在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:50
5045 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預測，到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預計將達14億美元，其主要的市場增長機會在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽w的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 潮，令800V平臺、SiC電驅(qū)開始打進20萬內(nèi)的市場，SiC也進一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級認證，這將繼續(xù)推動SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:002634 
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-04-22 06:20:22
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說是具有極大優(yōu)勢的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標準化的導通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
多年增長。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗，另一方面有效緩解了電動汽車的續(xù)航焦慮問題，因此廣受新能源車企的青睞。 從功率半導體供應(yīng)商的角度來看，成本只是限制SiC大規(guī)模上車的一個
2022-12-27 15:05:47
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻報道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進行了性能測試和環(huán)境試驗， 證實了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強等特點。
2019-08-12 06:59:10
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對節(jié)能和小型化貢獻巨大的功率元器件。SiC功率元器件關(guān)于SiC功率元器件，將分以下4部分進行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
標準的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標準和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
因為，為了應(yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-28 14:34:33
的量產(chǎn)化，并于 2010 年全球首家成功實現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過本次研討會，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點和特性，更好地應(yīng)用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
產(chǎn)品的小型化和輕量化。本文介紹了基于最新1.2kV 全SiC功率模塊開發(fā)的牽引用APS，憑借全SiC模塊的優(yōu)異特性，使得該APS的效率達到了97%以上。1、APS的工作原理圖1為APS的系統(tǒng)原理圖
2017-05-10 11:32:57
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
摘要： 什么是第一性原理？第一性原理如何指導我們的精益敏捷開發(fā)？阿里資深解決方案架構(gòu)師、暢銷書《精益產(chǎn)品開發(fā)：原則、方法與實施》作者何勉，結(jié)合實踐案例，詳述第一性原理和精益敏捷的規(guī)?；?/b>實施。點此查看
2018-01-26 10:10:13
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
%的小型化與4kg的輕量化，與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比，實現(xiàn)了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊，采用了ROHM獨有
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢。由
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
，每個人都付出了自己最大的努力，我們再一次感受到了個人的命運與國家的命運是如此的緊密相連。 （資料來自：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院）新基建的7個領(lǐng)域危中有機，為了加快經(jīng)濟復蘇，國家提出了新基建。初級工業(yè)化的經(jīng)濟體
2020-09-07 14:18:09
什么是無線射頻識別技術(shù)（RFID）？無線射頻識別技術(shù)在規(guī)?；?/b>奶牛場中有哪些應(yīng)用？RFID在奶牛場應(yīng)用中暴露的問題有哪些？
2021-05-20 06:44:32
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
和意法半導體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計劃，這標志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點，未來會將MACOM的射頻半導體技術(shù)實力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
本半導體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
國外政策和開放市場下的光儲規(guī)?；?/b>應(yīng)用激勵來自于三個方面，一是政策支持力度加大，分布式能源和可再生能源規(guī)?；?/b>發(fā)展，光伏系統(tǒng)規(guī)?；?/b>應(yīng)用顯現(xiàn);二是光伏系統(tǒng)成本下降，上網(wǎng)補貼支持減弱;三是電力市場逐步開放
2018-08-08 11:22:381141 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813797 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 近年來，全球IPv6用戶普及度一直在快速提升。據(jù)Google統(tǒng)計，6月6日，全球IPv6用戶訪問比例達到32.51%，再創(chuàng)歷史新高。而隨著新基建風口來臨，作為核心基礎(chǔ)技術(shù)的IPv6更是在我國快速推進，規(guī)?；?/b>部署再提速。
2020-06-11 17:45:012481 2020上半年全球半導體SiC晶片市場份額，美國CREE出貨量占據(jù)全球45％，日本羅姆子公司SiCrystal占據(jù)20％，II－VI占13％；
2020-12-24 14:51:561940 2020年是5G大規(guī)模部署的關(guān)鍵一年，中國的基建速度尤其突出，2021年MWC上海展即將在2月舉行。
2021-01-25 16:25:30347 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營收
2021-05-03 16:18:0010174 
的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:09
57 前言 近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對從普通
2021-08-13 15:22:002205 控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導通電阻，阻斷電壓等重要的電學參數(shù)。
2022-04-11 13:44:444802 占比最大的部分，成為射頻器件國產(chǎn)化能力較弱的短板。為了滿足國內(nèi)市場需求，以左藍微電子為代表的國內(nèi)射頻器件廠商通過技術(shù)提升和產(chǎn)能擴展，加速實現(xiàn)中高端射頻器件規(guī)?；?/b>量產(chǎn)。在5G窗口時期，左藍微電子乘風破浪，在中高端產(chǎn)品定位的基礎(chǔ)上成為國產(chǎn)射頻器件突圍樣本。
2022-04-25 10:44:451088 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅(SiC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。并且SiC讓設(shè)計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低
2022-06-15 16:00:341368 作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?；?/b>應(yīng)用。
2022-06-21 14:40:571216 碳化硅器件正在幾個大容量功率應(yīng)用中取代其現(xiàn)有的硅對應(yīng)物。隨著 SiC 市場份額的持續(xù)增長，該行業(yè)正在消除大規(guī)模商業(yè)化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件的成本、相對缺乏晶圓平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較小的管芯尺寸相關(guān)的散熱問題、管芯上與封裝相關(guān)的應(yīng)變以及襯底可用性。
2022-08-09 10:13:161600 
鎵 (GaN) 等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計。架構(gòu)的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩(wěn)定性，從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導體的基于 SiC 技術(shù)的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11813 
寬帶隙半導體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠未達到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:281551 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:254 SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573191 的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 根據(jù)市場分析機構(gòu) Yole 預測，在未來 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個功率器件市場的 30%，SiC 行業(yè)（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:161106 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54139 范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806 
長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)域有著迫切的需求。隨著航天技術(shù)的快速發(fā)展，作為
2023-10-18 10:34:31378 
三菱電機將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機集團近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會產(chǎn)生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43106 
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
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