負載開關(guān)基本電路及發(fā)展概況
負載開關(guān)基本電路 功率MOSFET是一種具有良好開關(guān)特性的器件：導(dǎo)通時其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很小；在關(guān)斷時其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓
2009-12-12 11:48:28
1892 Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件
2011-05-13 08:44:56928 它們需要更高密度的電路板，這樣空間就變得不足了。集成式負載開關(guān)可解決這個問題：將電路板空間歸還給設(shè)計人員，同時集成更多的功能。 圖1：電源開關(guān)的常見分立實施方案 與分立電路相比，集成式負載開關(guān)的優(yōu)勢是什么？ 如圖
2018-05-18 09:11:144577 
負載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來控制后級負載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實現(xiàn)的細節(jié)。
2023-03-10 14:00:576743 
MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了積體電路的發(fā)熱量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET在數(shù)位電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）訊號而言，MOSFET的柵極端驅(qū)動芯片外負載
2020-07-06 11:28:15
求大神幫忙求MOSFET有源負載電路的輸出電壓
2014-07-24 12:46:54
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
電路設(shè)計如圖；問題：MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個可能性，不清楚是不是設(shè)計上有問題，希望大家?guī)兔?，目前源極沒有接負載，這對電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
停止，應(yīng)用需求封裝采用更先進的技術(shù)，向高性能的微型化小尺寸封裝外形演繹、目前，分立器件微小尺寸封裝有更多規(guī)格版本供貨，提供了更低的成本和空間優(yōu)勢，簡化外圍電路設(shè)計更自由，易連接．例如，數(shù)字晶體管的小平腿
2018-08-29 10:20:50
?概述負載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來控制后級負載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實現(xiàn)的細節(jié)。電路分析如下圖所示R5模擬后級負載，Q1為開關(guān)，當R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導(dǎo)通，MOS管Q1的VGS
2021-10-28 08:28:45
開關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
開關(guān)電源PWM與PFM對比分析開關(guān)電源控制技術(shù)的特點是什么
2021-03-11 07:37:37
面對新世紀，對快充技術(shù)的普及，開關(guān)直流電源使用范圍更加廣泛，降低低壓大電流的功耗已經(jīng)成為電力工程師的難題。開關(guān)電源損耗主要由斷路器管損耗、高頻變壓器損耗、插座集電器損耗等組成。同步開關(guān)電源可以減少總
2022-10-12 10:18:15
關(guān)于負載開關(guān)ON時的浪涌電流關(guān)于Nch MOSFET負載開關(guān)ON時的浪涌電流應(yīng)對措施關(guān)于負載開關(guān)OFF時的逆電流關(guān)于負載開關(guān)ON時的浪涌電流負載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出
2019-07-23 01:13:34
基于微處理器或FPGA的應(yīng)用來說，正確的運行需要特定的電源軌排序。有時候，在啟用下游電路之前，最好讓特定的子系統(tǒng)加電。使用負載開關(guān)來管理電源排序可以更輕松地為終端用戶提供平滑順暢的加電體驗。在大多數(shù)系統(tǒng)中
2018-09-04 10:07:40
圖1：電源開關(guān)的常見分立實施方案 與分立電路相比，集成式負載開關(guān)的優(yōu)勢是什么？ 如圖1所示，典型的分立式解決方案包括一個P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、一個N通道MOSFET和一
2022-11-18 07:38:15
，因此它們需要更高密度的電路板，這樣空間就變得不足了。集成式負載開關(guān)可解決這個問題：將電路板空間歸還給設(shè)計人員，同時集成更多的功能。 圖1：電源開關(guān)的常見分立實施方案與分立電路相比，集成式負載開關(guān)的優(yōu)勢
2018-09-05 15:37:50
），則這種負載開關(guān)可看作“電子保險絲”在排除過流故障后，重新啟動后可正常工作。有的負載開關(guān)在過流時，以限制的電流（恒流）繼續(xù)給負載供電。 2 在開關(guān)性能方面 隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進步，單個分立
2011-07-11 11:52:48
負載開關(guān)：什么是負載開關(guān)，為什么需要負載開關(guān)，如何選擇正確的負載開關(guān)？集成負載開關(guān)是可用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負載開關(guān)為系統(tǒng)帶來許多其它優(yōu)勢，并且集成通常難以用分立元件實現(xiàn)的保護功能。負載開關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用，包括但不限于：? 配電? 上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換...
