，SiC襯底材料的應(yīng)用前景再次受到廣泛關(guān)注。SiC單晶采用物理氣相傳輸（PVT）方法制備，6英寸產(chǎn)品投入市場(chǎng)，厚度約為10–30mm。相比之下，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石材料單晶硅（Si
2023-12-20 13:46:36
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探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41631 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭(zhēng)之地。在下游需求帶動(dòng)下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進(jìn)，更大的襯底尺寸
2022-11-23 09:22:561614 在搜索了微芯片自己的開發(fā)板之后，我還沒有找到基于10英寸（1024x 600）控制器的解決方案。我的目標(biāo)是在工業(yè)應(yīng)用中在10英寸顯示器上實(shí)現(xiàn)一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的GUI，其中主機(jī)MCU（PIC32mz）將
2020-04-02 10:18:20
按部就班，但產(chǎn)量、良率和價(jià)格等方面的壓力則需要一些特定類型的設(shè)備，如垂直腔表面發(fā)射激光器（VCSEL）在可能的情況下將使用單片式工藝。這與傳統(tǒng)的一次性批量處理多片晶圓不同，這些三五族（III-V）材料
2019-05-12 23:04:07
各位江湖英雄，本人在現(xiàn)在急需一款2.0英寸左右大小的 LCD ，分辨率要求320*240以上，顯示效果要好，產(chǎn)品每月需求量20K左右，如有誰(shuí)有相關(guān)資源，請(qǐng)告知！謝謝！
2017-03-03 11:31:29
電壓：2.5～3.6V2. LCD尺寸：2.8英寸3.分辨率RGBx320x2404、驅(qū)動(dòng)IC：ILI9320/9325/93415.顯示尺寸：57.6mm x 43.2mm6.顏色深度：16位7、背光
2022-08-16 07:21:14
的價(jià)格為準(zhǔn)。三、4英寸顯示屏幕屏廠家介紹4英寸顯示屏幕屏在深圳的廠家應(yīng)該有不少，但是我們在選擇廠家時(shí)需要注意廠家的實(shí)際實(shí)力，盡量找細(xì)分行業(yè)的4英寸顯示屏幕屏廠家，更懂行業(yè)，也會(huì)給你推薦更適合的產(chǎn)品，避免你走彎路，能更快的讓項(xiàng)目落地。
2023-02-02 11:37:35
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗(yàn)規(guī)范，還有不知道在大陸有誰(shuí)在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
員已經(jīng)在Si IGBT上使用SiC MOSFET觀察到系統(tǒng)級(jí)價(jià)格的顯著優(yōu)勢(shì)，并且我們預(yù)計(jì)隨著150 mm晶圓的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，SiC MOSFET的價(jià)格將繼續(xù)下降?！ D7：在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
范圍內(nèi)。 首先，把預(yù)成型的Sn96.5-Ag3.5焊料切割成SiC芯片的尺寸。然后把鍵合工具、基板、預(yù)成型焊料、DBC襯底以及芯片按順序放置到加熱腔中。把整套裝置放到爐內(nèi)，在60秒內(nèi)升溫至液相線溫度
2018-09-11 16:12:04
半導(dǎo)體有限公司的第一大股東，是行業(yè)龍頭天科合達(dá)。11月中旬，天科合達(dá)舉辦了“8英寸導(dǎo)電型SiC襯底”新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，預(yù)計(jì)項(xiàng)目明年量產(chǎn)。這一量產(chǎn)時(shí)間，緊跟全球步伐。SiC大規(guī)模上車，三原因成加速上車“推手
2022-12-27 15:05:47
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
。 據(jù)了解，臺(tái)積電一方面決定快速投資設(shè)備廠——ASML，重金砸下新臺(tái)幣400億元，領(lǐng)先取得跨入18寸晶圓的門票，給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手巨大壓力;另一方面，為了系統(tǒng)單晶片趨勢(shì)，也開始向下游封測(cè)業(yè)布局?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在智能手機(jī)銷量
2012-08-23 17:35:20
半導(dǎo)體廠產(chǎn)能利用率再拉高，去化不少硅晶圓存貨，加上庫(kù)存回補(bǔ)力道持續(xù)加強(qiáng)，業(yè)界指出，12吋硅晶圓第二季已供給吃緊，現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)走高且累計(jì)漲幅已達(dá)1～2成之間，合約價(jià)亦見止跌回升，8吋及6吋硅晶圓現(xiàn)貨價(jià)同步
