。 晶體管中的每個(gè)層都附有引線(xiàn)。由此產(chǎn)生的端子稱(chēng)為發(fā)射極、基極和集電極。底座始終是中間層。 工作原理 晶體管基本上是一個(gè)電子開(kāi)關(guān)。電源電壓和負(fù)載通過(guò)集電極和發(fā)射極端子接線(xiàn)。在沒(méi)有對(duì)基極端子施加電壓
2023-02-16 18:22:30
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí),如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
: 2SD2673的規(guī)格書(shū)(記載了絕對(duì)最大額定值)例:瞬間超過(guò)絕對(duì)最大額定值的例子(不可使用)3. 是否在SOA范圍內(nèi)?確認(rèn)安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1安全工作區(qū)域(SOA)表示晶體管可安全工作的區(qū)域
2019-05-05 09:27:01
安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1安全工作區(qū)域(SOA)表示晶體管可安全工作的區(qū)域。不過(guò),SOA只是關(guān)于1脈沖的數(shù)據(jù),在脈沖反復(fù)混入時(shí),需要所有脈沖都進(jìn)入SOA范圍內(nèi),并且通過(guò) "4. 確認(rèn)
2019-04-15 06:20:06
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo),是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作,必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),該系
2012-08-02 23:57:09
狀態(tài)),由于電荷的存儲(chǔ)效應(yīng),晶體管工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換將有幾個(gè)微妙(μs)的動(dòng)作延遲,將該時(shí)間稱(chēng)為“恢復(fù)時(shí)間”。在發(fā)射極連接繼電器線(xiàn)圈時(shí)需要注意線(xiàn)圈的反電動(dòng)勢(shì)在晶體管開(kāi)關(guān)電路中,如果連接的被控對(duì)象為電動(dòng)機(jī)或
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線(xiàn)的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀,可以獲得晶體管的實(shí)際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路:是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路,此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí),由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
或FET電路的必要性 1.1.1 僅使用IC的場(chǎng)合 1.1.2 晶體管電路或FET電路的設(shè)計(jì)空間 1.2 晶體管和FET的工作原理 1.2.1 何謂放大工作 1.2.2 晶體管的工作原理 1.2.3
2009-11-20 09:41:18
等同hFE,甚至相差很大,所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外,還與管子的工作電流(直流偏置)有關(guān),工作電流IC在正常情況下改變時(shí),β和hFE也會(huì)有所變化;若工作電流變得過(guò)小或
2018-06-13 09:12:21
是基于代表性的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管(圖中以NPN為例)由PN結(jié)組成,通過(guò)在基極流過(guò)電流,而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的,因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
。 (3)微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路,只能用來(lái)計(jì)算交流分量,不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 (4)晶體管的輸入電阻 RbE(hie)一般可用下列近似公式進(jìn)行估算: 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
晶體管的電參數(shù)可分為哪幾種?晶體管的電參數(shù)在實(shí)際使用中有何意義?
