據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)的報(bào)告預(yù)估，汽車，電氣設(shè)備，信息和通信設(shè)備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體（SiC和GaN）需求的預(yù)計(jì)將增加。預(yù)計(jì)2030年（與2018
2019-06-25 11:22:42
7827 在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:041532 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開始
2016-03-24 08:26:111306 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 將超過30％。 ? 根據(jù)進(jìn)行的一項(xiàng)研究，新型材料半導(dǎo)體的特點(diǎn)是尺寸小且功率密度高，Global Market Insights預(yù)計(jì)，到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將超過45億美元
2021-05-21 14:57:182257 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡(jiǎn)單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
，其設(shè)計(jì)的方案滿足所有這些挑戰(zhàn)；與舊式慢速基于硅的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)相比，成本相近甚至更低?！薄 ?yīng)需而生的GaN功率IC Stephen解釋說，速率與效率是電源設(shè)計(jì)中兩個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，至今常用的半導(dǎo)體材料
2017-09-25 10:44:14
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國(guó)還專程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
，簡(jiǎn)化復(fù)雜的線路設(shè)計(jì)，讓設(shè)計(jì)者可以很容易的應(yīng)用并發(fā)揮其特性?！ √蓟?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體 除了GaN，碳化硅(SiC)是目前發(fā)展較成熟的寬能隙(WBG)半導(dǎo)體材料，在新一代電源中扮演了重要的角色，與傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體相比
2018-10-23 16:12:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
最先進(jìn)的控制方法并使用可用于設(shè)計(jì)人員的最佳半導(dǎo)體技術(shù)。在這個(gè)演示中，我們努力將這些拼圖連接起來以獲得高功率密度。我們將了解電源設(shè)計(jì)的最新趨勢(shì)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)和高功率密度設(shè)計(jì)的成本優(yōu)勢(shì)，以及最新的半導(dǎo)體技術(shù)
2018-10-29 08:57:06
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
請(qǐng)問有人知道怎么建立基于其他材料的器件仿真模型庫，不是硅材料的，比如說，GaN,SiC等寬禁帶材料的，謝謝啦，比如SiC的功率mos，我有功率mos的數(shù)值仿真數(shù)據(jù)，但是不知道怎樣在pspice中使用，呵呵，求達(dá)人告知
2009-12-02 11:35:39
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠(chéng)摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無處不在、IP無處不在和無縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。印象中的Sic應(yīng)該運(yùn)用于大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實(shí)際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對(duì)節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。③“數(shù)說”碳化硅碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長(zhǎng)技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡(jiǎn)要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)
2011-11-01 17:23:20
81 三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 電力半導(dǎo)體模塊新趨勢(shì)
2017-03-04 17:56:161 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向。
2017-10-17 17:23:191633 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:059833 雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。
2018-07-19 09:47:205129 本文闡述了下一代功率半導(dǎo)體（SiC、GaN）在豐田汽車批量的混合動(dòng)力車應(yīng)用的前景，主要針對(duì)作為車載電源的電力變換器上應(yīng)用的效果明顯：冷卻系統(tǒng)簡(jiǎn)易、燃費(fèi)指標(biāo)（ km/L）優(yōu)越、加之可高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)
2018-08-21 18:41:3310 關(guān)鍵詞：GaN , 5G技術(shù) , 5G網(wǎng)絡(luò) 來源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC與GaN(氮化鎵)具備耐高電壓特色，并有耐高溫與適合在高頻環(huán)境下優(yōu)勢(shì)，其可使芯片
2018-11-09 11:44:01220 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:574129 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，并且在射頻應(yīng)用中是對(duì)硅的重大改進(jìn)。
2020-04-30 14:35:3111724 從技術(shù)發(fā)展來看，隨著硅基器件的趨近成本效益臨界點(diǎn)，近年來主流功率半導(dǎo)體器件廠商紛紛圍繞碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行探索。第三代半導(dǎo)體材料具備寬禁帶、低功率損耗等特性，迅速在高壓高頻率等新場(chǎng)景下發(fā)展壯大，成為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域未來的重要發(fā)展趨勢(shì)之一。
2020-07-06 12:52:102471 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:48911 尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來臨
2021-04-01 14:10:192124 
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)
2020-11-16 10:19:322223 今日寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書長(zhǎng)陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)”的演講。
2020-12-04 11:12:042263 功率半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn) 電裝至今為止為了將SiC功率半導(dǎo)體（二極管、晶體管）應(yīng)用在車載用途中，一直在進(jìn)行SiC技術(shù)“REVOSIC＊2”的研發(fā)。SiC是一種半導(dǎo)體材料，與以往的Si（硅）相比，在高溫、高電波、高電壓環(huán)境下具備更優(yōu)秀的性能，對(duì)減少系統(tǒng)的電力消耗、小
2020-12-21 16:20:263192 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)
2021-05-03 16:18:0010175 
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211643 
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命，這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:15677 氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350 
氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:39718 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:30586 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042 Resonac（原昭和電工）是全球SiC外延片市場(chǎng)的佼佼者，該公司除了與羅姆半導(dǎo)體、英飛凌等建立長(zhǎng)期供貨關(guān)系之外，還獲得了日本企業(yè)的大量投資，以擴(kuò)大其SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)生產(chǎn)規(guī)模。如今，他們已成功簽訂了多份SiC材料長(zhǎng)期供給協(xié)議。
2024-01-15 10:30:02264
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