2020-06-30 09:56:29
采用厚度150μm的晶圓以維持2：1的縱橫比。 為了完成MOSFET功率放大器所需WLP封裝工藝的開發(fā)，藍(lán)鯨計(jì)劃聯(lián)盟的成員DEK和柏林工業(yè)大學(xué)開發(fā)出一種焊球粘植工藝，可在直徑為6英寸的晶圓上以500
2011-12-01 14:33:02
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機(jī)原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
+ 4HNO3 + 6 HF? 3H2SiF6 +4 NO + 8H2O 拋光：機(jī)械研磨、化學(xué)作用使表面平坦，移除晶圓表面的缺陷八、晶圓測(cè)試主要分三類：功能測(cè)試、性能測(cè)試、抗老化測(cè)試。具體有如:接觸測(cè)試
2019-09-17 09:05:06
1965年在總結(jié)存儲(chǔ)器芯片的增長(zhǎng)規(guī)律時(shí)(據(jù)說當(dāng)時(shí)在準(zhǔn)備一個(gè)講演)所使用的一份手稿。 “摩爾定律”通常是引用那些消息靈通人士的話來(lái)說就是：“在每一平方英寸硅晶圓上的晶體管數(shù)量每個(gè)12月番一番。”下面
2011-12-01 16:16:40
為什么有不同尺寸？N 奈米又代表什么?晶圓的尺寸指的是它的直徑大小，就跟蛋糕一樣。早期的技術(shù)只能做出 2～4 寸的晶圓，隨著技術(shù)進(jìn)步，逐漸發(fā)展出 6 寸、8 寸、12 寸、18 寸，甚至 20 寸以上的晶圓
2022-09-06 16:54:23
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
有人又將其稱為圓片級(jí)-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對(duì)象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
頭底部，即可量測(cè)拋光頭與晶圓接觸面的實(shí)時(shí)壓力分布狀況。因此可以在儀器操作配置時(shí)，可以平衡這些壓力，改善儀器的使用工況，降低不良率，提高產(chǎn)能。I-SCAN系統(tǒng)不僅能夠收集靜態(tài)的壓力資訊，還可以觀察壓力
2013-12-04 15:28:47
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下晶圓有什么用？`
2020-04-10 16:49:13
的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中，12寸晶圓有較高的產(chǎn)能。當(dāng)然，生產(chǎn)晶圓的過程當(dāng)中，良品率是很重要的條件。`
2011-09-07 10:42:07
`晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？1 晶格：晶圓制程結(jié)束后，晶圓的表面會(huì)形成許多格狀物，成為晶格。經(jīng)過切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
細(xì)間距的晶圓級(jí)CSP時(shí)，將其當(dāng)做倒裝晶片并采用助焊劑浸蘸的方法進(jìn)行組裝，以取代傳統(tǒng)的焊膏印刷組裝，如圖2所示，首先將晶圓級(jí)CSP浸蘸在設(shè)定厚度的助焊劑薄膜中，然后貼裝，再回流焊接，最后底部填充（如果有要求）。關(guān)于錫膏裝配和助焊劑裝配的優(yōu)缺點(diǎn)。圖1 工藝流程1——錫膏裝配圖2 工藝流程2——助焊劑裝配
2018-09-06 16:24:04
晶圓級(jí)CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
； ·尺寸和位置精度受阻焊膜窗口的影響，不適合密間距元件的裝配。 NSMD焊盤的尺寸和位置不受阻焊膜窗口的影響，在焊盤和阻焊膜之間有一定空隙，如圖2和圖3所示。對(duì)于 密間距晶圓級(jí)CSP，印刷電路板上的焊盤
2018-09-06 16:32:27
lines，saw lines，streets，avenues)：在晶圓上用來(lái)分隔不同芯片之間的街區(qū)。街區(qū)通常是空白的，但有些公司在街區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)靶，或測(cè)試的結(jié)構(gòu)。（3）工程試驗(yàn)芯片
2020-02-18 13:21:38
，擁有備份電路的產(chǎn)品會(huì)與其在晶圓針測(cè)時(shí)所產(chǎn)生的測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)一同送往雷射修補(bǔ)機(jī)中 ，這些數(shù)據(jù)包括不良品的位置，線路的配置等。雷射修補(bǔ)機(jī)的控制計(jì)算機(jī)可依這些數(shù)據(jù)，嘗試將晶圓中的不良品修復(fù)。 （3）加溫烘烤
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
CY7C1370KV25-167AXC的晶圓尺寸（英寸）是多少？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文What is the wafer size(inch) of CY7C1370KV25-167AXC?
