GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗，這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 12:03:51
1366 在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中，熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后，工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊(cè)論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級(jí)系列非常重要
2022-11-18 09:42:25719 功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 Transphorm驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦，這進(jìn)一步印證了GaN用于電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:28789 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購(gòu)，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購(gòu)，這筆收購(gòu)的價(jià)值甚至比2022年整個(gè)功率
2023-11-10 00:24:001758 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001553 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前，從晶體管來(lái)看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 描述PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過(guò) 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
的設(shè)計(jì)人員面臨幾個(gè)相沖突的業(yè)界挑戰(zhàn)，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標(biāo)準(zhǔn)，一直到成本等相關(guān)問(wèn)題。納微的單芯片GaN功率IC可同時(shí)達(dá)到高速運(yùn)作及高效
2017-09-25 10:44:14
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業(yè)頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來(lái)全球?qū)τ诙际谢A(chǔ)建設(shè)、新能源、節(jié)能環(huán)保等方面的政策支持，擴(kuò)大對(duì)于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進(jìn)一步促進(jìn)SiC/GaN功率元件的發(fā)展。
2022-08-12 09:42:07
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
描述該 TI 設(shè)計(jì)為適用于低成本智能恒溫器和其他樓宇自動(dòng)化設(shè)備的低成本高效功率竊取提供了一種參考設(shè)計(jì)。通常，功率竊取能夠通過(guò)在 HVAC 負(fù)載關(guān)閉時(shí)從 24V 交流電獲取功率，來(lái)延長(zhǎng)啟用
2018-12-27 15:22:31
輸出晶體管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槲覀兡軌虼蠓?jiǎn)化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸，如圖2所示。因此，我們能夠?qū)崿F(xiàn)更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉(zhuǎn)向
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
) !important]推動(dòng)SiC/GaN功率開關(guān)普及的主要應(yīng)用有太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電器和儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器。這里利用了超快的小型高效功率開關(guān)的附加價(jià)值，為市場(chǎng)帶來(lái)了超高開關(guān)頻率和超過(guò)99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
的對(duì)稱布局也很重要，這樣才能平衡相電流，并將由于柵極驅(qū)動(dòng)延遲、開關(guān)轉(zhuǎn)換速度、過(guò)沖或其他參數(shù)不匹配而導(dǎo)致的任何影響降至最低。使用GaN功率器件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，內(nèi)部垂直環(huán)路［2］方法是將去耦電容放置在FET附近
2023-02-21 15:57:35
描述為了達(dá)到能效要求，吊扇和換氣扇會(huì)從簡(jiǎn)單交流感應(yīng)電機(jī)移動(dòng)到無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC)。BLDC 電機(jī)使用交流電源運(yùn)行時(shí)需要以高效率和高功率因數(shù)進(jìn)行交流-直流轉(zhuǎn)換。它還需要使用高效控制的逆變器以實(shí)現(xiàn)
2022-09-22 06:07:50
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過(guò) 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
的提高功率效率的電路解決方案是產(chǎn)生一個(gè)中間電壓。圖2顯示了一個(gè)使用兩個(gè)高效率降壓調(diào)節(jié)器的級(jí)聯(lián)設(shè)置。第一步是將48 V電壓轉(zhuǎn)換為12 V，然后在第二轉(zhuǎn)換步驟中將該電壓轉(zhuǎn)換為3.3 V。當(dāng)從48 V降至12
2018-10-30 11:44:08
速的GaN開關(guān)來(lái)降低開關(guān)損耗，從而提高功率轉(zhuǎn)換效率。然而，這種解決方案的成本目前還高于級(jí)聯(lián)解決方案（例如圖2所示）。Frederik DostalFrederik Dostal 就讀于德國(guó)愛(ài)爾蘭根大學(xué)微電子學(xué)
2018-10-30 11:52:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí)，設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加，同時(shí)提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無(wú)源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來(lái)了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí)
2018-10-25 11:49:58
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的時(shí)代60多年以來(lái)，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)。
2020-10-28 06:59:27
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說(shuō)明設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過(guò)67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過(guò)去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來(lái)說(shuō)，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
轉(zhuǎn)換中期可以達(dá)到500W以上。對(duì)于尺寸為5mm x 2mm的典型功率GaN器件，這個(gè)值可以達(dá)到每mm2 50W。所以用戶也就無(wú)需對(duì)SOA曲線顯示的這個(gè)區(qū)域只支持短脈沖這一點(diǎn)而感到驚訝了。由于器件的熱
