據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)的報(bào)告預(yù)估，汽車(chē)，電氣設(shè)備，信息和通信設(shè)備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體（SiC和GaN）需求的預(yù)計(jì)將增加。預(yù)計(jì)2030年（與2018
2019-06-25 11:22:42
7827 在未來(lái)十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:041532 “PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下，該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大，2013年共迎來(lái)了近8000名參觀者。在本屆展會(huì)上，開(kāi)發(fā)
2013-07-09 09:46:493475 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷(xiāo)售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開(kāi)始
2016-03-24 08:26:111306 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:533169 
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車(chē)廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率
2021-05-21 14:57:182257 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒(méi)有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來(lái)簡(jiǎn)單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來(lái)看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
近日納微半導(dǎo)體宣布推出至今世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 電源適配器參考設(shè)計(jì)。這種高頻及高效的AllGaN?功率IC相比傳統(tǒng)硅IC可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕
2017-09-25 10:44:14
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
預(yù)約項(xiàng)目。參展商可與專(zhuān)業(yè)買(mǎi)家提前建立聯(lián)系，從而大大節(jié)省展會(huì)期間的時(shí)間，提高參展效率。 展覽+會(huì)議 PCIM 2010 中國(guó)的主要展出產(chǎn)品 ↘功率半導(dǎo)體 ↘DSP、微處理器 ↘被動(dòng)元件 ↘電源、UPS
2010-03-11 19:17:14
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
，可應(yīng)用在較高頻率、電壓與溫度的嚴(yán)苛環(huán)境下，還可達(dá)到低耗損高效率的特性。隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)的重視，電子產(chǎn)品效率要求的提高，讓GaN與SiC成為世界各國(guó)半導(dǎo)體業(yè)研究的重點(diǎn)?！ 」杌鵌GBT一般工作于
2018-10-23 16:12:16
OpenHarmony將攜新成果亮相HDC2022第四屆華為開(kāi)發(fā)者大會(huì) 2022（Together）將于11月4日-6日在東莞召開(kāi)，OpenAtom OpenHarmony（以下簡(jiǎn)稱“OpenHarmony”）將攜新生態(tài)成果亮相HDC2022。邀你共建、共賞、共探索！
2022-10-31 17:30:57
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
`Qorvo的TGF2023-2-05是基于SiC HEMT的5.0 mm離散GaN，其工作頻率范圍為DC至18 GHz。TGF2023-2-05通常在3 GHz時(shí)可提供43 dBm的飽和輸出功率
2021-03-18 12:03:50
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
有限公司（以下簡(jiǎn)稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢(shì)力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
在接下來(lái)的幾周內(nèi)，安森美半導(dǎo)體的專(zhuān)家將在路上，幫助設(shè)計(jì)工程師在美國(guó)和加拿大的五個(gè)地點(diǎn)解決他們的電源應(yīng)用挑戰(zhàn)。安森美半導(dǎo)體的電力研討會(huì)側(cè)重于技術(shù)和技術(shù)，而非產(chǎn)品。我們邀請(qǐng)您與我們的電源專(zhuān)家會(huì)面，探討
2018-10-29 08:57:06
有限公司（以下簡(jiǎn)稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢(shì)力正在奮力追趕，致力補(bǔ)齊國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
，全方位展示宇陽(yáng)科技高品質(zhì)MLCC產(chǎn)品及技術(shù)實(shí)力。
?
