工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2016-10-09 11:11:13
19365 
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2012-09-10 09:59:45613 IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2022-06-09 10:35:032270 
現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)芯片能保護(hù)到的IGBT的項(xiàng)。
2022-09-05 10:05:424179 為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過(guò)程機(jī)理，我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別：簡(jiǎn)單來(lái)看，IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+層提供空穴載流子，這樣可以和漏極N+區(qū)域的電子
2023-01-17 13:59:2912950 
IGBT是高頻開(kāi)關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過(guò)流或短路故障時(shí)，器件中流過(guò)的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來(lái)聊聊IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175483 
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17918 
這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312610 
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型晶體管（BJT）的載流能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
2024-02-18 10:29:261070 
間距2.54mm 2P 短路帽/跳線帽 開(kāi)口式
2023-04-06 21:57:12
間距2.54mm 2P 短路帽/跳線帽 閉口式
2023-06-15 14:45:00
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:13
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:17
的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
IGBT有哪些封裝形式？
2019-08-26 16:22:43
https://mp.weixin.qq.com/s/5zWSxhNFF19kqCKUh7B4zg上述視頻鏈接包含了以下四個(gè)方面內(nèi)容：— 雙脈沖測(cè)試要點(diǎn)回顧— 短路的分類與安全工作區(qū)— 短路測(cè)試方法— 測(cè)試注意事項(xiàng)講師PPT見(jiàn)附件。
2020-06-28 10:48:45
在IGBT短路時(shí)，假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路，此時(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動(dòng)電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動(dòng)電壓
2024-02-25 11:31:12
6us內(nèi)關(guān)斷，不過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片有DESAT腳，無(wú)IGBT下測(cè)試，生效時(shí)間6us內(nèi)。)于是想先在低壓下同樣操作看異常波形在哪。目前在50V母線電壓情況下做關(guān)斷，測(cè)出有下面這樣的波形，從C極關(guān)斷時(shí)候的高壓看
2019-07-04 21:27:32
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)方法當(dāng)過(guò)流情況出現(xiàn)時(shí)，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時(shí)間與電源電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過(guò) 流保護(hù)。產(chǎn)生過(guò)流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線接錯(cuò)或絕緣損壞等形成短路、輸出端對(duì)地短路與電機(jī)絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
主要是關(guān)于IGBT的短路保護(hù)問(wèn)題
2018-07-02 21:53:23
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開(kāi)通，請(qǐng)問(wèn)這是一種什么樣的過(guò)程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來(lái)，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過(guò)程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
開(kāi)啟IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？關(guān)斷IGBT時(shí)IGBT的電壓與電流有何關(guān)系？
2021-10-14 09:09:20
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系？為什么？
2023-03-16 11:37:09
降均為無(wú)窮大。 如果測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間壓降很小，IGBT管以壞；若測(cè)得IGBT管CE引腳間壓降均為無(wú)窮大（要以廠家提供的資料為準(zhǔn)，有可能有的IGBT管內(nèi)不含阻尼二極管），說(shuō)明該管已開(kāi)路損壞。實(shí)際維修中IGBT管多為擊穿（短路）損壞。
2012-04-18 16:15:53
，不想搭建分立的原件，所以想要使用集成的驅(qū)動(dòng)電路。但是網(wǎng)上有IGBT驅(qū)動(dòng)板，IGBT驅(qū)動(dòng)核，IGBT驅(qū)動(dòng)芯，IGBT適配板，IPM，這些到底有啥區(qū)別？哪種最為簡(jiǎn)單？`
2017-10-10 17:16:20
igbt保護(hù)電路短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì):由對(duì)圖1所示電路的分析,可以得到igbt短路保護(hù)電路的原理更詳細(xì)請(qǐng)查看：新型IGBT短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
2008-10-21 01:19:56
幾種IGBT短路保護(hù)電路圖7是利用IGBT過(guò)流時(shí)Vce增大的原理進(jìn)行保護(hù)的電路，用于專用驅(qū)動(dòng)器EXB841。EXB841內(nèi)部電路能很好地完成降柵及軟關(guān)斷，并具有內(nèi)部延遲功能，以消除干擾產(chǎn)生的誤動(dòng)作
2009-01-21 13:06:31
驅(qū)動(dòng)電路的工作原理是什么？短路自動(dòng)斷電保護(hù)電路有何作用？
2021-08-05 07:47:01
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一
2019-07-24 04:00:00
三相逆變器中IGBT的驅(qū)動(dòng)電路有哪幾種？用于IGBT驅(qū)動(dòng)的集成電路芯片有哪些？其使用方法和優(yōu)缺點(diǎn)是什么?
