功率MOSFET帶負(fù)載功率能力的評估

一般來說MOS管規(guī)格書中會給出功耗額定值。然而，這一般是在 25℃時(shí)的參數(shù)。實(shí)際應(yīng)用中MOS管通常具有較高的溫度，對于功率MOS而言，其溫度可以輕松達(dá)到 100℃。

無散熱片的MOS功率能力：

Pcapability = (Tjmax – Tamb) / Rthja

帶散熱器的MOS功率電源能力：

Pcapability = (Tjmax – Tcase) / (Rthjc + Rthchs + Rthhsa)

其中：

Tjmax – 規(guī)格書中規(guī)定的MOS最大結(jié)溫

Tamb – 工作環(huán)境溫度

Rthja – 結(jié)到環(huán)境的熱阻

Tcase – MOSFET的外殼溫度

Rthjc – 結(jié)到外殼的熱阻

Rthchs – 外殼到散熱器的熱阻

熱阻其實(shí)可以理解成MOS的散熱能力參數(shù)，熱阻越大，散熱越差，對于器件而言，如果沒加散熱器，一般只考慮結(jié)到空氣的熱阻，如果加了散熱器，則需考慮結(jié)到外殼，以及外殼到空氣的熱阻。

審核編輯：湯梓紅