2021-06-08 06:11:12
之間)和發(fā)射結(jié)(B、E極之間),發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,晶體管可分為PNP型和NPN型兩類(lèi)。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類(lèi)型晶體管的發(fā)射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
在所有電源前加一負(fù)號(hào)即可得出相同的結(jié)論),即晶體管的兩個(gè)PN結(jié)均處于正偏狀態(tài)。由此可以得出晶體管飽和的定義:當(dāng)晶體管的兩個(gè)PN結(jié)均處于正偏時(shí),此晶體管就處于飽和狀態(tài)。在實(shí)際的放大應(yīng)用中,如果放大電路
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型 晶體管有雙極型和單極型兩種,通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為晶體管,而單極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件,它由摻雜類(lèi)型和濃度不同的三個(gè)區(qū)(發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
基區(qū)中由發(fā)射結(jié)逐漸流向集電結(jié),形成集電極電流;最后,由于集電結(jié)處存在較大的反向電壓,阻止了集電區(qū)的自由電子向基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散,并將聚集在集電結(jié)附近的自由電子吸引至集電區(qū),形成集電極電流。2.場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,你可以找機(jī)電方面的書(shū)看 下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03
CH571F做AD時(shí) 用到內(nèi)部1.05V 做基準(zhǔn)電壓,手冊(cè)值給出 25℃的測(cè)試數(shù)據(jù)(1.035-1.065)),請(qǐng)問(wèn),實(shí)際工作時(shí) 產(chǎn)品溫度范圍在零下30度~零上70度的范圍,這個(gè)溫度范圍內(nèi),芯片內(nèi)部的ADC參考電壓的變化范圍是否也是(1.035-1.065之間呢)
2022-07-25 07:17:14
開(kāi)是8只75A元件并聯(lián),由于元件并聯(lián)工藝(焊接)的可靠性較差,使器件較比單一管芯的晶閘管在可靠性方面明顯降低。二. IGBT的擎住效應(yīng)IGBT的簡(jiǎn)化等效電路如圖3所示:其中的NPN晶體管和體區(qū)短路電阻
2018-10-17 10:05:39
tfe1 和tfe2 組成,如圖 2 - 58 所示IGBT 在關(guān)斷過(guò)程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?yàn)?MOSFET 關(guān)斷后,PNP 晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除,造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間, td
2018-10-18 10:53:03
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿(mǎn)足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
文章,這么看來(lái),也不算是巧合)之外,我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線(xiàn)了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶,這是因?yàn)槊總€(gè)供應(yīng)商都有各自生成SOA曲線(xiàn)的方法,并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
頻率范圍內(nèi)的線(xiàn)性大信號(hào)輸出級(jí)。產(chǎn)品型號(hào):MRF154產(chǎn)品名稱(chēng):射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型MOSFET指定的50伏特,30兆赫的特性-輸出功率=600瓦,功率增益=17分貝(Typ),效率
2018-08-07 17:17:34
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前,我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳,它將是集電極(c),基極(b)和發(fā)射極(e)。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
NPN晶體管的b處沒(méi)有電壓輸入時(shí),c和e之間沒(méi)有電流流動(dòng),三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。在圖(b)中,當(dāng)正電壓輸入到NPN晶體管的b時(shí),e的N區(qū)的負(fù)電子被b中P區(qū)的正電子吸引。 由于發(fā)電廠(chǎng)的作用,它們沖向(擴(kuò)散
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中,兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn),使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受?chē)?yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí),它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件,此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí),重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件,因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān),和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀(guān)察放大電路的波形放大電路的設(shè)計(jì)放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀(guān)察射極跟隨器的波形電路設(shè)計(jì)射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
利用半導(dǎo)體的特性,每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,可以找機(jī)電方面的書(shū)看下圖中的S是指源極(Source),D是指漏極(Drain),G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單,就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制
2017-09-12 11:10:57
、阻抗測(cè)試儀等)進(jìn)行測(cè)量。下面介紹一種用普通測(cè)量?jī)x器測(cè)量射頻功率
管在實(shí)際工作條件下的輸入輸出阻抗的方法?! ?/div>
2019-06-04 08:21:06
在功率半導(dǎo)體中,設(shè)計(jì)工程師使用安全工作區(qū)(SOA)來(lái)確定是否可以安全地操作器件,如功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),二極管或絕緣柵雙極晶體管( IGBT)在其應(yīng)用中的電流和電壓
2019-07-30 22:47:52
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型?!?雙極結(jié)型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時(shí)都在運(yùn)動(dòng)。雙極結(jié)型晶體管,又稱(chēng)半導(dǎo)體三極管,是通過(guò)一定工藝將兩個(gè)PN結(jié)組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
功率晶體管的功率適用范圍為什么是由它的安全工作區(qū)(SOA)來(lái)決定的?影響SOA功耗及散熱器的因素有哪些?你知道功率放大器的使用極限在哪里嗎?
2021-04-14 06:38:16
全工作頻率范圍內(nèi)的運(yùn)放共模抑制比如何測(cè)試?