2019-07-12 12:56:17
市場(chǎng)將以93%的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬(wàn)美元的產(chǎn)值。目前銷售GaN功率組件的主要半導(dǎo)體業(yè)者包括英飛凌/IR、宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EfficientPower
2015-09-15 17:11:46
今天的博文是一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目：你將用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、一個(gè)Hercules? 微控制器和一個(gè)滾輪來(lái)調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電，我們馬上開始。你
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換?！ 〈送猓詣?dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于無(wú)線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
描述PMP20657 參考設(shè)計(jì)是一款緊湊、高效的單向功率轉(zhuǎn)換器，在 400W 功率下可將電壓從 48V 轉(zhuǎn)換為 12V。它采用偽隔離設(shè)計(jì)，用以保護(hù) 12V 負(fù)載。相移全橋拓?fù)淇蓪?shí)現(xiàn) 95% 以上的峰值效率。輕負(fù)載模式在 12V 時(shí)實(shí)現(xiàn)
2018-10-09 08:33:03
請(qǐng)問(wèn)怎么設(shè)計(jì)一種高效低諧波失真的功率放大器？E類功率放大器的工作原理是什么？
2021-04-12 06:31:25
怎樣去設(shè)計(jì)一種高效率音頻功率放大器？如何對(duì)高效率音頻功率放大器進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證？
2021-06-02 06:11:23
新應(yīng)用，產(chǎn)生了對(duì)超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉(zhuǎn)換器的需求。車載牽引電機(jī)驅(qū)動(dòng)器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達(dá)2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命
功率MOSFET出現(xiàn)之前，雙極性晶體管在功率電子領(lǐng)域一直占據(jù)主導(dǎo)地位，而且線性供電支配著整個(gè)電源世界。但是，30年前第一批商用化
2010-04-13 14:33:371378 
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 國(guó)產(chǎn)高效GaN微波功率模塊，HEG001D、HEG205B等。針對(duì)寬帶、高功率微波系統(tǒng)及有源相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模塊，采用先進(jìn)的平面內(nèi)匹配合成技術(shù)，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:53
14 ADI提供GaN IC產(chǎn)品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率範(fàn)圍的全功率放大器。
2019-06-25 06:04:001822 基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器和牽引電機(jī)逆變器）。
2019-06-13 11:45:003995 ）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:061929 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:163692 同步 4 開關(guān)轉(zhuǎn)換器以高效率提供數(shù)百瓦功率
2021-03-21 12:20:2210 (MOSFET)，因?yàn)樗軌蝌?qū)動(dòng)更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792 
和更高的性能，使單片集成 GaN 功率 IC 更進(jìn)一步。這一成就為更小、更高效的DC/DC 轉(zhuǎn)換器和 PoL 轉(zhuǎn)換器 鋪平了道路。
2022-07-29 08:56:44853 
四十年來(lái)，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進(jìn)速度已顯著放緩
2022-08-04 11:17:55587 
越來(lái)越多的社會(huì)壓力和越來(lái)越多的減少二氧化碳排放的立法正在推動(dòng)從汽車到電信的行業(yè)投資于更高效的電力轉(zhuǎn)換和增加電氣化。傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體技術(shù)如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在工作頻率、速度方面存在根本性
2022-08-04 09:52:161078 
分立式 GaN 解決方案的速度無(wú)疑比硅等效方案更快。使用數(shù)字控制，它們可以變得更加高效和小巧。編程以及相關(guān)固件消除了許多設(shè)計(jì)瓶頸。
2022-08-05 08:05:08569 
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案，并提供應(yīng)用示例，展示 GaN 器件如何在超過(guò) 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿
2022-09-19 09:33:211670 GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:44556 白皮書：高效轉(zhuǎn)換的 GaN 需求（日語(yǔ)）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 20:14:590 白皮書：功率GaN技術(shù)：高效率轉(zhuǎn)換的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮書：功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 您可以通過(guò)多種方式控制GaN功率級(jí)。LMG5200 GaN 半橋功率級(jí)的 TI 用戶指南使用無(wú)源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動(dòng)它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動(dòng) LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
GaN功率器件是雷達(dá)T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來(lái)越高,器件的長(zhǎng)期可靠性成為瓶頸。文章對(duì)雷達(dá)脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機(jī)理進(jìn)行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。
2023-08-09 16:10:10555 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來(lái)其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25660 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44544 滿足高功率應(yīng)用與高效電池隔離需求的解決方案
2023-11-30 10:11:20203 
電源散熱技術(shù)，都有助于實(shí)現(xiàn)電源從組件到系統(tǒng)的全方位突破。因此，基于GaN功率器件來(lái)研究高頻、高效和輕量化的宇航電源，將引導(dǎo)新一代宇航電源產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)性能參數(shù)的巨大飛躍，
2024-01-05 17:59:04272 
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