2018-11-28 11:17:52
的透明晶棒，但由于純度不夠，雜質(zhì)較多，晶體存在晶格缺陷，位錯(cuò)大于1000，造成外延加工時(shí)候鍍砷化鎵晶格位錯(cuò)不準(zhǔn)，做出的芯片后LED不發(fā)光，或發(fā)光率低，造成下游客戶沒法用。進(jìn)而后期進(jìn)而退貨影響到晶棒的銷售
2011-12-20 10:03:56
公司在6英寸硅晶圓生產(chǎn)（2017年轉(zhuǎn)為8 英寸硅晶圓）領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位和與合作方的親密協(xié)作，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)能力并提供了產(chǎn)業(yè)必需的成本結(jié)構(gòu)，破除了氮化鎵技術(shù)在商業(yè)基站市場(chǎng)應(yīng)用中所面臨的障礙。生產(chǎn)
2017-08-30 10:51:37
的速度較慢，一旦大規(guī)模的商用化對(duì)供應(yīng)產(chǎn)能方面會(huì)跟不上。劉鑫指出，MACOM的GaN產(chǎn)品用Si做襯底，Wafer可以做的很大，目前在6到8英寸，未來(lái)可以做到10英寸、12英寸，整個(gè)晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米
2017-05-23 18:40:45
可以做得更大，成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
ST推出市場(chǎng)上首款集成擴(kuò)展景深（EDoF）功能的1/4英寸光學(xué)格式3百萬(wàn)像素Raw Bayer傳感器。意法半導(dǎo)體最新的影像傳感器可實(shí)現(xiàn)最小6.5 x 6.5mm的相機(jī)模塊，而且圖像銳利度
2018-12-04 15:05:50
寸晶圓線，發(fā)布了最新款的MM32F013X系列芯片。下面把芯片的概述發(fā)給大家看看：1.1 概述本產(chǎn)品使用高性能的 ARM? Cortex?-M0 為內(nèi)核的 32 位微控制器，最高工作頻率可達(dá)72MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型 I/O 端口和外設(shè)連接到外部總線。本產(chǎn)品包含1 個(gè) 12 位的 ADC、
2021-08-20 06:41:15
自秋季以來(lái)，8英寸晶圓代工產(chǎn)能緊缺，報(bào)價(jià)調(diào)漲，MCU、MOS，TDDI，閃存，面板等電子元器件進(jìn)入了愈演愈烈的漲價(jià)模式。目前臺(tái)系臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積電等晶圓代工廠第四季訂單已經(jīng)全滿，明年
2021-07-23 07:09:00
等方面的技術(shù)。7.9寸平板顯示屏有幾個(gè)技術(shù)選擇：一是A-Si技術(shù)（非晶硅（Amorphous Silicon）），二是LTPS（低溫多晶硅（low temperature poly-silicon
2013-03-01 15:03:26
：所謂顯示技術(shù)，指的是決定顯示屏輕薄度、亮度、節(jié)能性等方面的技術(shù)。7.9寸平板顯示屏有幾個(gè)技術(shù)選擇：一是A-Si技術(shù)（非晶硅（Amorphous Silicon）），二是LTPS（低溫多晶硅（low
2013-03-11 11:50:11
【六寸晶圓金屬化工藝主管】崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)減少背金、鍍膜工序的工藝缺陷，改進(jìn)工藝條件，維護(hù)工藝的穩(wěn)定性，提高成品率；2、提出并實(shí)現(xiàn)優(yōu)化工藝條件等方法，提高生產(chǎn)效率，保證產(chǎn)能需求；3、協(xié)助設(shè)備工程師
2016-10-08 09:55:38
問題。在完成的器件中，晶體缺陷會(huì)引起有害的電流漏出，可能阻止器件在正常電壓下工作。有四類重要的晶體缺陷：1.點(diǎn)缺陷；2.位錯(cuò)；3.原生缺陷；4.雜質(zhì)。晶圓準(zhǔn)備晶體從單晶爐里出來(lái)以后，到最終的晶圓會(huì)經(jīng)
2018-07-04 16:46:41
半導(dǎo)體，必須符合下列錯(cuò)位密度的要求：高電壓的耐受范圍在0.65~3.3 kV之間，單片的電流大于100 A，而制造良率要在90%（錯(cuò)位缺陷要低，翹曲度要低）。第三個(gè)問題，晶圓價(jià)格高昂。如今，2英寸晶圓
2023-02-23 15:46:22
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
4.18）。電測(cè)器在電源的驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄下結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的，所以在探針電測(cè)器與第一片晶圓對(duì)準(zhǔn)后（人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺系統(tǒng)）的測(cè)試工作無(wú)須操作員
2011-12-01 13:54:00
`晶圓級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
半導(dǎo)體
晶圓（晶片）的直徑為4到10
英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，
在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
國(guó)內(nèi)有這樣的生產(chǎn)企業(yè)，能做到在8英寸及更大直徑的晶圓上加工嗎？
2018-01-01 14:34:32
