在自然界中sio2二氧化硅的存在是非常廣泛的，本內(nèi)容解釋了sio2是什么意思，sio2的物理性質(zhì)是什么，讓大家充分了解sio2
2011-12-13 10:41:13
20242 數(shù)量增多。 碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應(yīng)用領(lǐng)域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結(jié)晶完整性最近幾年顯著改進(jìn)，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經(jīng)研究證實(shí)，晶圓襯底的表面處理時(shí)間越長(zhǎng)，則表面
2016-11-04 13:00:021600 
和Si晶體拉晶工藝類似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過程中也會(huì)引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級(jí)的點(diǎn)缺陷；位錯(cuò)；堆垛層錯(cuò)；以及碳包裹體和六方空洞等。其中和和Si晶體拉晶工藝
2023-12-26 17:18:471088 
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41631 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
，即非本征缺陷時(shí)才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風(fēng)險(xiǎn)與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無(wú)缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
一些問題，其中大部分與柵極氧化物直接相關(guān)。1978年科羅拉多州立大學(xué)的研究人員測(cè)量了純SiC與生長(zhǎng)的SiO 2之間的雜亂過渡區(qū)域。已知這種過渡區(qū)具有高密度的界面態(tài)和氧化物陷阱，其抑制載流子遷移率并導(dǎo)致
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
設(shè)計(jì)得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
設(shè)計(jì)得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-04-22 06:20:22
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
柵極偏壓）試驗(yàn)（+22V、150℃）中，在裝置中未發(fā)生故障和特性波動(dòng)，順利通過1000小時(shí)測(cè)試。閾值穩(wěn)定性（柵極正偏壓）SiC上形成的柵極氧化膜界面并非完全沒有陷阱，因此當(dāng)柵極被長(zhǎng)時(shí)間施加直流的正偏壓
2018-11-30 11:30:41
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
，VF變高，不會(huì)熱失控。但是VF上升，因此具有IFSM（瞬間大電流耐受能力）比Si-FRD低的缺點(diǎn)。SiC-SBD的VF特性改善為提升具有卓越本質(zhì)的SiC-SBD的特性，使之更加易用，開發(fā)了VF降低
2018-11-30 11:52:08
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
vs IF）、以及正向電壓與抗浪涌電流特性（VF vs IFSM）比較圖。第2代SiC-SBD通過改善制造工藝，保持了與以往產(chǎn)品同等的漏電流和trr性能，同時(shí)將VF降低了約0.15V。因而改善了VF帶來
2018-11-30 11:51:17
耐壓。要想提高Si-SBD的耐壓，只要增厚圖中的n-型層、降低載流子濃度即可，但這會(huì)帶來阻值上升、VF變高等損耗較大無(wú)法實(shí)際應(yīng)用的問題。因此，Si-SBD的耐壓200V已經(jīng)是極限。而SiC擁有超過硅
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。而Si材料中，為了改善伴隨高耐壓化而引起的導(dǎo)通電阻增大的問題，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar
2019-07-23 04:20:21
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
的測(cè)試參數(shù)均會(huì)有所偏差。因而需定期調(diào)校機(jī)器參數(shù)，以保證測(cè)試參數(shù)的精準(zhǔn)度。測(cè)試設(shè)備在相當(dāng)一部分的大型PCB企業(yè)均半年或一年進(jìn)行整機(jī)保養(yǎng)、調(diào)校內(nèi)部性能參數(shù)。追求“零缺陷”汽車用PCB一直為廣大PCB人努力的方向，但受制程設(shè)備、原材料等多方面的限制，至今PCB世界百?gòu)?qiáng)企業(yè)仍在不斷探索降低PPm的方法。
2019-03-26 06:20:02
或一年進(jìn)行整機(jī)保養(yǎng)、調(diào)校內(nèi)部性能參數(shù)。追求“零缺陷”汽車用PCB一直為廣大PCB人努力的方向，但受制程設(shè)備、原材料等多方面的限制，至今PCB世界百?gòu)?qiáng)企業(yè)仍在不斷探索降低PPm的方法。
2018-09-19 16:13:12
我正在使用 CY8C5867LTI-LP025。
我知道我需要使用 SIO 端口來使用 I2C、UART 等。
SPI通信是否也需要使用 SIO 端口？
2024-03-06 06:23:39
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢(shì)而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
