去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存,但去年各大平臺(tái)DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價(jià)格,加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問題,這第一批DDR5內(nèi)存并沒有在市場(chǎng)上掀起多大的風(fēng)浪。然而
2022-07-12 08:27:008641 如果保養(yǎng)不當(dāng),就算是質(zhì)量很好的品牌移動(dòng)電源,使用壽命也會(huì)大受影響,甚至?xí)a(chǎn)生安全問題。那么如何保養(yǎng)移動(dòng)電源呢?小編給大家介紹幾個(gè)很實(shí)用的小貼士。 移動(dòng)電源給設(shè)備充電
2012-07-22 13:16:554337 廉價(jià)的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存(以及DDR2和DDR3等后來的版本)為臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的工作內(nèi)存提供了支柱。通過在脈沖序列的前沿和后沿上為存儲(chǔ)器提供時(shí)鐘,存儲(chǔ)器吞吐量加倍,而功耗僅略微增加。
2019-03-25 08:48:004083 DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061885 DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對(duì)比分析。
2011-12-29 14:21:563148 江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
極大提高故障覆蓋率.快速測(cè)試: 內(nèi)建式快速測(cè)試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測(cè)試: 內(nèi)建式完全測(cè)試模式, 測(cè)試速度:32MB/S頻率測(cè)試: 頻率測(cè)試向量自動(dòng)識(shí)別各種頻率的DDR
2009-02-10 22:53:43
極大提高故障覆蓋率.快速測(cè)試: 內(nèi)建式快速測(cè)試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測(cè)試: 內(nèi)建式完全測(cè)試模式, 測(cè)試速度:32MB/S頻率測(cè)試: 頻率測(cè)試向量自動(dòng)識(shí)別各種頻率的DDR
2009-03-12 16:05:56
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
極大提高故障覆蓋率.快速測(cè)試: 內(nèi)建式快速測(cè)試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測(cè)試: 內(nèi)建式完全測(cè)試模式, 測(cè)試速度:32MB/S頻率測(cè)試: 頻率測(cè)試向量自動(dòng)識(shí)別各種頻率的DDR
2009-02-10 22:50:27
極大提高故障覆蓋率.快速測(cè)試: 內(nèi)建式快速測(cè)試模式, 使大多數(shù)內(nèi)存故障在電源打開后第1秒鐘顯示.完全測(cè)試: 內(nèi)建式完全測(cè)試模式, 測(cè)試速度:32MB/S頻率測(cè)試: 頻率測(cè)試向量自動(dòng)識(shí)別各種頻率的DDR
2009-02-10 22:55:45
針腳,主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)?! ?b class="flag-6" style="color: red">DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率
2011-02-27 16:47:17
DDR的電源可以分為哪幾類?拉電流和灌電流分別是什么意思?拉電流和灌電流為什么能夠衡量輸出驅(qū)動(dòng)能力?
2021-10-08 07:40:35
本等因素正同時(shí)給設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)人員帶來深刻影響?! ≡O(shè)計(jì)電源是一個(gè)復(fù)雜的過程,涉及到多個(gè)步驟。簡(jiǎn)單將電源設(shè)計(jì)工作流程分為10個(gè)階段,提供每個(gè)階段的測(cè)試小貼士。希望這份電源設(shè)計(jì)全攻略對(duì)您有所裨益,讓您的測(cè)試
2016-01-12 11:08:55
中每個(gè)設(shè)計(jì)階段的測(cè)試要求,并給出小貼士,讓您的測(cè)試更高效,讓您的生活更輕松。 在任何電源設(shè)計(jì)中,第一步都要選擇元器件。良好的電源設(shè)計(jì)離不開電源元器件及控制芯片??紤]到所有選項(xiàng),為最優(yōu)設(shè)計(jì)選擇適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">電源
2016-08-18 16:23:38
因素正同時(shí)給設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)人員帶來深刻影響。設(shè)計(jì)電源是一個(gè)復(fù)雜的過程,涉及到多個(gè)步驟。我們簡(jiǎn)單將電源設(shè)計(jì)工作流程分為10個(gè)階段,提供每個(gè)階段的測(cè)試小貼士。希望我們這份電源設(shè)計(jì)全攻略對(duì)您有所裨益,讓您的測(cè)試
2016-08-03 21:16:24
作者:Robert Kollman,德州儀器 (TI)Note:欲查看《電源設(shè)計(jì)小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容,請(qǐng)點(diǎn)擊下載PDF合輯(已收集1-10章和11-20章,20-30章敬請(qǐng)期待)。在這篇《電源
2018-09-26 10:23:27
作者:Robert Kollman,德州儀器 (TI)在這篇《
電源設(shè)計(jì)
小貼士》中,我們繼續(xù)《
電源設(shè)計(jì)