安森美半導(dǎo)體全球制造高級(jí)副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開設(shè)了一個(gè)新建的8英寸
2018-10-25 08:57:58
翹曲度是實(shí)測(cè)平面在空間中的彎曲程度，以翹曲量來(lái)表示，比如絕對(duì)平面的翹曲度為0。計(jì)算翹曲平面在高度方向最遠(yuǎn)的兩點(diǎn)距離為最大翹曲變形量。翹曲度計(jì)算公式：晶圓翹曲度影響著晶圓直接鍵合質(zhì)量，翹曲度越小，表面
2022-11-18 17:45:23
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.微坑 - 在擴(kuò)散照明下可見的，晶圓片表面可區(qū)分的缺陷
2011-12-01 14:20:47
面對(duì)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)供給日益吃緊，大廠都紛紛開始大動(dòng)作出手搶貨了。前段時(shí)間存儲(chǔ)器大廠韓國(guó)三星亦到中國(guó)***地區(qū)擴(kuò)充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
、InP、GaAs、SiC等均有脆性。通過對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行倒角處理可將切割成的晶圓銳利邊修整成圓弧形,防止晶圓邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,，增加晶圓邊緣表面的機(jī)械強(qiáng)度，減少顆粒污染。同時(shí)也可以避免和減少后面的工序
2019-09-17 16:41:44
招聘6/8吋晶圓測(cè)試工藝工程師/主管1名工作地點(diǎn)：無(wú)錫工資：面議要求：1. 工藝工程師：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)3年以上，工藝主管：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)5年以上；2. 精通分立器件類產(chǎn)品晶圓測(cè)試，熟悉IC晶圓測(cè)試尤佳
2017-04-26 15:07:57
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯(lián)系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
看到了晶圓切割的一個(gè)流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來(lái)可以做到10英寸、12英寸，整個(gè)晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米
2017-08-29 11:21:41
的主流，但藍(lán)寶石襯底有散熱的問題，尺寸很難做到8-12寸，價(jià)格也比較貴，P面電流擴(kuò)展差，對(duì)中國(guó)的LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展也有很多現(xiàn)實(shí)的問題。 而硅襯底有一些優(yōu)勢(shì)，材料便宜，散熱系數(shù)好;難點(diǎn)就是有很高的缺陷密度
2014-01-24 16:08:55
、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來(lái)發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格.晶圓越大,同一圓片上可生產(chǎn)的IC就多,可降低成本;但要求材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)更高?！ ∏?、后工序:IC制造過程中, 晶圓光刻的工藝(即所謂
2013-06-26 16:38:00
?！ 〖す饪虅澥沟?b class="flag-6" style="color: red">晶圓微裂紋以及微裂紋擴(kuò)張大大減少， LED單體之間距離更近，這樣既提高了出產(chǎn)效率也提高了產(chǎn)能。一般來(lái)講，2英寸的晶圓可以分離出20,000個(gè)以上的LED單體器件，如此高的密度，因而切割
2011-12-01 11:48:46
請(qǐng)教，襯底的缺陷密度對(duì)結(jié)深有什么影響
2019-04-26 07:50:15
這個(gè)要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡(jiǎn)稱，只不過這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
12英寸晶圓片的外觀檢測(cè)方案？那類探針臺(tái)可以全自動(dòng)解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測(cè)試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
集成電路(IC)常用基本概念有:晶圓,多指單晶硅圓片,由普通硅沙拉制提煉而成,是最常用的半導(dǎo)體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來(lái)發(fā)展出12英寸甚至更大規(guī)格.晶圓越大,同一圓
2013-01-11 13:52:17
晶圓外延膜厚測(cè)試儀技術(shù)點(diǎn)：1.設(shè)備功能：? 自動(dòng)膜厚測(cè)試機(jī)EFEM，搭配客戶OPTM測(cè)量頭,完成晶圓片自動(dòng)上料、膜厚檢測(cè)、分揀下料；2.工作狀態(tài)：? 晶圓尺寸8/12 inch；? 晶圓材
2022-10-27 13:43:41
VIRTUAL AV-5000-MW8真空晶圓吸筆采用ADJUST-A-VAC? Elite精英型可調(diào)吸力電動(dòng)泵，可產(chǎn)生10英寸汞柱真空，根據(jù)被吸物體薄厚脆弱程度轉(zhuǎn)動(dòng)旋鈕調(diào)節(jié)吸力大小避免破碎，能安全