2021-10-29 06:47:01
一般說明
PL2700是一種經(jīng)濟有效、低電壓、單P-MOSFET負載開關(guān)，為自供電和總線供電的通用串行總線（USB）應(yīng)用進行了優(yōu)化。該開關(guān)的輸入范圍從2.4V到5.5V，使它非常適合3V和5V系統(tǒng)
2023-11-08 16:44:46
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
單相電機和三相電機，實質(zhì)上區(qū)別，或者說為什么三相電機比單相電機更具優(yōu)勢
不要百度，復(fù)制的。要能看懂的，通俗些。
就是說三相電機的優(yōu)勢在哪里。我覺著，三相電機，比單相貴，一定有他的優(yōu)勢。
2023-11-09 07:50:01
什么是負載開關(guān)，為什么需要負載開關(guān)？ 集成負載開關(guān)是可用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負載開關(guān)為系統(tǒng)帶來許多其它優(yōu)勢，并且集成通常難以用分立元件實現(xiàn)的保護功能。負載開關(guān)可用于多種
2021-10-29 08:35:39
集成負載開關(guān)便能完成這種功率切換，如圖1所示。圖1：從電源切換到多個負載分立MOSFET電路包含多個組件來控制分立功率MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷。這些電路可通過來自微控制器的通用輸入/輸出（GPIO）信號
2018-09-03 15:17:57
作者：Brian King今天，開關(guān)電源將把 MOSFET 作為電源開關(guān)幾乎是意料之中的事情。但在一些實例中，與 MOSFET 相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT) 可能仍然會有一定的優(yōu)勢。特別是在
2018-09-18 11:32:56
和電流檢測提供開爾文連接、EMI超標、去耦電容的位置不正確等。當電源采用多個外圍分立元件時，這些問題中極有可能產(chǎn)生布板錯誤。 相反，集成開關(guān)調(diào)節(jié)器將功率級(MOSFET和柵極驅(qū)動器)和電流檢測功能集成
2011-11-11 17:19:07
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關(guān)過程，也討論過開關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關(guān)
2017-02-24 15:05:54
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用，對于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
時的損耗：阻性關(guān)斷的損耗和上面過程相類似，二者相加，就是阻性開關(guān)過程中產(chǎn)生的總的開關(guān)損耗。功率MOSFET所接的負載、變換器輸出負載和變換器所接的輸出負載是三個完全不同的概念，下面以BUCK變換器為例來說
2016-12-16 16:53:16
開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu)，也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中，各功率開關(guān)（一般是 MOSFET）會集成在單個硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時，除了控制器 IC，還必須單獨選擇半導(dǎo)體和確定其位置
2020-10-05 08:30:00
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)異特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
情況下，系統(tǒng)必須獨立控制哪些負載開啟，何時開啟，以什么速度開啟。利用分立MOSFET電路或集成負載開關(guān)便能完成這種功率切換，如圖1所示。圖1：從電源切換到多個負載分立MOSFET電路包含多個組件來控制
2022-11-17 08:05:25
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
本篇應(yīng)用筆記介紹如何利用示波器檢測熱插拔電路MOSFET功耗和負載電容的精確值。
2021-05-08 08:48:00
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用，對于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
請問如何通過MOSFET上的導(dǎo)通時間tdon，上升沿時間tr，關(guān)斷時間toff，下降沿時間tf 來確定 MOSFET 的開關(guān)頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
陣列元件，以及采用極小的0402、0201或01005 SMD封裝的分立元件。然而，MOSFET的微型化通常更具挑戰(zhàn)；MOSFET的設(shè)計參照了幾項相互沖突的參數(shù)；在物理尺寸小、能進行快速高能效開關(guān)
2018-09-29 16:50:56
`從以下幾方面詳細介紹恩智浦目前針對USBPD提供的負載開關(guān)產(chǎn)品：1. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的規(guī)格2. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的保護特性3. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品和分立方案的比較`
2015-06-03 15:21:07
為了最大限度地降低功耗，一個簡單的MOSFET通常用于為未使用的電路提供電源。然而，更好的選擇是使用負載開關(guān)，因為它具有額外的功能來處理電源軌管理的許多微妙和變幻莫測的問題。負載開關(guān)提供一系列來自
