DDR內(nèi)存終端電源

本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。

雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM） 用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)。這些存儲器IC使用2.5V或1.8V電源電壓。它們需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓 （VREF = VDD/2）。其邏輯輸出通過電阻端接至終止電壓 （VTT），該電阻等于并跟蹤 VREF。VTT 必須在保持 VTT = VREF ±0.04V 的同時提供或吸收電流。

圖1所示電路為2.5V和1.8V存儲器系統(tǒng)提供終止電壓，并提供高達(dá)6A的電流。U1 包括一個降壓控制器和兩個線性穩(wěn)壓控制器，工作在 4.5V 至 28V 的輸入電壓范圍內(nèi)。其固定的 200kHz PWM 控制器通過拉電流和灌電流來維持輸出電壓。最大灌電流等于最大源電流，但灌電流沒有電流限制。當(dāng)灌電流時，器件將一些電流返回到輸入電源。

圖1.該電路產(chǎn)生DDR同步DRAM的終止電壓。

為了實現(xiàn)跟蹤功能，U1的一個額外的線性穩(wěn)壓器控制器被配置為反相放大器。該放大器將VDD/2（由R11和R12創(chuàng)建）與U1的VREF進(jìn)行比較，并產(chǎn)生一個誤差信號，該信號通過R6施加到U1的FB引腳，從而迫使VOUT跟蹤VDD/2。需要10mA負(fù)載（R10）來偏置反相放大器以實現(xiàn)精確跟蹤。VOUT 可以跟蹤 VDD/2 的 VDD/2，范圍為 1V 至 4V。

審核編輯：郭婷