小貼士#32-第 1 部分》的討論,即如何確定 SEPIC 拓?fù)渲旭詈想姼械穆╇姼幸蟆G懊?,我?/div>
2018-09-26 10:19:06
DDR內(nèi)存電源控制器
2023-03-28 21:13:19
環(huán)路關(guān)閉的開關(guān)式電源使用 200 uF 的電容,從而帶來更多的成本和電路板面積(參閱《電源設(shè)計(jì)小貼士 #10》) 總之,DDR 內(nèi)存通過同時(shí)對(duì)時(shí)鐘兩個(gè)沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí)提高了系統(tǒng)速度,帶來更高的數(shù)據(jù)傳輸速度
2012-02-09 11:09:02
文章目錄主板內(nèi)存顯卡電源硬盤主板注意CPU接口購(gòu)買前先看主板參數(shù)的CPU插槽信息,如果和CPU接口對(duì)不上的話,那么這塊主板將無法用于你的CPU。注意內(nèi)存條限制就如CPU一樣,主板也是有內(nèi)存條限制
2021-12-29 07:07:22
,DDR5標(biāo)準(zhǔn)將提供兩倍于上代的性能并大大提高電源效率。在DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下,最高內(nèi)存傳輸速度能達(dá)到6.4Gbps。此外,DDR5也改善了DIMM的工作電壓,將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,能夠
2022-10-26 16:37:40
DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37205 針對(duì)當(dāng)今電子系統(tǒng)對(duì)高速大容量內(nèi)存的需要,本文闡述了使用DDR 控制器IP 核來設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。該方法能使設(shè)計(jì)盡可能簡(jiǎn)單,讓設(shè)計(jì)者更專注于關(guān)鍵邏輯設(shè)計(jì),以便達(dá)到
2009-08-11 09:42:5120 ddr內(nèi)存針腳定義圖
2008-04-28 13:45:414210 MAX17000 完備的DDR2和DDR3電源管理方案
MAX17000 概述
MAX17000脈寬調(diào)制
2009-01-22 12:59:211018 DDR內(nèi)存插槽及測(cè)試點(diǎn)
一、實(shí)物圖上圖就是DDR內(nèi)存插槽實(shí)物圖
2009-04-26 15:36:515390 DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展:DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等,但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍,也
2009-04-26 18:05:40786 DDR 內(nèi)存兼容性列表
主板名稱 主板型號(hào) 芯片組 內(nèi)存插槽規(guī)格 ASUS A7A266 ALI 3DDR+2SDRAM A7M266 AMD760 3DDRCUV266 VIA266 3DDR+2SDR
2009-05-22 08:57:081543 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù),DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名思義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也
2009-12-17 11:15:531646 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33684 DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展:DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等,但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍,也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28621 從那時(shí)起,采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今,DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前,設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 業(yè)界最小負(fù)載點(diǎn)直流—直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲(chǔ)器終端電源的電源集成電路 (IC) 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉(zhuǎn)換器,最高效
2012-02-16 09:03:51871 在《電源設(shè)計(jì)小貼士 40:非隔離式電源的共模電流》中,我們討論了開關(guān)級(jí)中大電壓擺動(dòng)如何形成共模電流的問題,并介紹了它驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)入電容到機(jī)架接地的過程。在這篇《電源設(shè)計(jì)
2012-11-16 15:17:001252 在本篇電源設(shè)計(jì)小貼士中,我們將繼續(xù)討論共模電流問題。如前所述我們可以使用一個(gè)機(jī)架電容將共模電流返回至電源,該電容還可以降低噪聲的源阻抗。
2013-01-07 11:43:171002 SD-DDR-DDR2內(nèi)存條標(biāo)準(zhǔn)尺寸
2013-09-13 15:19:42162 DDR系列內(nèi)存詳解及硬件設(shè)計(jì)規(guī)范, 好的教程
2015-11-16 18:59:580 內(nèi)存顆粒廠家提供的,DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39471 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 內(nèi)存緩沖是高性能設(shè)計(jì)過程中的常見處理瓶頸。應(yīng)用開發(fā)人員現(xiàn)已將目光投向了比 ?DDR3? 更高的內(nèi)存帶寬、電源效率及成本降低水平。查看本期的實(shí)戰(zhàn)論壇,其中電子工程雜志的 Amelia Dalton
