?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管中的每個(gè)層都附有引線。由此產(chǎn)生的端子稱為發(fā)射極、基極和集電極。底座始終是中間層?！ ?b class="flag-6" style="color: red">工作原理 晶體管基本上是一個(gè)電子開關(guān)。電源電壓和負(fù)載通過集電極和發(fā)射極端子接線。在沒有對(duì)基極端子施加電壓
2023-02-16 18:22:30
嗨，我正在使用Planahead 14.6 - 來自Xilinx的人可以在OVERSAMPLE模式下確認(rèn)Kintex-7中ISERDES原語的實(shí)際位順序輸出是什么嗎？我問的原因是，由于大多數(shù)這種
2020-08-14 08:00:57
此代碼在MPLABX V4.05模擬器中失敗，但實(shí)際工作。有人知道為什么嗎？
2020-03-20 09:42:55
（降額曲線）的示例。該曲線是表示在某環(huán)境溫度下IC可消耗多少功率的圖，表示IC芯片在不超出容許溫度的范圍內(nèi)可消耗的功率。例如可考慮MSOP8的芯片溫度。該IC的保存溫度范圍為-55[℃]～150
2019-04-16 06:20:13
集電極電流Icq和管壓降Uceq基本不變，即Q點(diǎn)在晶體管輸出特性坐標(biāo)平面中的位置基本不變，而且必須依靠Ibq的變化來抵消Icq和Uceq的變化。常用引入直流負(fù)反饋或溫度補(bǔ)償?shù)姆椒ㄊ笽bq在溫度變化時(shí)產(chǎn)生
2021-12-21 10:30:00
應(yīng)該會(huì)由提升，但實(shí)際上，高溫下，接收靈敏度反而降低了；相反，在低溫下，接收靈敏度反而更高，這個(gè)時(shí)什么原因？（其實(shí)對(duì)于集成的PA也有類似的現(xiàn)象，PA本身也是由一些基本的晶體管放大電路組成，對(duì)于晶體管來說
2020-06-17 19:57:49
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
下是否在下降的SOA范圍內(nèi)？*1 按照使用環(huán)境溫度或因晶體管發(fā)熱溫度上升時(shí)的元件溫度來考慮。確認(rèn)安全工作區(qū)域 (SOA) 2由于通常的安全工作區(qū)域 (SOA) 是在常溫 (25oC) 下的數(shù)據(jù)，所以
2019-04-15 06:20:06
晶體管圖示儀器是用來測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
或FET電路的必要性 1．1．1 僅使用IC的場合 1．1．2 晶體管電路或FET電路的設(shè)計(jì)空間 1．2 晶體管和FET的工作原理 1．2．1 何謂放大工作 1．2．2 晶體管的工作原理 1．2．3
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
。 （3）微變等效電路只適用于低頻小信號(hào)放大電路，只能用來計(jì)算交流分量，不能計(jì)算總的瞬時(shí)值和靜態(tài)工作點(diǎn)。 （4）晶體管的輸入電阻 RbE（hie）一般可用下列近似公式進(jìn)行估算： 式中 表示晶體管
2021-05-25 07:25:25
晶體管的電參數(shù)可分為哪幾種？晶體管的電參數(shù)在實(shí)際使用中有何意義？
2021-06-08 06:11:12
在所有電源前加一負(fù)號(hào)即可得出相同的結(jié)論），即晶體管的兩個(gè)PN結(jié)均處于正偏狀態(tài)。由此可以得出晶體管飽和的定義：當(dāng)晶體管的兩個(gè)PN結(jié)均處于正偏時(shí)，此晶體管就處于飽和狀態(tài)。在實(shí)際的放大應(yīng)用中，如果放大電路
2012-02-13 01:14:04
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
之一，在重要性方面可以與印刷術(shù)，汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)（active）元件。晶體管在當(dāng)今社會(huì)的重要性主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管可以使用高度自動(dòng)化的過程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力
2010-08-12 13:57:39
基區(qū)中由發(fā)射結(jié)逐漸流向集電結(jié)，形成集電極電流;最后，由于集電結(jié)處存在較大的反向電壓，阻止了集電區(qū)的自由電子向基區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散，并將聚集在集電結(jié)附近的自由電子吸引至集電區(qū)，形成集電極電流。2.場效應(yīng)晶體管
2016-06-29 18:04:43
溫度降額的計(jì)算 結(jié)點(diǎn)到表面的熱阻Rjc(℃/W) 10 開關(guān)管的最高工作溫度Tmax-spec(℃) 150 高溫測(cè)得的開關(guān)管表面溫度Tmax(℃) 81.8 89.8 開關(guān)管的實(shí)際溫度降額(%) 59.9
2011-06-10 10:20:45
ASEMI 整流橋GBPC3510壓降是在什么范圍內(nèi)的？
2017-08-18 16:22:53
