工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過(guò)流和短路保護(hù)的問(wèn)題及處理方法

　　工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過(guò)流檢測(cè) 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問(wèn)題，同時(shí)提供三相電機(jī)控制應(yīng)用中隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)驗(yàn)性示例。

　　工業(yè)環(huán)境中的短路有哪些？

　　工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的工作環(huán)境相對(duì)惡劣，可能出現(xiàn)高溫、交流線(xiàn) 路瞬變、機(jī)械過(guò)載、接線(xiàn)錯(cuò)誤以及其它突發(fā)情況。其中有些事 件可能會(huì)導(dǎo)致較大的過(guò)流流入電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率電路中。圖1顯 示了三種典型的短路事件。

　　圖1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的典型短路事件

　　它們是：

　　逆變器直通。這可能是由于不正確開(kāi)啟其中一條逆變器橋臂 的兩個(gè)IGBT所導(dǎo)致的，而這種情況又可能是因?yàn)樵馐芰穗姶?干擾或控制器故障。它也可能是因?yàn)楸凵系钠渲幸粋€(gè)IGBT磨 損/故障導(dǎo)致的，而正常的IGBT保持開(kāi)關(guān)動(dòng)作。

　　相對(duì)相短路。這可能是因?yàn)樾阅芟陆?、溫度過(guò)高或過(guò)壓事件 導(dǎo)致電機(jī)繞組之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。

　　相線(xiàn)對(duì)地短路。這同樣可能是因?yàn)樾阅芟陆?、溫度過(guò)高或過(guò) 壓事件導(dǎo)致電機(jī)繞組和電機(jī)外殼之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。

　　一般而言，電機(jī)可在相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)（毫秒到秒，具體取決于 電機(jī)尺寸和類(lèi)型）吸收極高的電流；然而，IGBT——工業(yè)電機(jī)驅(qū) 動(dòng)逆變器級(jí)的主要部分——短路耐受時(shí)間為微秒級(jí)。

　　IGBT短路耐受能力

　　IGBT短路耐受時(shí)間與其跨導(dǎo)或增益以及IGBT芯片熱容量有關(guān)。更 高的增益導(dǎo)致IGBT內(nèi)的短路電流更高，因此顯然增益較低的IGBT 具有較低的短路電平。然而，較高增益同樣會(huì)導(dǎo)致較低的通態(tài) 導(dǎo)通損耗，因而必須作出權(quán)衡取舍。1 IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增 加短路電流電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù) 的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，2 縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射 極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線(xiàn)電壓電平 的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍 是10 μs，但近年來(lái)的趨勢(shì)是在往5 μs3 以及某些條件下低至1 μs方 向發(fā)展。4 此外，不同器件的短路耐受時(shí)間也有較大的不同，因 此對(duì)于IGBT保護(hù)電路而言，通常建議內(nèi)建多于額定短路耐受時(shí) 間的額外裕量。

　　IGBT過(guò)流保護(hù)

　　無(wú)論出于財(cái)產(chǎn)損失還是安全方面的考量，針對(duì)過(guò)流條件的IGBT 保護(hù)都是系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵所在。IGBT并非是一種故障安全元 件，它們?nèi)舫霈F(xiàn)故障則可能導(dǎo)致直流總線(xiàn)電容爆炸，并使整個(gè)驅(qū)動(dòng)出現(xiàn)故障。5 過(guò)流保護(hù)一般通過(guò)電流測(cè)量或去飽和檢測(cè)來(lái)實(shí) 現(xiàn)。圖2顯示了這些技巧。對(duì)于電流測(cè)量而言，逆變器臂和相位 輸出都需要諸如分流電阻等測(cè)量器件，以便應(yīng)付直通故障和電 機(jī)繞組故障?？刂破骱?或柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必 須及時(shí)關(guān)斷IGBT，防止超出短路耐受時(shí)間。這種方法的最大好 處是它要求在每個(gè)逆變器臂上各配備兩個(gè)測(cè)量器件，并配備一 切相關(guān)的信號(hào)調(diào)理和隔離電路。只需在正直流總線(xiàn)線(xiàn)路和負(fù)直 流總線(xiàn)線(xiàn)路上添加分流電阻即可緩解這種情況。然而，在很多 情況下，驅(qū)動(dòng)架構(gòu)中要么存在臂分流電阻，要么存在相位分流 電阻，以便為電流控制環(huán)路服務(wù)，并提供電機(jī)過(guò)流保護(hù)；它們 同樣可能用于IGBT過(guò)流保護(hù)——前提是信號(hào)調(diào)理的響應(yīng)時(shí)間足 夠快，可以在要求的短路耐受時(shí)間內(nèi)保護(hù)IGBT。