2023-11-17 09:17:54
的規(guī)則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管,基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
、功率MOSFET實(shí)際工作條件在實(shí)際的工作中,功率MOSFET的TC的溫度,也就是器件下面銅皮的溫度,絕對(duì)不可能為25℃,通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于25℃,有些應(yīng)用達(dá)到100-120℃,一些極端的應(yīng)用甚至?xí)?,這樣
2016-10-31 13:39:12
導(dǎo)電,故稱(chēng)為單極型晶體管?! 螛O型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示,它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成。 圖2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
`在電子元器件行業(yè),場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開(kāi)關(guān)電路的“神器”,那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn),所以在開(kāi)關(guān)電路中迅速走紅, 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)
2011-12-19 16:30:31
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(英語(yǔ):field-effecttransistor,縮寫(xiě):FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類(lèi)型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
區(qū)域,而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域?! D1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為: ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域,晶體管將偏置最大基極電流,用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流,在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
嗨,我已經(jīng)使用ADS 2009很長(zhǎng)一段時(shí)間了,現(xiàn)在正考慮換到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時(shí)遇到了問(wèn)題。我曾經(jīng)通過(guò)元件列表訪(fǎng)問(wèn)2009版的實(shí)際晶體管模型,例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
和耐用性,如果需要時(shí)還應(yīng)進(jìn)行不確定度評(píng)估。應(yīng)用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)真實(shí)地證明方法的適用性、準(zhǔn)確性和靈敏性。 1. 非標(biāo)方法的確認(rèn) 在《實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)認(rèn)定評(píng)審準(zhǔn)則》5.3.5條款中規(guī)定:實(shí)驗(yàn)室自行制訂的非標(biāo)方法,經(jīng)確認(rèn)后
2017-11-14 14:39:11
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
制的安全工作區(qū)縮小,所以在實(shí)際應(yīng)用中需要用特定工作環(huán)境下的導(dǎo)通電阻限定安全工作區(qū)。同樣,ID(max)、VD(MAX)和PD(MAX)都需要根據(jù)實(shí)際工作的環(huán)境條件進(jìn)行降額和修正。SOA實(shí)測(cè)示波器
2020-04-22 07:00:00
各位前輩,請(qǐng)問(wèn)關(guān)于晶閘管的安全工作區(qū)(SOA)應(yīng)該怎么刻畫(huà)呢?
2017-06-20 15:40:06
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖:按照該分類(lèi),掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi),分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
引起的拉應(yīng)力,限制垂直漏極 - 基板泄漏電流并防止導(dǎo)電Si襯底中的深度擊穿路徑,在兩者之間插入晶格緩沖層(圖2)。硅體和晶體管的有源頂側(cè)?! D2.格緩沖區(qū) 該緩沖器在確定晶體管的關(guān)鍵可靠性特性中起著
2023-02-27 15:53:50
輸出LLC轉(zhuǎn)換器,以進(jìn)行效率和功率密度比較。初級(jí)晶體管選擇LLC具有多種優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗哂型耆C振行為,允許在整個(gè)范圍內(nèi)進(jìn)行軟開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,這本質(zhì)上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
。在數(shù)字設(shè)備中,肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路,所以不會(huì)采用電子管?! ⊥ㄟ^(guò)以上的內(nèi)容可以看到,電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別,這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同,顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向,但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
電路仿真正常,可是實(shí)際工作輸出總是0vb點(diǎn)總是有負(fù)0.5v電壓。請(qǐng)高手幫助分析下
2018-08-18 11:58:22
高壓發(fā)生器的方法,又具有功率晶體管GP通態(tài)電壓低、耐壓高和電流容量大的優(yōu)點(diǎn),為電壓控制通斷的自關(guān)斷器件,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于數(shù)十kHz頻率范圍內(nèi),功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
個(gè)寄生的晶體管,當(dāng)IC大到一定程度,寄生晶體管導(dǎo)通,柵極失去控制作用。此時(shí),漏電流增大,造成功耗急劇增加,器件損壞。安全工作區(qū)隨著開(kāi)關(guān)速度增加將減小。 (6)柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
