充型部件/電路
2018-11-27 16:36:43
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類型，有可僅以1個(gè)模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個(gè)模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
的發(fā)展趨勢，對 SiC 器件封裝技術(shù)進(jìn)行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
。但是，SiC器件需要對其關(guān)鍵規(guī)格和驅(qū)動(dòng)要求有新的了解才能充分發(fā)揮其優(yōu)勢。本文概述了EV和HEV的功率要求，解釋了為什么基于SiC的功率器件非常適合此功能，并闡明了其輔助器件驅(qū)動(dòng)器的功能。在簡要討論了
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
，或者溫度越高，恢復(fù)時(shí)間和恢復(fù)電流就越大，從而損耗也越大。與此相反，SiC-SBD是不使用少數(shù)載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的多數(shù)載流子器件（單極性器件），因此原理上不會發(fā)生少數(shù)載流子積聚的現(xiàn)象。由于只產(chǎn)生使結(jié)電容放電
2019-05-07 06:21:51
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢，有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義?！ ?.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
，采用特別是模塑或三維立體封裝技術(shù)，開發(fā)新一代功率模組，如圖6所示。圖6 : 新一代功率模組（here 3D）考量到SiC是一種相對較新的材料，SiC元件的工作溫度和輸出功率高于矽，有必要在專案內(nèi)開發(fā)
2019-06-27 04:20:26
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車的應(yīng)用中具有極大優(yōu)勢。據(jù)悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，能夠極大地提升現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。新能源汽車
2020-08-26 09:56:32653 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營收
2021-05-03 16:18:0010175 
的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:09
57 控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
2022-04-11 13:44:444805 碳化硅器件正在幾個(gè)大容量功率應(yīng)用中取代其現(xiàn)有的硅對應(yīng)物。隨著 SiC 市場份額的持續(xù)增長，該行業(yè)正在消除大規(guī)模商業(yè)化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件的成本、相對缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
鎵 (GaN) 等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計(jì)。架構(gòu)的演進(jìn)滿足了新的效率水平和時(shí)序性能的穩(wěn)定性，從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導(dǎo)體的基于 SiC 技術(shù)的功率器件為參考點(diǎn)。
2022-08-10 15:22:11813 
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 介紹碳化硅功率二極管，包括碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）、碳化硅PiN二極管（PiN），碳化硅結(jié)/肖特基二極管（JBS），然后介紹碳化硅聚碳場效應(yīng)管、DMOSFET和幾種MESFET，第三部分是關(guān)于碳化硅雙極器件，如BJT和IGBT。最后，討論了SiC功率器件開發(fā)過程中的挑戰(zhàn)，特別是其材料生長和封裝。
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因?yàn)樗哂泻侠淼臒釋?dǎo)率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573192 的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 根據(jù)市場分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測，在未來 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場的 30%，SiC 行業(yè)（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:161106 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個(gè)端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅(jiān)固性。
2023-10-09 15:20:58299 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47106 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107 
在設(shè)計(jì)SiC（碳化硅）驅(qū)動(dòng)電源時(shí)，需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)：
2024-03-18 18:02:48319 
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