?●空調(diào)壓縮機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng) ?●高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源 ?●半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?? 如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于高壓半橋驅(qū)動(dòng)中，使得高壓輸出側(cè)可以承受高達(dá)1200V的直流電壓，同時(shí)SW pin可以滿足高dv/dt和耐負(fù)壓尖峰的需求。可適
2022-06-27 09:57:07
2093 
穩(wěn)壓器調(diào)整端增加簡(jiǎn)單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動(dòng)電流 ,有時(shí)，設(shè)計(jì)約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 
傳感器時(shí)要面臨一些挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)與絕緣的嚴(yán)格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關(guān)的更高 dv/dt （50-100 V/ns） 相關(guān)。有不同的方法可以測(cè)量中壓電源的電壓，其中一些是霍爾效應(yīng)傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯。在理想條件下，我們可以在電阻分壓器中找到無(wú)限帶寬。
2022-07-26 08:03:01741 
系統(tǒng)。因此，對(duì)3.3kV等級(jí)的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行研究十分有意義。目前，市場(chǎng)上專業(yè)驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)廠商有相關(guān)配套驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品提供給客戶選擇，但是做為一款廣泛應(yīng)用的模塊產(chǎn)品，很有必要做更深入的細(xì)節(jié)分析
2018-12-06 10:06:18
的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
各位高手，查看資料貼的時(shí)候，看到逆變器有一重要參數(shù)---電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，對(duì)于IGBT是需要計(jì)算還是在IGBT的說(shuō)明書中有此參數(shù)說(shuō)明，請(qǐng)高手給予幫助，謝謝了?。?！
2018-07-03 15:21:28
dv/dt限制，過(guò)小的柵極電阻可能會(huì)導(dǎo)致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞?！ 艠O電阻的大小影響開(kāi)關(guān)速度，即后邊介紹的開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而影響IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，datasheet上驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)開(kāi)
2021-02-23 16:33:11
˙dv/dt電流和寄生導(dǎo)通圖2：因C˙dv/dt效應(yīng)產(chǎn)生穿通電流時(shí)的真實(shí)開(kāi)關(guān)波形為了防止出現(xiàn)這種現(xiàn)象，可以采用的一種方法是增大IGBT VGEth的閥值。然而，IGBT的Vce(sat)行為與VGEth
2015-12-30 09:27:49
集電極、發(fā)射極擊穿或造成柵極、發(fā)射極擊穿。IGBT保護(hù)方法當(dāng)過(guò)流情況出現(xiàn)時(shí)，IGBT必須維持在短路安全工作區(qū)內(nèi)。IGBT承受短路的時(shí)間與電源電壓、柵極驅(qū)動(dòng)電壓以及結(jié)溫有密切關(guān)系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
方面，差異性很大的模塊并聯(lián)概率是很小的，且IGBT參數(shù)之間偏離可以忽略。從均流角度方面，并聯(lián)設(shè)計(jì)好壞對(duì)降額起關(guān)鍵性的作用，且遠(yuǎn)大于IGBT自身參數(shù)差異性所引起的問(wèn)題。因此，并聯(lián)應(yīng)重點(diǎn)考慮如何通過(guò)設(shè)計(jì)確保
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT過(guò)流保護(hù)的保護(hù)時(shí)間一般設(shè)定成多少合適？根據(jù)IGBT哪些參數(shù)得出來(lái)的那？
2017-02-24 11:01:51
`如圖請(qǐng)問(wèn)英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50
IGBT 飽和壓降Vsat實(shí)測(cè)值和官方參數(shù)對(duì)比在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上，魚(yú)目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假，標(biāo)稱的飽和壓降參數(shù)和實(shí)際的參數(shù)相差較大。工程師容易測(cè)試
2015-03-11 13:15:10
值。基于兩者都是基于溫升接近器件失效閾值作為參數(shù)劃定條件。可見(jiàn)由于溫度因素帶來(lái)的老化衰減，對(duì)應(yīng)于同樣的工作時(shí)長(zhǎng)應(yīng)該是接近的。但是，由于脈沖最大電流的限制因素是高電流密度引起的瞬間溫升，因此電流密度導(dǎo)致
2018-08-14 15:05:21
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档蚆OSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過(guò)
2018-08-27 20:50:45
針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路
2021-06-16 09:21:55
米勒電容CRES和關(guān)斷VCE的dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開(kāi)關(guān)動(dòng)作?！ VS和ZCS拓?fù)湓诮档蚆OSFET和IGBT的關(guān)斷