2021-04-20 06:35:24
。IGBT的缺點(diǎn)，一是集電極電流有一個(gè)較長(zhǎng)時(shí)間的拖尾——關(guān)斷時(shí)間比較長(zhǎng)，所以關(guān)斷時(shí)一般需要加入負(fù)的電壓加速關(guān)斷；二是抗DI/DT的能力比較差，如果像保護(hù)MOS管一樣在很大的短路電流的時(shí)候快速關(guān)斷MOS管極可
2022-06-08 16:03:07
。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍是10 μs，但近年來(lái)的趨勢(shì)是在往5 μs3以及某些條件下低
2019-10-06 07:00:00
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
使用IGBT首要注意的是過(guò)流保護(hù),產(chǎn)生過(guò)流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線接錯(cuò)或絕緣損 壞等形成短路、輸出端對(duì)地短路與電機(jī)絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。針對(duì)這些原因該如何設(shè)計(jì)電路呢？
2019-02-14 14:26:17
縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射 極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平 的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍
2018-08-20 07:40:12
，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路
2021-08-12 07:00:00
。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍是10 μs，但近年來(lái)的趨勢(shì)是在往5 μs3以及某些條件下低至
2018-07-30 14:06:29
更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍
2018-11-01 11:26:03
電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流
2018-10-10 18:21:54
導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間
2019-04-29 00:48:47
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類電力電子應(yīng)用都開(kāi)始要求用專門、專業(yè)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場(chǎng)截止（FS） IGBT進(jìn)一步降低
2018-09-30 16:10:52
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
短路保護(hù)是保證分?jǐn)?b class="flag-6" style="color: red">短路電流后設(shè)備無(wú)損。太專業(yè)了!(可以保護(hù)接地故障)
變頻器為什么沒(méi)有短路保護(hù)?成本問(wèn)題?元件問(wèn)題?
IGBT測(cè)試,電壓很小,電流也很小,只能做為設(shè)備靜態(tài)是保護(hù);
過(guò)載:變頻器可以
2023-11-22 06:09:26
請(qǐng)問(wèn)各位大神，空調(diào)的PFC電路的IGBT，帶FRD跟不帶FRD有什么區(qū)別？
2017-04-24 09:31:50
根據(jù)集電極退飽和檢測(cè)短路原理及IGBT 的短路安全工作區(qū)(SCSOA) 限制,設(shè)計(jì)出具有較完善性能的IGBT 短路保護(hù)電路。分析與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,短路保護(hù)快速、安全、可靠、簡(jiǎn)便、應(yīng)用價(jià)值較
2009-10-28 10:56:53
118 igbt保護(hù)電路
短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì):由對(duì)
2008-10-21 01:19:32909 
IGBT短路保護(hù)電路原理圖
2008-10-23 21:43:483576 
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2017-02-10 12:31:101842 
在vdc=1200v下進(jìn)行了短路試驗(yàn)，試驗(yàn)波形如圖6所示。可見(jiàn)，在關(guān)斷開(kāi)通短路電流和通態(tài)短路電流時(shí)，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作區(qū)間內(nèi)，有效地保護(hù)了IGBT，所采用的有源電壓箝位技術(shù)達(dá)到了預(yù)期的效果
2017-05-16 16:15:046121 
使用的具有自關(guān)斷能力的器件，開(kāi)關(guān)頻率高，廣泛應(yīng)用于各類固態(tài)電源中。但如果控制不當(dāng)，它很容易損壞。一般認(rèn)為IGBT損壞的主要原因有兩種：一是IGBT退出飽和區(qū)而進(jìn)入了放大區(qū)使得開(kāi)關(guān)損耗增大;二是IGBT發(fā)生短路，產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流，從而
2017-10-09 18:27:1439 為解決中、大功率等級(jí)IGBT的可靠驅(qū)動(dòng)問(wèn)題，本文提出了驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)方案。同時(shí)，在變流器極端工況下研究了IGBT的相關(guān)特性，提出了極端工況IGBT的保護(hù)措施，包括IGBT柵極電壓應(yīng)力防護(hù)、VCE電壓應(yīng)力抑制、過(guò)流與短路等工況的保護(hù)措施及工作原理。
2018-06-17 09:57:0032146 
在IGBT的應(yīng)用中，當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障，或者柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)異常，或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態(tài)下需要同時(shí)承受
2019-10-07 15:04:0024314 
來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說(shuō)，IGBT的雙脈沖實(shí)驗(yàn)和短路實(shí)驗(yàn)一般都會(huì)在一個(gè)階段進(jìn)行，但是有的時(shí)候短路測(cè)試會(huì)被忽略，原因有些時(shí)候會(huì)直接對(duì)裝置直接實(shí)施短路測(cè)試，但是此時(shí)實(shí)際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:074458 。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。...