2019-04-15 08:00:00
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓撲
2021-03-29 11:00:47
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
的模擬開關(guān)和多路復(fù)用器代替分立 保護器件能夠在模擬性能、魯棒性和解決方案尺寸方面提供 顯著的優(yōu)勢。過電壓保護器件位于敏感下游電路和受到外部 應(yīng)力的輸入端之間。一個例子是過程控制信號鏈中的傳感器 輸入端
2019-07-26 08:37:28
采樣電阻加運放的電流采樣方法運用那種更具優(yōu)勢？
2022-02-23 07:46:41
調(diào)節(jié)時序閾值引腳對引腳封裝方式允許根據(jù)不同的電壓、電流和 Ron 要求在多個負載開關(guān)之間交換負載開關(guān)可幫助實現(xiàn)較分立式 MOSFET 解決方案更小的解決方案尺寸和更少的組件數(shù)量
2018-10-12 09:18:58
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
可帶20A負載的開關(guān)電源帶由兩個IRF540N的MOSFET管組成高頻開關(guān)負載時，發(fā)現(xiàn)僅3A電流就把開關(guān)電源的輸出電壓（空載24V）拉低到了11V多一點。開關(guān)電源沒有問題。是什么原因，請教各位前輩？？？謝謝?。?！
2014-03-14 14:07:45
分立元件式聲控開關(guān)電路圖
2009-05-08 15:31:282335 
分立元件觸摸開關(guān)電路
分立元件觸摸開關(guān)電路如下圖所示，該電路由感應(yīng)放大器、存儲器、交流驅(qū)動器等組成。手指觸摸絕緣金屬板
2010-02-08 17:54:011916 
開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點，已經(jīng)成為開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專
2010-03-01 11:00:181505 AccuPower系列負載開關(guān)包括FPF2700、FPF2701和FPF2702三款器件，它們與需要分立MOSFET加外部保護電路的現(xiàn)有解決方案不
2010-11-17 08:48:171858 微處理器通過控制電源的工作來實現(xiàn)負載管理，負載管理也可以由微處理器與多個負載開關(guān)組成。負載開關(guān)是一種功率電子開關(guān)
2011-12-29 17:32:223543 
MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計
2015-12-23 15:03:45
204 功率MOSFET在電子負載中的應(yīng)用，電子負載的制作時功率模塊的應(yīng)用。
2016-02-22 15:08:5042 負載開關(guān)是節(jié)省空間的集成式電源開關(guān)。這些開關(guān)可用來斷開耗電量大的子系統(tǒng)（當處于待機模式時），或用于負載點控制以方便電源排序。智能手機得到普及之后，人們創(chuàng)建了負載開關(guān)；由于手機添加了更多的功能，因此
2017-04-18 11:50:0323175 
集成負載開關(guān)是可用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負載開關(guān)為系統(tǒng)帶來許多其它優(yōu)勢，并且集成通常難以用分立元件實現(xiàn)的保護功能。負載開關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用，包括但不限于： 配電 上電排序和電源
2017-06-07 10:39:3317 片可將20nH的電感添加到負載路徑中。很明顯，需要另一種電流汲入方法。大多數(shù)電源評估模塊可以很容易地被配置為快速汲入電流的模式。圖1舉例說明了分立金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）加可直接
2017-11-17 03:18:151402 
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件
2018-06-11 07:51:0020147 
電源設(shè)計小貼士42：可替代集成MOSFET的分立器件
2018-08-16 00:08:005477 
特點和優(yōu)勢
1、國內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品；
2、P Channel產(chǎn)品在負載開關(guān)應(yīng)用中，電路更簡潔，高效；
2020-10-21 15:51:542267 采用基于物理的指數(shù)MOSFET模型與低功耗傳輸域MOSFET模型，推導(dǎo)了新的超深亞微米無負載四管與六管SRAM存儲單元靜態(tài)噪聲容限的解析模型．對比分析了由溝道摻雜原子本征漲落引起的相鄰MOSFET的閾值電壓失配對無負載四管和六管SRAM單元靜態(tài)噪聲容限的影響。
2021-03-26 15:17:546 什么是負載開關(guān)，為什么需要負載開關(guān)？? 集成負載開關(guān)是可用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負載開關(guān)為系統(tǒng)帶來許多其它優(yōu)勢，并且集成通常難以用分立元件實現(xiàn)的保護功能。負載開關(guān)可用于多種
2021-10-22 12:21:017 繼電器。負載開關(guān)為系統(tǒng)帶來許多其它優(yōu)勢，并且集成通常難以用分立元件實現(xiàn)的保護功能。負載開關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用，包括但不限于：? 配電? 上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換...