2017-02-09 06:18:33470 下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 電源測(cè)量小貼士 10 個(gè)設(shè)計(jì)階段
2017-10-16 15:44:486 電源測(cè)量的小貼士 10 個(gè)設(shè)計(jì)階段
2017-10-19 09:03:494 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2330895 LTC3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案,可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未來的較低電壓 DDRX標(biāo)準(zhǔn)。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一個(gè)高精度線性 VTT 基準(zhǔn)。一個(gè)差分輸出檢測(cè)放大器與高精度的內(nèi)部基準(zhǔn)相組合,可提供一個(gè)準(zhǔn)確的 VDDQ 電源。
2018-07-05 10:07:001003 電源設(shè)計(jì)小貼士52-改造墻式電源
2018-08-24 00:22:001836 電源設(shè)計(jì)小貼士30:低壓降壓IC讓簡(jiǎn)捷、經(jīng)濟(jì)的偏置電源成為現(xiàn)實(shí)
2018-08-16 00:18:004434 電源設(shè)計(jì)小貼士 1:為您的電源選擇正確的工作頻率
2018-08-15 01:36:008768 電源設(shè)計(jì)小貼士38:使用簡(jiǎn)易鎖存電路保護(hù)電源
2018-08-10 00:03:004147 電源設(shè)計(jì)小貼士2:駕馭噪聲電源
2018-08-08 02:22:006284 電源設(shè)計(jì)小貼士27:壓降式并行電源供應(yīng)
2018-08-08 01:36:002046 電源設(shè)計(jì)小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源
2018-08-08 01:33:005235 電源設(shè)計(jì)小貼士34:如何設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的隔離偏置電源
2018-08-22 00:40:003135 電源設(shè)計(jì)小貼士 40:非隔離式電源的共模電流
2018-08-08 01:38:004716 電源設(shè)計(jì)小貼士11&12:解決電源電路損耗問題
2018-08-08 00:33:004458 電源設(shè)計(jì)小貼士53-采用P-Spice設(shè)計(jì)電源控制環(huán)路
2018-08-21 01:20:002596 通過PMBus電源向ASIC、FPGA?以及DDR電壓軌供電設(shè)計(jì)
2018-08-06 00:08:004442 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分,都采用源同步時(shí)序,即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達(dá)1866Mbps;DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù),明顯提高了存儲(chǔ)帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 嚴(yán)格來說,合肥長(zhǎng)鑫的內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā),也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中,但是紫光國(guó)微沒有生產(chǎn)能力,DDR內(nèi)存無法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:112744 今年,小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存,此后,這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端,DDR5內(nèi)存還是需要等待的,英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122479 最快在2021年9月份,隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來,DDR5內(nèi)存也要商用了,今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了,DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰,但前景肯定不會(huì)多好
2021-02-02 11:27:393279 對(duì)于電源電壓,DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個(gè)電源,分別為VDDQ、VTT和VREF。
2021-03-18 01:13:0525 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 三星發(fā)布3款DDR5內(nèi)存用電源管理芯片 外媒 TheElec 報(bào)道稱,在 5 月 19 日的時(shí)候,三星電子正式發(fā)布了 3 款 DDR5 內(nèi)存用電源管理芯片,可以做到高效直流降壓。 三星稱,最新的電源
2021-05-21 18:11:342944 DDR內(nèi)存是3.3V,DDR1內(nèi)存是2.5V參考電壓是1.25V,DDR2內(nèi)存是1.8V電壓參考電壓是0.9V。 CPU供電是雙12V的,3.3V主要是供給開機(jī),復(fù)位5VSB(待機(jī)電壓)內(nèi)存電壓偏低
