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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)

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2024-01-21 13:47:56

安全使用晶體管的判定方法

: 2SD2673的規(guī)格書(shū)(記載了絕對(duì)最大額定值)例:瞬間超過(guò)絕對(duì)最大額定值的例子(不可使用)3. 是否SOA范圍內(nèi)?確認(rèn)安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1安全工作區(qū)域(SOA)表示晶體管安全工作的區(qū)域
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晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告

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晶體管可以作為開(kāi)關(guān)使用!

狀態(tài)),由于電荷的存儲(chǔ)效應(yīng),晶體管工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換將有幾個(gè)微妙(μs)的動(dòng)作延遲,將該時(shí)間稱(chēng)為“恢復(fù)時(shí)間”。發(fā)射極連接繼電器線(xiàn)圈時(shí)需要注意線(xiàn)圈的反電動(dòng)勢(shì)晶體管開(kāi)關(guān)電路,如果連接的被控對(duì)象為電動(dòng)機(jī)或
2017-03-28 15:54:24

晶體管圖示儀的設(shè)計(jì)與制作資料分享

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晶體管電路設(shè)計(jì)叢書(shū)上冊(cè)

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2018-06-13 09:12:21

晶體管的分類(lèi)與特征

是基于代表的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表的參數(shù)如下。雙極晶體管(圖中以NPN為例)由PN結(jié)組成,通過(guò)基極流過(guò)電流,而在集電極
2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類(lèi)與特征

相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33

晶體管的開(kāi)關(guān)作用有哪些?

控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍
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晶體管的微變等效電路相關(guān)資料分享

。 (3)微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路,只能用來(lái)計(jì)算交流分量,不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 (4)晶體管的輸入電阻 RbE(hie)一般可用下列近似公式進(jìn)行估算:      式 表示晶體管
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晶體管的電參數(shù)實(shí)際使用中有何意義?

晶體管的電參數(shù)可分為哪幾種?晶體管的電參數(shù)實(shí)際使用中有何意義?
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晶體管的結(jié)構(gòu)特性

之間)和發(fā)射結(jié)(B、E極之間),發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,晶體管可分為PNP型和NPN型兩類(lèi)。電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類(lèi)型晶體管的發(fā)射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型
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晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降

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晶體管簡(jiǎn)介

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基區(qū)由發(fā)射結(jié)逐漸流向集電結(jié),形成集電極電流;最后,由于集電結(jié)處存在較大的反向電壓,阻止了集電區(qū)的自由電子向基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散,并將聚集集電結(jié)附近的自由電子吸引至集電區(qū),形成集電極電流。2.場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2016-06-29 18:04:43

晶體管工作原理是什么?

利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書(shū)看 下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03

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2019-09-26 09:00:23

場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路的特別應(yīng)用,你未必全都清楚

`電子元器件行業(yè),場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開(kāi)關(guān)電路的“神器”,那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn),所以開(kāi)關(guān)電路迅速走紅, 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路的有何特別
2019-04-16 11:22:48

場(chǎng)效應(yīng)晶體管分類(lèi)、結(jié)構(gòu)、測(cè)試、工作原理是什么

僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)
2011-12-19 16:30:31

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)及作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(英語(yǔ):field-effecttransistor,縮寫(xiě):FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類(lèi)型載流子的溝道的導(dǎo)電
2019-05-08 09:26:37

場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載

僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18

基本晶體管開(kāi)關(guān)電路,使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

區(qū)域,而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域?!   D1. 晶體管工作區(qū)  這些區(qū)域定義為:  ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域,晶體管將偏置最大基極電流,用于集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流,集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09

如何提高微波功率晶體管可靠?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠?
2021-04-06 09:46:57

如何訪(fǎng)問(wèn)ADS2012實(shí)際晶體管或其他組件?

嗨,我已經(jīng)使用ADS 2009很長(zhǎng)一段時(shí)間了,現(xiàn)在正考慮換到新版本。ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時(shí)遇到了問(wèn)題。我曾經(jīng)通過(guò)元件列表訪(fǎng)問(wèn)2009版的實(shí)際晶體管模型,例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08

實(shí)驗(yàn)室如何進(jìn)行非標(biāo)方法的確認(rèn)

和耐用,如果需要時(shí)還應(yīng)進(jìn)行不確定度評(píng)估。應(yīng)用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)真實(shí)地證明方法的適用性、準(zhǔn)確和靈敏。 1. 非標(biāo)方法的確認(rèn) 《實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)認(rèn)定評(píng)審準(zhǔn)則》5.3.5條款規(guī)定:實(shí)驗(yàn)室自行制訂的非標(biāo)方法,經(jīng)確認(rèn)
2017-11-14 14:39:11

射頻功率晶體管究竟有多耐用?