CH571F做AD時(shí) 用到內(nèi)部1.05V 做基準(zhǔn)電壓，手冊(cè)值給出 25℃的測(cè)試數(shù)據(jù)(1.035-1.065）)，請(qǐng)問,實(shí)際工作時(shí) 產(chǎn)品溫度范圍在零下30度~零上70度的范圍，這個(gè)溫度范圍內(nèi)，芯片內(nèi)部的ADC參考電壓的變化范圍是否也是（1.035-1.065之間呢）
2022-07-25 07:17:14
變化的β倍， 也就是說，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠(yuǎn)大于1）。如果我們在基極和發(fā)射極之間增加一個(gè)變化的小信號(hào)，它會(huì)導(dǎo)致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會(huì)導(dǎo)致
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個(gè)簡單的pn結(jié)。而晶體管是通過背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
各位大俠及朋友： 小弟在最近工作中遇到一些問題，希望大家賜教 1、有一次新畫一塊板子，結(jié)果發(fā)現(xiàn)選取對(duì)象時(shí)，不能準(zhǔn)確選?。ㄓ悬c(diǎn)像選取精度不精確），也就是：鼠標(biāo)放在想選取的目標(biāo)上點(diǎn)擊，卻選中旁邊的目標(biāo)
2014-07-23 19:09:33
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
德州儀器(TI)宣布推出一款準(zhǔn)確度在+/-1℃范圍內(nèi)的遠(yuǎn)程結(jié)溫傳感器與本地溫度傳感器集成一體的器件——TMP411，用于監(jiān)控CPU、微處理器、圖形處理單元與FPGA中的熱敏二極管。該器件的獨(dú)特
2018-12-03 10:41:26
的必要性晶體管和FET的工作原理晶體管和FET的近況第二章 放大電路的工作觀察放大電路的波形放大電路的設(shè)計(jì)放大電路的性能共發(fā)射極應(yīng)用電路第三章 增強(qiáng)輸出的電路觀察射極跟隨器的波形電路設(shè)計(jì)射極跟隨器的性能射極
2017-07-25 15:29:55
工程設(shè)計(jì)人員提供參考，但是由于功率管參數(shù)的分散性和工作狀態(tài)(如工作頻率、溫度、偏置、電源電壓、輸入功率、輸出功率等)發(fā)生變化的情況下，手冊(cè)上的參數(shù)就和實(shí)際情況有很大的偏差。有時(shí)候?yàn)榱私档彤a(chǎn)品的功耗，必須
2019-06-04 08:21:06
由BTI帶來的功耗降低是比較顯著的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在實(shí)際芯片測(cè)試中，使用5年后泄漏電流大約降低11%。實(shí)際的電子系統(tǒng)功耗降低能否達(dá)到期望的程度還不知道，但至少晶體管老化與功耗降低的關(guān)聯(lián)理論上是說得通的。這是
2017-06-15 11:41:33
在功率半導(dǎo)體中，設(shè)計(jì)工程師使用安全工作區(qū)（SOA）來確定是否可以安全地操作器件，如功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），二極管或絕緣柵雙極晶體管（ IGBT）在其應(yīng)用中的電流和電壓
2019-07-30 22:47:52
按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型?！?雙極結(jié)型晶體管“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時(shí)都在運(yùn)動(dòng)。雙極結(jié)型晶體管，又稱半導(dǎo)體三極管，是通過一定工藝將兩個(gè)PN結(jié)組合在一起的器件。PNP和NPN有
2023-02-03 09:36:05
法，使用氨而不是更常見的氮來減少氮化鎵晶體管在高溫退火過程中的表面損傷（見圖4）。我們通過優(yōu)化離子能量、劑量、活化退火熱預(yù)算和金屬退火后熱預(yù)算，實(shí)現(xiàn)了注入?yún)^(qū)在良好歐姆接觸和方阻方面都有優(yōu)良的結(jié)果（見表2
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
功率晶體管的功率適用范圍為什么是由它的安全工作區(qū)（SOA）來決定的？影響SOA功耗及散熱器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用極限在哪里嗎？
2021-04-14 06:38:16
效應(yīng)。由于IDT效應(yīng)在低電壓范圍內(nèi)持續(xù)存在，我認(rèn)為在virtex系列器件上執(zhí)行相同的操作，但在xilinx論壇的一條消息中，提到在xilinx ISE中從sartan 6器件開始禁用降額選項(xiàng)。所以
2020-03-20 07:56:08
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡稱GTR。它從本質(zhì)上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開關(guān)狀態(tài)，因此其結(jié)構(gòu)
2018-01-15 11:59:52
器件，又稱巨型晶體管或電力勗體管，簡稱GTR。它從本質(zhì)上講仍是晶體管，因而工作原理與一般晶體管相同。但是，由于它主要用在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，電流容量大，耐壓水平高，而且大多工作在開關(guān)狀態(tài)，因此其結(jié)構(gòu)
