驅(qū)動(dòng) SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，這些 IC 經(jīng)過(guò)精密調(diào)整，彼此配合。于是這里的設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 09:19:28
4847 
GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試三個(gè)部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過(guò)相比于SiC，GaN在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:454002 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開始
2016-03-24 08:26:111305 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，其中，針對(duì)GaN功率器件的性能特點(diǎn)，該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無(wú)線充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場(chǎng)合。
圖1 半導(dǎo)體材料特性對(duì)比
傳統(tǒng)的D類
2023-06-25 15:59:21
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
具備所有必要的技術(shù)特性，采用16引腳寬體SOIC封裝。它們可以對(duì)基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器的高速?gòu)?fù)雜多層控制環(huán)路進(jìn)行管理。[color=rgb(51, 51, 51) !important
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
%。如該例所示，毫無(wú)疑問(wèn)，SiC功率元器件將成為能源問(wèn)題的一大解決方案。SiC的優(yōu)點(diǎn)如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當(dāng)然，這是SiC很大的優(yōu)點(diǎn)，接下來(lái)希望再了解一下低阻值、高速工作、高溫
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定以及抗輻射等優(yōu)點(diǎn)， 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用寬禁帶半導(dǎo)體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達(dá)、電子對(duì)抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)等
2019-08-12 06:59:10
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點(diǎn)，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（動(dòng)作、回路、實(shí)驗(yàn)例
2018-07-27 17:20:31
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點(diǎn)和不成熟處，因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識(shí)是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時(shí)的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢(shì)。對(duì)晶體管
2023-02-27 09:37:29
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
請(qǐng)問(wèn)一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
: 電動(dòng)汽車工作原理示意圖圖2是眾人所熟悉之矽和寬帶隙材料（SiC，GaN）的比較圖。在開關(guān)頻率還不是重點(diǎn)的汽車應(yīng)用中，卓越的驅(qū)動(dòng)性能和寬廣的工作溫度范圍，讓SiC成為電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)者的首選功率元件。圖
2019-06-27 04:20:26
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過(guò)去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2018-08-04 14:55:07
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 “功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112463 安華高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光電耦合器新產(chǎn)品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）制造的功率半導(dǎo)體器件等的門極驅(qū)動(dòng)。新產(chǎn)品的最大特點(diǎn)是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:00
1 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767 
很多工程師提問(wèn)關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體，因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個(gè)額外優(yōu)點(diǎn)是可以在器件表面產(chǎn)生二維電子氣(2DEG)。
2019-03-14 17:05:395887 隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)
2020-11-16 10:19:322223 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營(yíng)收
2021-05-03 16:18:0010174 
前言 近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對(duì)從普通
2021-08-13 15:22:002205 日前，SiC & GaN功率器件設(shè)計(jì)和方案商派恩杰官方正式宣告與德國(guó)Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團(tuán)隊(duì)。
2021-09-09 09:39:171065 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。
2022-04-01 11:05:193412 半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 /dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅(qū)動(dòng)特性。為了加深大家對(duì)高速功率半導(dǎo)體器件的理解，今天我們以SiC和GaN為例來(lái)聊一下這個(gè)話題，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 在基本半導(dǎo)體特性（帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?！癝i 的帶隙略高于一個(gè)電子伏特，臨界電子場(chǎng)為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748 
由氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)?；?GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應(yīng)用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應(yīng)該得到適當(dāng)?shù)墓芾?，這使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個(gè)需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:57996 
意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會(huì)議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺(tái)積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨(dú)特的設(shè)計(jì)和封裝專業(yè)知識(shí)
2022-08-03 10:44:57641 
鎵 (GaN) 等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計(jì)。架構(gòu)的演進(jìn)滿足了新的效率水平和時(shí)序性能的穩(wěn)定性，從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導(dǎo)體的基于 SiC 技術(shù)的功率器件為參考點(diǎn)。
2022-08-10 15:22:11813 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測(cè)試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 電動(dòng)汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經(jīng)開發(fā)并通過(guò)汽車認(rèn)證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉(zhuǎn)換，并且已經(jīng)與汽車企業(yè)建立了無(wú)數(shù)合作伙伴關(guān)系。
2023-01-06 11:11:34459 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:15676 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350 
業(yè)的產(chǎn)值有望超過(guò) 60 億美元。 Yole 表示，EV/混合動(dòng)力汽車市場(chǎng)將成為 SiC 功率元件的最佳市場(chǎng)，預(yù)計(jì)超過(guò) 70% 的收入將來(lái)自該領(lǐng)域。如下圖所示，根據(jù) Yole 的預(yù)測(cè)，除汽車以外，能源、交通、工業(yè)、消費(fèi)者、通信和基礎(chǔ)設(shè)施等也都將為 SiC 的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。 總結(jié)而言，SiC 基器件擁
2023-02-20 17:05:161106 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
GaN功率器件是雷達(dá)T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來(lái)越高,器件的長(zhǎng)期可靠性成為瓶頸。文章對(duì)雷達(dá)脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機(jī)理進(jìn)行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。
2023-10-07 17:41:32398 SiC與GaN的興起與未來(lái)
2023-01-13 09:06:226 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43106 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論