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體新銳品牌安森德（展位號(hào)1F35）攜功率器件、模擬IC及SIP系統(tǒng)級(jí)芯片與行業(yè)解決方案重磅亮相，邀您共商“芯”機(jī)遇，共謀“芯”發(fā)展
2023-08-24 11:49:00
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
，以支持在整個(gè)低、中和高功率范圍的多樣化應(yīng)用。從用于車(chē)載媒體應(yīng)用到空調(diào)的器件，到用于內(nèi)燃機(jī)(ICE)、混合動(dòng)力和純電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)的高功率方案，安森美半導(dǎo)體正在不斷開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，以幫助支持和加速汽車(chē)技術(shù)
2018-10-30 09:06:50
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄?shí)際設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
用于無(wú)線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見(jiàn)光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開(kāi)始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:059833 Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來(lái)幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:275745 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門(mén)的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:48911 尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來(lái)臨
2021-04-01 14:10:192124 
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)
2020-11-16 10:19:322223 為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，電裝開(kāi)始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI”車(chē)型就搭載了該產(chǎn)品。 持續(xù)布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)
2021-05-03 16:18:0010175 
新能源和軌道交通等市場(chǎng)的快速發(fā)展，對(duì)電力電子產(chǎn)品的要求也越來(lái)越高，除了傳統(tǒng)主流的IGBT，第三代半導(dǎo)體材料，GaN和SiC，由于其更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率等特性也越來(lái)越得到市場(chǎng)的認(rèn)可。一年一度
2021-09-22 16:14:151904 半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211644 
AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會(huì)?用一整天的時(shí)間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點(diǎn)是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391 
PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是全球最大的功率半導(dǎo)體展會(huì)。今年5月，瑞能半導(dǎo)體攜多款旗艦產(chǎn)品亮相展會(huì)，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，以及在家用電器、可再生能源、汽車(chē)、通訊等領(lǐng)域卓越的功率器件產(chǎn)品組合產(chǎn)品。
2022-08-04 11:45:251168 氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350 
由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來(lái)市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長(zhǎng)34.5%，2035年擴(kuò)大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長(zhǎng)31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將參加于5月9日至11日在德國(guó)紐倫堡舉辦的2023PCIM歐洲展會(huì)。PCIM歐洲是全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)及研討會(huì)。屆時(shí)，羅姆將展示其推進(jìn)可持續(xù)技術(shù)的新型功率半導(dǎo)體，包括
2023-05-09 14:25:12375 當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月9日，全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商瑞能半導(dǎo)體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國(guó)紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET
2023-05-10 14:19:30770 
展示成果的最佳機(jī)會(huì)。 瑞能半導(dǎo)體源自恩智浦，擁有完整且嚴(yán)格的研發(fā)、認(rèn)證和生產(chǎn)管理體系，是中國(guó)本土最早的SiC功率器件供應(yīng)商。 自2011年以來(lái)，瑞能半導(dǎo)體持續(xù)研發(fā)并推出多種碳化硅半導(dǎo)體器件，出貨量累計(jì)達(dá)4000萬(wàn)顆。目前，瑞能SiC二極管產(chǎn)品已完成六代產(chǎn)品開(kāi)
2023-05-23 13:44:331135 功率半導(dǎo)體和芯片公司，瞻芯電子將攜最新碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體、芯片產(chǎn)品和解決方案參展，在N5館儲(chǔ)能技術(shù)及裝備、逆變器、電源國(guó)際品牌館亮相，并期待與您共同探討未來(lái)的綠色能源發(fā)展之路。 ? 瞻芯電子致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件和模塊、柵極驅(qū)動(dòng)芯片、控制芯片產(chǎn)品
2023-05-25 14:59:221125 
發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動(dòng)控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個(gè)生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國(guó)紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體
2022-05-13 15:56:37379 
技術(shù)。 三安半導(dǎo)體專(zhuān)注于碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體的研發(fā)和制造，展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)展示了最新的產(chǎn)品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關(guān)鍵器件，其中自主開(kāi)發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝平臺(tái)備受矚目。憑借卓越的品質(zhì)和先進(jìn)的制造工藝，三安半導(dǎo)體贏得了全球
2023-07-12 21:39:14429 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
）。 本次展會(huì)聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)， 羅姆工程師還將在明日（8月30日）現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“第三代半導(dǎo)體論壇”以及“電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享
2023-08-29 12:10:06294 
的最新技術(shù)與產(chǎn)品。? ? ? ? 揚(yáng)杰科技攜帶晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產(chǎn)品首次亮相國(guó)內(nèi)PCIM Asia展，詳細(xì)全面介紹了在汽車(chē)電子、工控、清潔能源等高"信賴性"需
2023-08-31 17:55:02476 
【 2023 年 8 月 29 日 ， 中國(guó)上海訊】 英飛凌（Infineon）今日攜廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品，亮相于上海新國(guó)際博覽中心舉辦的?“2023上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下
2023-09-01 18:39:37670 
? ? ?2023年8月29-31日，PCIM Asia國(guó)際電力元件、可再生能源管理展會(huì)于上海新國(guó)際博覽中心舉辦，主要展示功率半導(dǎo)體元件及模塊等電力電子方面的技術(shù)和產(chǎn)品。 ? ? ?翠展微電子作為
2023-09-02 16:15:01520 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
解更多公司，建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過(guò)以下途徑實(shí)現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 家 SiC、GaN 企業(yè)代表來(lái)共同見(jiàn)證第三代半導(dǎo)體的蓬勃發(fā)展。Nexperia（安世半導(dǎo)體）榮獲權(quán)威認(rèn)證，將「SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」與「中國(guó)GaN 功率器件十強(qiáng)」兩項(xiàng)大獎(jiǎng)收入囊中，展現(xiàn)了其作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力與深耕三代半領(lǐng)域的決心。
2023-12-21 11:37:25681 近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見(jiàn)證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。
2023-12-27 10:47:55225 
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷(xiāo)售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042
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