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27

教你正確使用SOA,別讓MOS破壞你的電路!

制的安全工作區(qū)縮小,所以實(shí)際應(yīng)用需要用特定工作環(huán)境下的導(dǎo)通電阻限定安全工作區(qū)。同樣,ID(max)、VD(MAX)和PD(MAX)都需要根據(jù)實(shí)際工作的環(huán)境條件進(jìn)行降額和修正。SOA實(shí)測(cè)示波器
2020-04-22 07:00:00

晶閘管的安全工作區(qū)

各位前輩,請(qǐng)問(wèn)關(guān)于晶閘管的安全工作區(qū)SOA)應(yīng)該怎么刻畫(huà)呢?
2017-06-20 15:40:06

概述晶體管

晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖:按照該分類(lèi),掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi),分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵晶體管GaN的概述和優(yōu)勢(shì)

引起的拉應(yīng)力,限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導(dǎo)電Si襯底的深度擊穿路徑,兩者之間插入晶格緩沖層(圖2)。硅體和晶體管的有源頂側(cè)?! D2.格緩沖區(qū)  該緩沖器確定晶體管的關(guān)鍵可靠特性起著
2023-02-27 15:53:50

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好?

輸出LLC轉(zhuǎn)換器,以進(jìn)行效率和功率密度比較。初級(jí)晶體管選擇LLC具有多種優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗哂型耆C振行為,允許整個(gè)范圍內(nèi)進(jìn)行軟開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,這本質(zhì)上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。圖2
2023-02-27 09:37:29

求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管

求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42

電子晶體管結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別

。在數(shù)字設(shè)備,肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路,所以不會(huì)采用電子?! ⊥ㄟ^(guò)以上的內(nèi)容可以看到,電子晶體管結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別,這就導(dǎo)致了兩者應(yīng)用范圍上的不同,顯然適應(yīng)更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子是必然的發(fā)展方向,但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合仍需使用電子。
2016-01-26 16:52:08

電路仿真正常,實(shí)際工作異常

電路仿真正常,可是實(shí)際工作輸出總是0vb點(diǎn)總是有負(fù)0.5v電壓。請(qǐng)高手幫助分析下
2018-08-18 11:58:22

直流高壓發(fā)生器功率電感的特點(diǎn)分析

高壓發(fā)生器的方法,又具有功率晶體管GP通態(tài)電壓低、耐壓高和電流容量大的優(yōu)點(diǎn),為電壓控制通斷的自關(guān)斷器件,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于數(shù)十kHz頻率范圍內(nèi),功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的工作原理、特點(diǎn)及參數(shù)介紹

個(gè)寄生的晶體管,當(dāng)IC大到一定程度,寄生晶體管導(dǎo)通,柵極失去控制作用。此時(shí),漏電流增大,造成功耗急劇增加,器件損壞。安全工作區(qū)隨著開(kāi)關(guān)速度增加將減小。  (6)柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

所需的組件,降低系統(tǒng)成本,提高可靠?! ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀(guān)察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖,然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26

選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,知道這六大訣竅就不用發(fā)愁了

`一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇的重要隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度,我們對(duì)電子產(chǎn)品性能的要求也越來(lái)越高,一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)與研發(fā),不光是開(kāi)關(guān)電源電路,還有便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會(huì)用到場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36

防止開(kāi)關(guān)晶體管損壞的措施

時(shí),RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。  3、充放電型RCD阻尼電路    圖三  圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),電容C通過(guò)二極被充電
2020-11-26 17:26:39

隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹

`傳統(tǒng)MOSFET,載流子從源極越過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33

(雙基極二極)單結(jié)晶體管工作原理

,電阻大的一次,紅表筆接的就是B1極。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,上述判別B1、B2的方法,不一定對(duì)所有的單結(jié)晶體管適用,有個(gè)別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過(guò)準(zhǔn)確地判斷哪極是B1,哪極是B2實(shí)際
2013-05-27 15:23:44