MOSFET整流器和逆變器的工作頻率。另外，LC濾波器的截止頻率也可以提高，這意味著LC濾波器的容量將會(huì)降低，從而降低ACL和ACC濾波電路的損耗和重量。表1APS產(chǎn)品的規(guī)格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
如下圖所示，常溫25℃，采用SiC SBD開啟損耗略好，但125℃時(shí)采用SiFRD的開啟損耗為SiC SBD的兩倍。
圖：雙脈沖測(cè)試不同溫度開啟損耗對(duì)比
3、SiC SBD可以降低電流尖峰，改善系統(tǒng)
2023-10-07 10:12:26
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進(jìn)的同時(shí)，也帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
/+15V）溫度175℃下進(jìn)行HTGBR和HTRB實(shí)驗(yàn)1000h無(wú)產(chǎn)品失效。除了常規(guī)AEC-Q101中要求的1000h小時(shí)實(shí)驗(yàn)，派恩杰半導(dǎo)體對(duì)于柵極壽命經(jīng)行了大量研究。由于SiC/SiO2界面存在比Si
2022-03-29 10:58:06
都已充分證明其高品質(zhì)水平。在基板處理、外延生長(zhǎng)和制造方面的進(jìn)步顯著地降低缺陷密度，我們將看到持續(xù)的工藝改進(jìn)和更高的量。安森美半導(dǎo)體在整個(gè)工藝周期采用了獨(dú)特的方法，以確保客戶獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品。另一
2018-10-29 08:51:19
Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)從SiC-SBD的這些特征可以看出，替代Si-PND/FRD的優(yōu)勢(shì)是得益于SiC-SBD的“高速性”。??1.trr高速，因此可大幅降低恢復(fù)損耗，實(shí)現(xiàn)高效率??2.同樣
2018-11-29 14:33:47
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較?；謴?fù)的時(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
六大方法降低汽車用PCB缺陷率
2021-01-28 07:57:56
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
800萬(wàn)的EMMI/OBIRCH在顯示SiC芯片漏電點(diǎn)上的效果一樣，但是價(jià)格卻大大降低。對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行FIB切割分析：我們觀察到此發(fā)熱點(diǎn)金屬化薄膜鋁條被熔斷。存在缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常會(huì)表現(xiàn)出異常
2018-11-02 16:25:31
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
設(shè)計(jì)得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
和可再生能源，如果沒有冷卻組件，效率也會(huì)更好，而且有助于降低成本、尺寸和環(huán)境負(fù)擔(dān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC仍處于進(jìn)化曲線的起點(diǎn)，它還能走多遠(yuǎn)呢？系統(tǒng)工程師急切地等待著發(fā)現(xiàn)，但我們可以根據(jù)SiC如何模仿硅器件的發(fā)展做出一些
2023-02-27 14:28:47
粗糙散射在SiC反型層中起主要作用;反之，溝道散射以庫(kù)侖散射為主，此時(shí)高密度的界面態(tài)電荷將成為降低溝道遷移率的主要因素?！ ?.總結(jié)通過學(xué)習(xí)這兩款新型的功率器件，不僅在設(shè)計(jì)上，更取得了實(shí)質(zhì)性的效果。來源
2017-06-16 10:37:22
改善，并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
25度上升到攝氏200度時(shí)，閾值電壓值（Vth）降低了600mV，擊穿電壓（BV）上升了約50V，不難看出，SiC MOSFET性能明顯高于矽MOSFET。圖4 : SiC SCT30N120中
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
研究了SiC表面氫化降低界面態(tài)密度的機(jī)理。采用緩慢氧化、稀釋的HF刻蝕、沸水浸泡的表面氫化處理方法，降低SiC表面態(tài)密度。該方法用于SiC器件的表面處理，在100℃以下制備了理想
2009-05-07 20:31:44
35 SiC 肖特基二極管氣體傳感器可以廣泛應(yīng)用于檢測(cè)氣體排放物和氣體泄露。通過采用PdCr 合金,可以提高Pd/ SiC 氣體傳感器的靈敏度。同時(shí),在Pd 層和SiC 之間引入SnO2 作為界面層也是提高
2009-06-22 13:49:3416 ITO玻璃技術(shù)之SiO2阻擋膜層規(guī)格
SiO2 阻擋膜層規(guī)格
2008-10-25 16:04:251408 六大方法降低汽車用PCB缺陷率 前言 ：汽車電子市場(chǎng)是繼電腦、通訊之后PCB的第三大應(yīng)用領(lǐng)域。隨著汽車從傳統(tǒng)意義上的機(jī)械產(chǎn)品，逐步演化、發(fā)展成為
2009-11-16 08:57:23490 鍍復(fù)SiO2膜的電容器介質(zhì)膜
成功一種能在幾百小時(shí)連續(xù)沉積SiO2膜的新穎電子束蒸發(fā)裝置，獲國(guó)家發(fā)明專利，在此基礎(chǔ)上
2009-12-08 09:03:32702 什么是Prescott/SiO2F?