所需的組件,降低系統(tǒng)成本,提高可靠性?! ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀(guān)察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖,然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
`一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度,我們對(duì)電子產(chǎn)品性能的要求也越來(lái)越高,在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中,不光是開(kāi)關(guān)電源電路中,還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會(huì)用到場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36
時(shí),RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),電容C通過(guò)二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
`在傳統(tǒng)MOSFET中,載流子從源極越過(guò)pn結(jié)勢(shì)壘熱注入到溝道中。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿
2018-10-19 11:08:33
中,電阻大的一次,紅表筆接的就是B1極。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,上述判別B1、B2的方法,不一定對(duì)所有的單結(jié)晶體管都適用,有個(gè)別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過(guò)準(zhǔn)確地判斷哪極是B1,哪極是B2在實(shí)際
2013-05-27 15:23:44
工業(yè)企業(yè)能源計(jì)量工作確認(rèn)規(guī)范 DB37/ 810-2007范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工業(yè)企業(yè)能源計(jì)量工作確認(rèn)規(guī)范的術(shù)語(yǔ)和定義、確認(rèn)要求、確認(rèn)管理、確認(rèn)活動(dòng)、考評(píng)員資格。本標(biāo)準(zhǔn)適用于
2008-11-06 16:36:1917 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:256592 代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開(kāi)發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。 本次分享Git在實(shí)際工作中
2020-09-14 18:12:282257 代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開(kāi)發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能,需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有:Git(分布式版本控制系統(tǒng))與SVN(集中式版本控制系統(tǒng))。
2020-09-21 09:54:232869 使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講,負(fù)載太大壽命會(huì)縮短,最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。 為防止這種情況,需要檢查實(shí)際使用狀態(tài),并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法
2021-08-18 09:18:201873 從本章開(kāi)始進(jìn)入新篇章--“實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)”。在電路設(shè)計(jì)中,通常會(huì)基于電路要求,參考技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格來(lái)選擇適合的晶體管。然而,實(shí)際試制后,非常有可能發(fā)生從電路圖無(wú)法預(yù)測(cè)的瞬態(tài)現(xiàn)象、超乎預(yù)期的波動(dòng)、余量不足等問(wèn)題。
2023-02-10 09:41:03167 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:03180 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:04217 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側(cè)流程圖的“⑥確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)”。由于這一系列是以開(kāi)關(guān)工作為前提介紹的,因此在第⑤步選擇的是“連續(xù)脈沖”。
2023-02-10 09:41:04166 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對(duì)雖然右側(cè)流程圖中沒(méi)有提及,但在下面項(xiàng)目中有的第⑦“確認(rèn)芯片溫度”進(jìn)行說(shuō)明。
2023-02-10 09:41:04459 在本章中介紹了判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進(jìn)行最后的匯總。 前面按照右側(cè)流程圖及下列各項(xiàng)確認(rèn)了所選晶體管在實(shí)工作條件下是否適用,以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件下工作。
2023-02-10 09:41:05173 今天,本文就和大家嘮一嘮IGBT的安全工作區(qū),英文全稱(chēng)safe operating area,簡(jiǎn)稱(chēng)SOA。顧名思義,也就是說(shuō)只要使用的條件(電壓、電流、結(jié)溫等)不
超出SOA圈定的邊界,IGBT
2023-02-24 09:35:205 3. 是否在SOA范圍內(nèi)? 確認(rèn)安全工作區(qū)域 (SOA *1) 1 安全工作區(qū)域(SOA)表示晶體管可安全工作的區(qū)域。 不過(guò),SOA只是關(guān)于1脈沖的數(shù)據(jù),在脈沖反復(fù)混入時(shí),需要所有脈沖都進(jìn)入SOA
2023-03-23 16:55:09739 了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這篇文章中,我們將全面討論MOSFET數(shù)據(jù)表
2022-05-11 09:59:021108 MOSFET安全工作區(qū)域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這
2023-05-09 09:47:03860
評(píng)論
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