2021-01-21 10:28:5414 雖然如今設(shè)計(jì)的典型工業(yè)級(jí)IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時(shí)間，但SiC MOSFET幾乎沒(méi)有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOSFET的一個(gè)基本缺陷。但通過(guò)更為詳細(xì)的背景分析
2021-01-26 16:07:334702 
IGBT短路測(cè)試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時(shí)會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象，如圖1所示。退飽和后IGBT會(huì)承受全母線電壓，同時(shí)集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發(fā)生短路時(shí)的瞬時(shí)功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 適用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的 Fairchilds 第二代場(chǎng)截止、陽(yáng)極短路、溝槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240 英飛凌IGBT模塊開(kāi)關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時(shí)過(guò)載情況下的最高工作結(jié)溫可達(dá)175度。
2023-02-06 14:30:24633 
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2023-02-07 16:12:22696 
目錄 1、IGBT的工作原理和退飽和 1.1 IGBT 和 MOSFET結(jié)構(gòu)比較 1.2 IGBT 和 MOSFET 在對(duì)飽和區(qū)的定義差別 1.3 IGBT 退飽和過(guò)程和保護(hù) 2、電感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 IGBT保護(hù)的問(wèn)題 現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)芯片能保護(hù)到的IGBT的項(xiàng)。1.Vce過(guò)壓2.Vge過(guò)壓3.短路保護(hù)4.過(guò)高的di/dt 主要是看一下短路保護(hù)和過(guò)流保護(hù)短路的定義1.橋臂內(nèi)短路
2023-02-23 09:57:0015 每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說(shuō)一遍，就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)，相比于其他大功率開(kāi)關(guān)器件，IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、沒(méi)有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。
2023-05-25 17:31:342959 
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進(jìn)一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系，研究了
IGBT 背面工藝對(duì)抗短路能力的影響。通過(guò) TCAD 仿真，在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間，針對(duì)
2023-08-08 10:14:470 電池短路試驗(yàn)是常見(jiàn)的一種電池安全性能試驗(yàn)。電池短路有分為外部短路與內(nèi)部短路，兩者有什么區(qū)別呢？
2023-10-11 16:49:48899 
IGBT模塊損壞時(shí)，什么情況導(dǎo)致短路？什么情況導(dǎo)致開(kāi)路？? IGBT模塊是一種功率模塊，用于高功率電子設(shè)備控制。當(dāng)IGBT模塊在使用過(guò)程中遭受損壞時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)短路或開(kāi)路的問(wèn)題。這兩種情況會(huì)對(duì)電路
2023-10-19 17:08:182733 什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291044 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25312 
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:38792 由于短路會(huì)導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開(kāi)關(guān)管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會(huì)超過(guò)IGBT管的額定電流，導(dǎo)致IGBT管過(guò)電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個(gè)復(fù)雜且多元的問(wèn)題，涉及多個(gè)因素相互作用。以下是對(duì)IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析，旨在達(dá)到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53907 短路耐受時(shí)間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了系統(tǒng)在檢測(cè)到短路并采取措施（如關(guān)閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長(zhǎng)
2024-02-06 16:43:251317 
一類短路和二類短路的區(qū)別? 一類短路和二類短路是電路中常見(jiàn)的兩種故障類型。它們?cè)诠收闲再|(zhì)、引起原因、對(duì)電路影響以及檢測(cè)方法等方面存在著明顯的區(qū)別。 一、一類短路的定義、形成原因和表現(xiàn) 1. 定義
2024-02-18 10:07:51336 。在IGBT上下橋的應(yīng)用中，短路可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備損壞、系統(tǒng)失效甚至火災(zāi)等嚴(yán)重后果。 IGBT上下橋短路的原因可以分為以下幾種： 1. 設(shè)計(jì)缺陷：不合理的設(shè)計(jì)和材料使用可能導(dǎo)致IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)出現(xiàn)問(wèn)題，進(jìn)而引發(fā)短路。例如，設(shè)計(jì)中未考慮到足夠的絕緣層厚度
2024-02-18 10:08:38332 三相短路接地和三相短路的區(qū)別? 三相短路接地和三相短路是電力系統(tǒng)中兩種常見(jiàn)的故障形態(tài)，它們之間存在一些區(qū)別。 首先，三相短路接地是指三相電源系統(tǒng)中的一相電源與地或?qū)w之間發(fā)生短路，而其他兩相電源
2024-02-18 10:21:53479 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見(jiàn)的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開(kāi)路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT過(guò)流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫(xiě)，是一種半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開(kāi)關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT開(kāi)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開(kāi)關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電源、驅(qū)動(dòng)、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 IGBT導(dǎo)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過(guò)程中可能發(fā)生的過(guò)流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流能力的輸出信號(hào)。在工業(yè)控制和電源
2024-02-20 11:00:57205
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