這是Intel最新的CPU核心，目前還只有Pentium 4而沒有低端的賽揚(yáng)采用，其與Northwood最大的區(qū)別是采用了0.09um制造工藝
2010-02-04 11:28:54394 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266541 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 各種多種晶型，它們的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合適用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能夠熱氧化形成SiO2的化合物半導(dǎo)體，所以適合制備MOS型功率器件。
2018-07-15 11:05:419257 
各種多種晶型，它們的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合適用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能夠熱氧化形成SiO2的化合物半導(dǎo)體，所以適合制備MOS型功率器件。
2018-09-29 09:08:008115 日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動(dòng)態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。
2021-03-06 10:20:083028 華秋DFM專業(yè)設(shè)計(jì)分析軟件-一鍵監(jiān)查降低設(shè)計(jì)缺陷
2021-07-19 19:13:050 華秋DFM專業(yè)設(shè)計(jì)分析軟件-一鍵檢查降低設(shè)計(jì)缺陷
2021-07-23 15:05:110 本文介紹了在APT32F102中使用SIO的應(yīng)用范例。，SIO 模塊是一個(gè)串行輸入輸出的控制器，可以模擬多種串行通信協(xié)議，支持雙向數(shù)據(jù)傳輸。 由 D0, D1, DL, DH 四個(gè)對(duì)象組合編碼，可以用于 MCU 外圍硬件接口不夠，但又需要和其它設(shè) 備通信或者器件自定協(xié)議的場(chǎng)合。
2022-06-02 14:44:235 本文基于PGC 咨詢公司進(jìn)行的分析，研究了當(dāng)今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了這些問題，包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化，這有助于降低比導(dǎo)通電阻，降低碳化硅成本。
2022-07-29 17:19:05952 
為什么需要關(guān)注 SiC MOSFET 柵極？盡管具有傳統(tǒng)的 SiO 2柵極氧化物，但該氧化物的性能比傳統(tǒng) Si 基半導(dǎo)體中的經(jīng)典 Si-SiO 2界面更差。這是由于在SiC 的 Si 終止面上生長(zhǎng)
2022-08-04 09:23:041129 
目前針對(duì)SiC的研究已相當(dāng)深入，仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力，本文對(duì)此再做一個(gè)簡(jiǎn)要介紹。如圖1所示，相較于Si基材料，SiC與SiO2柵氧層界面缺陷密度更高，SiC早期失效、非本征失效(虛線)發(fā)生的概率要比Si材料的高三四個(gè)數(shù)量級(jí)
2022-08-05 11:21:311220 阻等性能，同時(shí)影響器件的可靠性。近期，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出了完備的缺陷信息數(shù)據(jù)庫(kù)，并對(duì)GaN基TMBS的界面特性進(jìn)行了系統(tǒng)性研究，深入剖析了界面缺陷對(duì)GaN基TMBS器件性能的影響，并完善了圖1所展示的肖特基接觸界面附近存在的
2022-10-08 09:39:33612 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
關(guān)鍵要點(diǎn) ? SiC MOSFET因其在降低功率轉(zhuǎn)換損耗方面的出色表現(xiàn)而備受關(guān)注。 ? 以DC-DC轉(zhuǎn)換器和EV應(yīng)用為例，介紹使用新一代（第4代）SiC MOSFET所帶來的優(yōu)勢(shì)–降低
2023-02-15 23:45:05343 近日，韓國(guó)企業(yè)EQ TechPlus宣布，他們開發(fā)了一種下一代氧化膜沉積設(shè)備，用于大規(guī)模生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體，與采用傳統(tǒng)高溫?zé)嵫趸O(shè)備相比，該設(shè)備可以將SiC界面碳含量降低約50%。
2023-06-13 16:46:14452 
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:35:56706 
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693 5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621 我們知道，SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問題，最近，日本東北大學(xué)提出了一項(xiàng)新的外延生長(zhǎng)技術(shù)，據(jù)說可以將柵氧界面的缺陷降低99.5%，溝道電阻可以降低85.71%，整體SiC MOSFET損耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49612 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《照明的綠色革命--降低制造過程中的缺陷率.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 09:55:250 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
高導(dǎo)電性的界面可以改善一氧化硅（SiO）的快充性能，但是目前為止，界面導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量如何影響輸運(yùn)行為、力學(xué)穩(wěn)定性，以及微觀結(jié)構(gòu)與性能之間的量化關(guān)系的潛在機(jī)制尚未得到系統(tǒng)的研究和理解。
2023-12-12 09:21:15321 
4H-SiC概述（生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03487 
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