2018-01-25 11:27:53
、功率MOSFET實(shí)際工作條件在實(shí)際的工作中，功率MOSFET的TC的溫度，也就是器件下面銅皮的溫度，絕對(duì)不可能為25℃，通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于25℃，有些應(yīng)用達(dá)到100-120℃，一些極端的應(yīng)用甚至?xí)?，這樣
2016-10-31 13:39:12
的奧秘 降額曲線中就有一種常見的熱限值，該熱限值可以在大多數(shù)的功率模塊數(shù)據(jù)表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環(huán)境溫度下可拉電流或功率的大小，同時(shí)仍然保持功率模塊在其溫度規(guī)格范圍內(nèi)(通常低于125°C
2018-10-23 16:09:40
在燒寫程序時(shí)我們選定"Xtal(MHz)"的大小，但是不知道如何計(jì)算單片機(jī)的實(shí)際工作頻率還有一個(gè)問題就是：89c52的芯片支持6T/機(jī)器周期和12T/機(jī)器周期，但是咋樣才能知道自己學(xué)要的是6T還是12T？求大師賜教。。。。。。。。。。。
2012-07-20 21:38:57
如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián)，則雙極晶體管（BJT）可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高，BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
`在電子元器件行業(yè)，場效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”，那是因?yàn)閳鲂?yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，所以在開關(guān)電路中迅速走紅， 可是一提起場效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。（三）頻率特性晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關(guān)。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會(huì)出現(xiàn)放大能力減弱
2012-07-11 11:36:52
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域?！ D1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
。晶體管的正確直流偏置還會(huì)通過使用兩個(gè)或四個(gè)電阻偏置網(wǎng)絡(luò)的實(shí)際偏置電路來建立其初始交流工作區(qū)域。在雙極型晶體管電路中， 對(duì)于NPN晶體管，Q點(diǎn)由（V CE，I C）表示， 對(duì)于PNP晶體管，Q點(diǎn)由
2020-11-12 09:18:21
嗨，我已經(jīng)使用ADS 2009很長一段時(shí)間了，現(xiàn)在正考慮換到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時(shí)遇到了問題。我曾經(jīng)通過元件列表訪問2009版的實(shí)際晶體管模型，例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08
) !important]④ 大氣溫度條件下，降額后在SOA范圍內(nèi)嗎？ 是[color=rgb(69, 114, 193) !important]⑤ 單脈沖？1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形確認(rèn)電流
2019-05-05 09:27:01
和耐用性，如果需要時(shí)還應(yīng)進(jìn)行不確定度評(píng)估。應(yīng)用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)真實(shí)地證明方法的適用性、準(zhǔn)確性和靈敏性。 1. 非標(biāo)方法的確認(rèn) 在《實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)認(rèn)定評(píng)審準(zhǔn)則》5.3.5條款中規(guī)定：實(shí)驗(yàn)室自行制訂的非標(biāo)方法，經(jīng)確認(rèn)后
2017-11-14 14:39:11
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
放大電路實(shí)驗(yàn)-實(shí)際使用（數(shù)字電源-信號(hào)源-示波器）教學(xué)放大電路實(shí)驗(yàn)-實(shí)際使用（數(shù)字電源-信號(hào)源-示波器）
2021-12-30 08:05:16
℃，因此在實(shí)際設(shè)定和使用SOA時(shí)，一定要根據(jù)實(shí)際條件來對(duì)SOA限定條件進(jìn)行修正和降額。例如，在不同的工作溫度、不同的脈沖電流或脈沖寬度條件下，RDS(ON)的值都會(huì)不同。在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常都
2020-04-22 07:00:00