工業(yè)企業(yè)能源計(jì)量工作確認(rèn)規(guī)范 DB37/ 810-2007

工業(yè)企業(yè)能源計(jì)量工作確認(rèn)規(guī)范 DB37/ 810-2007范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工業(yè)企業(yè)能源計(jì)量工作確認(rèn)規(guī)范的術(shù)語(yǔ)和定義、確認(rèn)要求、確認(rèn)管理、確認(rèn)活動(dòng)、考評(píng)員資格。本標(biāo)準(zhǔn)適用
2008-11-06 16:36:1917

微課:晶體管安全工作區(qū)(1)#硬聲創(chuàng)作季

晶體管晶體管手冊(cè)
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-30 19:48:50

微課:晶體管安全工作區(qū)(2)#硬聲創(chuàng)作季

晶體管晶體管手冊(cè)
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-30 19:49:15

磁敏晶體管工作原理_磁敏晶體管的特性

本文主要闡述了磁敏晶體管工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:256592

Git在實(shí)際工作中的基本使用方法

代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開(kāi)發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。 本次分享Git在實(shí)際工作中
2020-09-14 18:12:282257

Git在實(shí)際工作中的使用方法

代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開(kāi)發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。
2020-09-21 09:54:232869

如何才能安全使用晶體管

使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講,負(fù)載太大壽命會(huì)縮短,最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。 為防止這種情況,需要檢查實(shí)際使用狀態(tài),并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法
2021-08-18 09:18:201873

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-實(shí)際工作中適用性確認(rèn)和準(zhǔn)備

從本章開(kāi)始進(jìn)入新篇章--“實(shí)際工作中適用性確認(rèn)”。在電路設(shè)計(jì)中,通常會(huì)基于電路要求,參考技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格來(lái)選擇適合的晶體管。然而,實(shí)際試制后,非常有可能發(fā)生從電路圖無(wú)法預(yù)測(cè)的瞬態(tài)現(xiàn)象、超乎預(yù)期的波動(dòng)、余量不足等問(wèn)題。
2023-02-10 09:41:03167

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)

在本章中將介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:03180

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)實(shí)際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)

在本章中將介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)
2023-02-10 09:41:04217

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)

在本章中介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側(cè)流程圖的“⑥確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)”。由于這一系列是以開(kāi)關(guān)工作為前提介紹的,因此在第⑤步選擇的是“連續(xù)脈沖”。
2023-02-10 09:41:04166

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)芯片溫度

在本章中介紹判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對(duì)雖然右側(cè)流程圖中沒(méi)有提及,但在下面項(xiàng)目中有的第⑦“確認(rèn)芯片溫度”進(jìn)行說(shuō)明。
2023-02-10 09:41:04459

實(shí)際工作中晶體管適用性確認(rèn)-總結(jié)

在本章中介紹了判斷所選的晶體管實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進(jìn)行最后的匯總。 前面按照右側(cè)流程圖及下列各項(xiàng)確認(rèn)了所選晶體管在實(shí)工作條件下是否適用,以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件下工作。
2023-02-10 09:41:05173

IGBT安全工作區(qū)(SOA)知識(shí)點(diǎn)

今天,本文就和大家嘮一嘮IGBT的安全工作區(qū),英文全稱(chēng)safe operating area,簡(jiǎn)稱(chēng)SOA。顧名思義,也就是說(shuō)只要使用的條件(電壓、電流、結(jié)溫等)不 超出SOA圈定的邊界,IGBT
2023-02-24 09:35:205

使用晶體管的選定方法(下)

3. 是否在SOA范圍內(nèi)? 確認(rèn)安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1 安全工作區(qū)域(SOA)表示晶體管安全工作的區(qū)域。 不過(guò),SOA只是關(guān)于1脈沖的數(shù)據(jù),在脈沖反復(fù)混入時(shí),需要所有脈沖都進(jìn)入SOA
2023-03-23 16:55:09739

MOSFET安全工作區(qū)域SOA

了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這篇文章中,我們將全面討論MOSFET數(shù)據(jù)表
2022-05-11 09:59:021108

MOSFET安全工作區(qū)域SOA是啥?

MOSFET安全工作區(qū)域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這
2023-05-09 09:47:03860

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