2021-10-22 15:21:0224 周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
系統(tǒng)中的負載開關(guān)
2021-11-10 09:40:23554 
電路相比，集成式負載開關(guān)的優(yōu)勢是什么？
?
如圖1所示，典型的分立式解決方案包括一個P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、一個N通道MOSFET和一個上拉電阻器。雖然這對開關(guān)電源軌來說
2021-11-24 14:40:564212 
固態(tài)硬盤與機械硬盤相比，二者之間哪個更具有優(yōu)勢？
2022-02-03 10:13:0015446 負載開關(guān)，從字面意思來說就是為控制負載通斷而衍生的一種開關(guān)。這種開關(guān)一般需要通過較大的電流，而且具有快速切換響應(yīng)的特性。以往的負載開關(guān)一般都是采用分立元件搭建的，主要采用MOSFET和電阻等元件進行
2022-05-19 17:53:391107 功率MOSFET帶負載功率能力的評估
2022-07-26 17:43:441860 
何時使用負載開關(guān)取代分立MOSFET
2022-11-03 08:04:340 什么是負載開關(guān)？
2022-11-03 08:04:460 SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
設(shè)計魯棒電子電路的挑戰(zhàn)通常會導(dǎo)致設(shè)計中存在大量分立保護元件，并增加相關(guān)的成本、設(shè)計時間和空間。本文討論故障保護開關(guān)架構(gòu)，以及與傳統(tǒng)分立保護解決方案相比的性能優(yōu)勢和其他優(yōu)勢。討論了一種新的新型開關(guān)架構(gòu)
2023-01-06 11:27:26714 
具有熱測量功能的 MOSFET 負載開關(guān) PCB-AN11304
2023-03-03 20:11:070 像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
2023-04-15 09:17:39512 
負載開關(guān)是節(jié)省空間的集成式電源開關(guān)。這些開關(guān)可用來“斷開”耗電量大的子系統(tǒng)（當處于待機模式時），或用于負載點控制以方便電源排序。智能手機得到普及之后，人們創(chuàng)建了負載開關(guān)；由于手機添加了更多的功能
2023-04-17 10:25:171263 
需要通過負載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個原因，一個非常簡單和常見的原因是，它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 15:35:32877 
基于單個MOSFET拓撲的負載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流，由于MOSFET有一個固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 16:09:252215 
在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前，我們先來看看不同類型的負載開關(guān)。高壓側(cè)負載開關(guān)將負載與電源連接或斷開，由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負載。
2023-06-07 16:12:171363 現(xiàn)在，讓我們了解如何使用分立元件構(gòu)建雙向開關(guān)，以實現(xiàn)預(yù)期的雙向開關(guān)應(yīng)用。
2023-06-27 17:26:35676 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
負載開關(guān)（LoadSwitch）是一種電子元器件，其主要功能是在電路中控制負載的開關(guān)狀態(tài)，可以將電路的負載連接或斷開。負載開關(guān)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、工業(yè)自動化、汽車電子、通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。接下來，我們將介紹負載開關(guān)的原理以及如何判斷好壞。
2023-07-14 14:13:221258 
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
MOSFET作為一種電子開關(guān)，主要利用了其在柵源電壓控制下的導(dǎo)電能力，通過改變柵源電壓 VGS，使得元件在短路（ON）和開路（OFF）狀態(tài)間轉(zhuǎn)變，從而實現(xiàn)高效的電壓控制和電源管理。MOSFET在開關(guān)
2023-11-25 11:30:00406 
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 負載開關(guān)IC是以串聯(lián)方式插入電源與負載電路或IC之間的一個半導(dǎo)體開關(guān)。
2024-02-17 15:57:00461 
開關(guān)電源適用于各種不同類型的負載，無論是阻性負載還是感性負載都可以正常工作。但是，具體使用哪種類型的負載會對開關(guān)電源產(chǎn)生一定的影響。在選擇負載類型時，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來進行權(quán)衡和選擇
2024-02-06 09:25:35389
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