2022-11-22 10:35:05
VIRTUAL WAFER-VAC? ELITE精英型WVE-9000-MW8電動(dòng)真空吸筆具有條形圖顯示真空度提示安全轉(zhuǎn)移操作，配套VMWT-C 8寸PEEK吸筆頭，可牢牢抓住Wafer晶圓硅片
2022-11-22 10:51:08
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來(lái)越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文
2023-06-30 14:57:40
晶圓測(cè)溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測(cè)溫晶圓表面溫度均勻性測(cè)試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
WD4000無(wú)圖晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)是通過非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？杉嫒莶煌馁|(zhì)
2024-02-21 13:50:34
WD4000國(guó)產(chǎn)晶圓幾何形貌量測(cè)設(shè)備通過非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？蓪?shí)現(xiàn)砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動(dòng)態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭(zhēng)之地。在下游需求帶動(dòng)下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進(jìn)，更大的襯底尺寸
2022-11-23 07:20:031487 使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單晶襯底。使用拉曼光譜儀、高分辨 X-射線衍射
2022-12-20 11:35:501698 本實(shí)驗(yàn)通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn)，采用物理氣相傳輸(physical vapor transport, PVT)法進(jìn)行擴(kuò)徑生長(zhǎng)獲得直徑放大的SiC單晶。
2023-01-17 14:10:101194 研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測(cè)，盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩，但2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
2023-06-08 10:12:34436 
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
2023-06-13 16:48:17376 
從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場(chǎng)上主流還是6英寸碳化硅襯底？
2023-06-20 15:01:24765 
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(zhǎng)速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī)。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國(guó)際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 SiC襯底，產(chǎn)業(yè)瓶頸亟待突破
2023-01-13 09:06:23
3 去年7月，超芯星6英寸SiC襯底進(jìn)入美國(guó)一流器件廠商，由此成功打入美國(guó)市場(chǎng)；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與國(guó)內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸SiC深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。為滿足國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求，超芯星計(jì)劃將6-8英寸SiC襯底的年產(chǎn)量提升至150萬(wàn)片。
2023-12-15 17:16:161131 近年來(lái)，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈，最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占比最高，達(dá)到50%左右。
2024-03-08 14:24:32197 
SiC晶圓廠，也意味著8英寸襯底正式拉開量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù)難點(diǎn)，目前國(guó)內(nèi)廠商的進(jìn)度又如何？近期包括天科合達(dá)、爍科晶體等廠商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點(diǎn)。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:002283 
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