)條件下，數(shù)字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知，絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上"，僅用IC標(biāo)記沒有問題，但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài)，合并標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)
2019-04-22 05:39:52
額定值，在不超過VIN(max)條件下，數(shù)字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知，絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上"，僅用IC標(biāo)記沒有問題，但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài)，合并
2019-04-09 21:49:36
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大，加速開關(guān)過程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中，加速電容的值要通過觀察開關(guān)波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
一般廠家的模塊電源都有幾個(gè)溫度范圍產(chǎn)品可供選用：商品級(jí)、工業(yè)級(jí)、軍用級(jí)等，在選擇模塊電源時(shí)一定要考慮實(shí)際需要的工作溫度范圍，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">溫度等級(jí)不同材料和制造工藝不同價(jià)格就相差很大，選擇不當(dāng)還會(huì)
2021-11-17 08:28:02
，例如在線路浪涌的情況下，松下X-GaN器件的設(shè)計(jì)具有很大的漏極 - 源極擊穿極限。實(shí)際上，當(dāng)前可用的符合600V操作的晶體管的靜態(tài)場依賴擊穿電壓在900V至1kV的范圍內(nèi)（圖7）。作為副作用，它允許
2023-02-27 15:53:50
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
。在數(shù)字設(shè)備中，肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路，所以不會(huì)采用電子管?！ ⊥ㄟ^以上的內(nèi)容可以看到，電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別，這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同，顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向，但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
等同于沒有用處。降額曲線中就有一種常見的熱限值，該熱限值可以在大多數(shù)的電源模塊數(shù)據(jù)表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環(huán)境溫度下可拉電流或功率的大小，同時(shí)仍然保持電源模塊在其溫度規(guī)格范圍內(nèi)（通常低于125°C
2019-08-21 04:45:14
，該熱限值可以在大多數(shù)的電源模塊數(shù)據(jù)表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環(huán)境溫度下可拉電流或功率的大小，同時(shí)仍然保持電源模塊在其溫度規(guī)格范圍內(nèi)（通常低于125°C）。圖1所示為2A TPS82140
2022-11-11 06:24:12
因小失大?！ ∫?、電源的工作溫度范圍和成本、可靠性問題 一般廠家的模塊電源都有幾個(gè)溫度范圍的產(chǎn)品可供選用：商品級(jí)、工業(yè)級(jí)、軍用級(jí)等，在選擇模塊電源時(shí)，一定要考慮實(shí)際需要的工作溫度范圍，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">溫度等級(jí)
2015-12-28 18:01:25
電路仿真正常，可是實(shí)際工作輸出總是0vb點(diǎn)總是有負(fù)0.5v電壓。請(qǐng)高手幫助分析下
2018-08-18 11:58:22
高壓發(fā)生器的方法，又具有功率晶體管GP通態(tài)電壓低、耐壓高和電流容量大的優(yōu)點(diǎn)，為電壓控制通斷的自關(guān)斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十kHz頻率范圍內(nèi)，功率元件IGBT
2018-11-27 11:04:24
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ∮w凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應(yīng)用和氣象觀察應(yīng)用的L波段雷達(dá)系統(tǒng)。雷達(dá)系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測(cè)脈沖
2018-11-29 11:38:26