　　圖2. IGBT過(guò)流保護(hù)技術(shù)示例

　　去飽和檢測(cè)利用IGBT本身作為電流測(cè)量元件。原理圖中的二極 管確保IGBT集電極-發(fā)射極電壓在導(dǎo)通期間僅受到檢測(cè)電路的監(jiān) 控；正常工作時(shí)，集電極-發(fā)射極電壓非常低（典型值為1 V至4 V）。 然而，如果發(fā)生短路事件，IGBT集電極電流上升到驅(qū)動(dòng)IGBT退出 飽和區(qū)并進(jìn)入線(xiàn)性工作區(qū)的電平。這導(dǎo)致集電極-發(fā)射極電壓快 速升高。上述正常電壓電平可用來(lái)表示存在短路，而去飽和跳 變閾值電平通常在7 V至9 V區(qū)域內(nèi)。重要的是，去飽和還可表示 柵極-發(fā)射極電壓過(guò)低，且IGBT未完全驅(qū)動(dòng)至飽和區(qū)。進(jìn)行去飽 和檢測(cè)部署時(shí)需仔細(xì)，以防誤觸發(fā)。這尤其可能發(fā)生在IGBT尚 未完全進(jìn)入飽和狀態(tài)時(shí)，從IGBT關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換到IGBT導(dǎo)通狀態(tài)期 間。消隱時(shí)間通常在開(kāi)啟信號(hào)和去飽和檢測(cè)激活時(shí)刻之間，以 避免誤檢。通常還會(huì)加入電流源充電電容或RC濾波器，以便在 檢測(cè)機(jī)制中產(chǎn)生短暫的時(shí)間常數(shù)，過(guò)濾噪聲拾取導(dǎo)致的濾波器 雜散跳變。選擇這些濾波器元件時(shí)，需在噪聲抗擾度和IGBT短 路耐受時(shí)間內(nèi)作出反應(yīng)這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡。

　　檢測(cè)到IGBT過(guò)流后，進(jìn)一步的挑戰(zhàn)便是關(guān)閉處于不正常高電流 電平狀態(tài)的IGBT。正常工作條件下，柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)為能夠盡 可能快速地關(guān)閉IGBT，以便最大程度降低開(kāi)關(guān)損耗。這是通過(guò) 較低的驅(qū)動(dòng)器阻抗和柵極驅(qū)動(dòng)電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)的。如果針對(duì)過(guò)流條 件施加同樣的柵極關(guān)斷速率，則集電極-發(fā)射極的di/dt將會(huì)大很 多，因?yàn)樵谳^短的時(shí)間內(nèi)電流變化較大。由于線(xiàn)焊和PCB走線(xiàn) 雜散電感導(dǎo)致的集電極-發(fā)射極電路寄生電感可能會(huì)使較大的過(guò) 壓電平瞬間到達(dá)IGBT（因?yàn)閂LSTRAY = LSTRAY × di/dt）。因此，在去飽 和事件發(fā)生期間，關(guān)斷IGBT時(shí)，提供阻抗較高的關(guān)斷路徑很重 要，這樣可以降低di/dt以及一切具有潛在破壞性的過(guò)壓電平。

　　除了系統(tǒng)故障導(dǎo)致的短路，瞬時(shí)逆變器直通同樣會(huì)發(fā)生在正常 工作條件下。此時(shí)，IGBT導(dǎo)通要求IGBT驅(qū)動(dòng)至飽和區(qū)域，在該區(qū)域中導(dǎo)通損耗最低。這通常意味著導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的柵極-發(fā)射極電 壓大于12 V。IGBT關(guān)斷要求IGBT驅(qū)動(dòng)至工作截止區(qū)域，以便在高 端IGBT導(dǎo)通時(shí)成功阻隔兩端的反向高電壓。原則上講，可以通 過(guò)使IGBT柵極-發(fā)射極電壓下降至0 V實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)。但是，必須考 慮逆變器臂上低端晶體管導(dǎo)通時(shí)的副作用。導(dǎo)通時(shí)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電 壓的快速變化導(dǎo)致容性感應(yīng)電流流過(guò)低端IGBT寄生密勒柵極-集 電極電容（圖3中的CGC）。該電流流過(guò)低端柵極驅(qū)動(dòng)器（圖3中的 ZDRIVER）關(guān)斷阻抗，在低端IGBT柵極發(fā)射極端創(chuàng)造出一個(gè)瞬變電壓 增加，如圖所示。如果該電壓上升至IGBT閾值電壓VTH以上，則 會(huì)導(dǎo)致低端IGBT的短暫導(dǎo)通，從而形成瞬態(tài)逆變器臂直通—— 因?yàn)閮蓚€(gè)IGBT都短暫導(dǎo)通。這一般不會(huì)破壞IGBT，但卻能增加功 耗，影響可靠性。

　　圖3. 密勒感應(yīng)逆變器直通

　　一般而言，有兩種方法可以解決逆變器IGBT的感應(yīng)導(dǎo)通問(wèn) 題——使用雙極性電源和/或額外的米勒箝位。在柵極驅(qū)動(dòng)器 隔離端接受雙極性電源的能力為感應(yīng)電壓瞬變提供了額外的裕 量。例如，–7.5 V負(fù)電源軌表示需要大于8.5 V的感應(yīng)電壓瞬變才 能感應(yīng)雜散導(dǎo)通。 這足以防止雜散導(dǎo)通。另一種方法是在完成 關(guān)斷轉(zhuǎn)換后的一段時(shí)間內(nèi)降低柵極驅(qū)動(dòng)器電路的關(guān)斷阻抗。這 稱(chēng)為米勒箝位電路。容性電流現(xiàn)在流經(jīng)較低阻抗的電路，隨后 降低電壓瞬變的幅度。針對(duì)導(dǎo)通與關(guān)斷采用非對(duì)稱(chēng)柵極電阻， 便可為開(kāi)關(guān)速率控制提供額外的靈活性。所有這些柵極驅(qū)動(dòng)器 功能都對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的可靠性與效率有正面影響。