2021-06-23 16:28:353559 一、DDR電源 DDR的電源可以分為三類: 1.1 主電源VDD和VDDQ 主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO ?buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ
2021-08-18 11:15:294054 作者:Robert Kollman,德州儀器 (TI)
在這篇《
電源設(shè)計(jì)
小貼士》中,我們繼續(xù)《
電源設(shè)計(jì)
小貼士? #32-第 1 部分》的討論,即如何確定 SEPIC 拓?fù)渲旭詈想姼械穆╇姼幸?/div>
2021-11-10 09:44:531611 作者:Robert Kollman,德州儀器 (TI)
Note:欲查看《電源設(shè)計(jì)小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容,請(qǐng)點(diǎn)擊下載PDF合輯(已收集1-10章和11-20章,20-30章敬請(qǐng)期待)。
在這
2021-11-10 09:44:531713 日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長(zhǎng)達(dá)15年,因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái),即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:503918 電源管理設(shè)計(jì)小貼士:回到未來,電力電子產(chǎn)品如何變化
2022-11-01 08:26:000 電源小貼士#78:同步整流可改善反激式電源的交叉調(diào)整率
2022-11-01 08:26:562 電源小貼士:在何處連接頻率分析儀參考引線用于波德圖測(cè)量——第1部分
2022-11-02 08:16:112 電源小貼士:使用C型USB端口進(jìn)行電力共享
2022-11-02 08:16:280 電源小貼士:如何成功設(shè)計(jì)超寬輸入小功率反激式轉(zhuǎn)換器
2022-11-04 09:50:101 電源小貼士:如何用分立組件設(shè)計(jì)穩(wěn)健的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器
2022-11-04 09:50:450 電源小貼士:如何用分立組件設(shè)計(jì)穩(wěn)健的串聯(lián)線性穩(wěn)壓器
2022-11-04 09:50:460 電源小貼士:如何為波特圖設(shè)置頻率響應(yīng)分析儀
2022-11-04 09:50:470 LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案,兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標(biāo)準(zhǔn)。該 IC 包括 VDDQ和 VTT DC/DC 控制器和精密線性VTT 參考。差分輸出檢測(cè)放大器和精密內(nèi)部基準(zhǔn)相結(jié)合,提供精確的VDDQ供應(yīng)。
2023-01-17 10:29:271728 DDR內(nèi)存由于其快速的數(shù)據(jù)傳輸速率和成本而在服務(wù)器和個(gè)人計(jì)算機(jī)中變得非常流行。DDR 內(nèi)存需要主內(nèi)存電源(也稱為 VDD)和跟蹤端接電源 VTT。MAX1917為多功能快速PWM降壓控制器,能夠灌入和拉出高達(dá)25A的電流。本應(yīng)用筆記說明了MAX1917用作服務(wù)器DDR存儲(chǔ)器的VDD電源。
2023-03-10 10:24:331930 電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大,所以PCB設(shè)計(jì)時(shí),如果有一個(gè)完整的電源平面鋪到管腳上,是最理想的狀態(tài),并且在電源入口加大電容儲(chǔ)能,每個(gè)管腳上加一個(gè)100nF~10nF的小電容濾波。
2023-06-01 14:37:49514 編者注:DDR總線的設(shè)計(jì)相對(duì)而言是非常復(fù)雜的,比如電源系統(tǒng)中就包含了很多中電源的設(shè)計(jì),只是某些工程師在設(shè)計(jì)的時(shí)候做了一些簡(jiǎn)化。本文就針對(duì)VTT做了比較詳細(xì)的介紹。
2023-06-16 16:35:213426 本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步 DRAM (SDRAM)。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源,電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓(VTT)。
2023-06-26 10:34:36549 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512813 RK3588 VCC_DDR電源PCB設(shè)計(jì) 1、VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求,連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)?,路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重,必須計(jì)算有效線寬,確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN
2023-09-28 07:40:05427 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003895 DDR內(nèi)存條的設(shè)計(jì)
2022-12-30 09:20:0321 再談DDR內(nèi)存布線
2022-12-30 09:21:082 VTT電源對(duì)DDR有什么作用?
2023-11-27 16:20:14579 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052867 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120
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