，隨著前面三個(gè)簡單電路的分析，引出了在使用晶體管的過程中基本需要注意的幾個(gè)主要因素：hFE（ DC Current Gain）；IC（ Collector Current - Continuous
2016-06-03 18:29:59
，使場效應(yīng)晶體管不會(huì)失效。就選擇場效應(yīng)晶體管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道場效應(yīng)晶體管能承受的最大電壓會(huì)隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。我們須在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓
2019-04-02 11:32:36
中，電阻大的一次，紅表筆接的就是B1極。應(yīng)當(dāng)說明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對(duì)所有的單結(jié)晶體管都適用，有個(gè)別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過準(zhǔn)確地判斷哪極是B1，哪極是B2在實(shí)際使用
2013-05-27 15:23:44
代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能，需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有：Git（分布式版本控制系統(tǒng)）與SVN（集中式版本控制系統(tǒng)）。 本次分享Git在實(shí)際工作中
2020-09-14 18:12:28
2257 代碼版本控制對(duì)于我們嵌入式軟件開發(fā)崗是一項(xiàng)基礎(chǔ)、必備的技能，需要熟練掌握。實(shí)際工作中常用的版本控制系統(tǒng)有：Git（分布式版本控制系統(tǒng)）與SVN（集中式版本控制系統(tǒng)）。
2020-09-21 09:54:232869 
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。 為防止這種情況，需要檢查實(shí)際使用狀態(tài)，并確認(rèn)在使用上是否有問題。這里說明一下具體的判定方法
2021-08-18 09:18:201873 
從本章開始進(jìn)入新篇章--“實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)”。在電路設(shè)計(jì)中，通常會(huì)基于電路要求，參考技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格來選擇適合的晶體管。然而，實(shí)際試制后，非常有可能發(fā)生從電路圖無法預(yù)測(cè)的瞬態(tài)現(xiàn)象、超乎預(yù)期的波動(dòng)、余量不足等問題。
2023-02-10 09:41:03167 
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:03180 在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA（安全工作區(qū)）范圍內(nèi)。
2023-02-10 09:41:04348 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側(cè)流程圖的“⑥確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)”。由于這一系列是以開關(guān)工作為前提介紹的，因此在第⑤步選擇的是“連續(xù)脈沖”。
2023-02-10 09:41:04166 在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對(duì)雖然右側(cè)流程圖中沒有提及，但在下面項(xiàng)目中有的第⑦“確認(rèn)芯片溫度”進(jìn)行說明。
2023-02-10 09:41:04459 在本章中介紹了判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進(jìn)行最后的匯總。 前面按照右側(cè)流程圖及下列各項(xiàng)確認(rèn)了所選晶體管在實(shí)工作條件下是否適用，以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件下工作。
2023-02-10 09:41:05173 1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形 確認(rèn)電流、電壓 用示波器確認(rèn)晶體管上的電壓、電流。 需要全部滿足規(guī)格書上記載的額定值，特別應(yīng)該確認(rèn)下列項(xiàng)目。 特別應(yīng)該確認(rèn)的項(xiàng)目 晶體管的種類 電壓 電流 雙極晶體管
2023-03-23 16:52:27762 
3. 是否在SOA范圍內(nèi)？ 確認(rèn)安全工作區(qū)域 （SOA *1） 1 安全工作區(qū)域（SOA）表示晶體管可安全工作的區(qū)域。 不過，SOA只是關(guān)于1脈沖的數(shù)據(jù)，在脈沖反復(fù)混入時(shí)，需要所有脈沖都進(jìn)入SOA
2023-03-23 16:55:09739 
看似簡單的光耦電路，實(shí)際使用中應(yīng)該注意些什么？
2023-12-05 14:45:21219 
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