2020-06-28 15:16:35
，即開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)
2018-09-28 14:14:34
是靈敏電流計(jì))，并將電壓刻度標(biāo)成相應(yīng)溫度刻度，圖1便成了量程為100℃的溫度計(jì)了。由于利用硅或鍺三極管PN結(jié)得到的溫度傳感器靈敏度相對(duì)較低，必須對(duì)變化的電流(電壓)進(jìn)行放大才能有效顯示。因此，集成溫敏
2021-05-21 07:30:05
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
主 電 路 的 dv/dt比 正 常 開(kāi) 關(guān) 狀 態(tài) 下 大 了 許 多 ， 造 成 了 施 加 于IGBT兩 端 的 電 壓 升 高 很 多 ， 有 時(shí) 就 可 能 造 成IGBT的 擊 穿 。（歡迎技術(shù)類網(wǎng)站分享轉(zhuǎn)載，版權(quán)所有潮光光耦網(wǎng)，如有轉(zhuǎn)載謝謝保留潮光光耦網(wǎng)鏈接）
2012-12-12 11:20:44
needed to slew aspecified dv/dt across a given gate capacitance. The IntersilHIP2030 MCT/IGBT Gate
2009-05-12 11:02:59
開(kāi)關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些
2017-04-15 15:48:51
關(guān)斷時(shí)，在IGBT少數(shù)載流子BJT中仍存在存儲(chǔ)時(shí)間延遲td(off)I。不過(guò)，降低Eoff驅(qū)動(dòng)阻抗將會(huì)減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關(guān)斷VCE的 dv/dt造成的電流
2019-03-06 06:30:00
三敏元件資料下載內(nèi)容主要介紹了：溫敏元件的特點(diǎn)及應(yīng)用光敏元件的特點(diǎn)及應(yīng)用磁敏元件的特點(diǎn)及應(yīng)用
2021-04-02 06:01:26
EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是什么？EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試原理是什么？
2021-09-27 08:22:51
單芯片集成額溫槍的技術(shù)參數(shù)是什么？單芯片集成額溫槍有哪些優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:00:48
印制電路板溫升因素分析熱設(shè)計(jì)原則元器件的排布要求布線時(shí)的要求
2021-02-22 07:36:28
IGT--門極觸發(fā)電流 VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流 dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率 Rthjc--結(jié)殼熱阻 VISO--模塊絕緣電壓 Tjm--額定結(jié)溫 VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流 IF(AV)--正向平均電流
2009-04-02 12:10:16
在開(kāi)啟時(shí)提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開(kāi)關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動(dòng)與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動(dòng)器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
/div）、綠線為VGE （5.0V/div）、藍(lán)線為VCE （500V/div），黃線為開(kāi)關(guān)能量。表1根據(jù)相關(guān)開(kāi)關(guān)參數(shù)（dIc/dt、dv/dt、Eoff 和 VCEmax）進(jìn)行了歸納。 圖4a.
2018-12-06 10:05:40
電路中的參數(shù)。 1 柵極電阻和分布參數(shù)分析 IGBT在全橋電路工作時(shí)的模型如圖1所示。 RG+Rg是IGBT的柵極電阻， L01、L02、L03是雜散電感(分布電感)， Cgc、Cge、Cce
2011-09-08 10:12:26
電動(dòng)機(jī)溫升的定義是：電動(dòng)機(jī)的額定溫升，是指在設(shè)計(jì)規(guī)定的環(huán)境溫度(40℃)下，電動(dòng)機(jī)繞組的最高允許溫升，它取決于繞組的絕緣等級(jí)。溫升取決于電動(dòng)機(jī)運(yùn)行中發(fā)熱情況和散熱情況。常根據(jù)溫升判斷電動(dòng)機(jī)散熱是否正常。那么影響電動(dòng)機(jī)溫升一般有哪些因素呢？小編告訴大家主要有下面2個(gè)方面因素：
2021-01-27 06:46:31
如圖，經(jīng)?？吹絀R系列的IC說(shuō)明“抗du/dt干擾能力為50 V/ns”，這個(gè)概念是什么？還有在別的地方看到“較小的柵極電阻還使得IGBT開(kāi)通di/dt變大”“波形中di/dt分量比較大”這些是什么概念。
2016-06-14 09:14:09
減弱。此外，迫使二極管換向的開(kāi)關(guān)IGBT通常在低電流水平下開(kāi)關(guān)速度更快（dV/dt）。最后，二極管過(guò)壓與開(kāi)關(guān)電流沒(méi)有關(guān)系，而是由二極管的反向恢復(fù)電流峰值的負(fù)斜率導(dǎo)致的，該斜率在低電流和低溫下同樣最陡
2018-12-10 10:07:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個(gè)方面：1、IGBT過(guò)壓失效，Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過(guò)流，一定程度
2012-12-19 20:00:59
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
1、磁敏電阻的R~B關(guān)系圖2、磁敏電阻的頻率特性2、磁敏二極管磁敏二極管與霍爾元件相比，有體積小、靈敏度高、電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。磁敏二極管主要為P+IN+結(jié)構(gòu)，I區(qū)是本征高阻半導(dǎo)體且長(zhǎng)度遠(yuǎn)超過(guò)
2018-01-16 09:57:54
1、磁敏電阻的R~B關(guān)系圖2、磁敏電阻的頻率特性2、磁敏二極管磁敏二極管與霍爾元件相比，有體積小、靈敏度高、電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。磁敏二極管主要為P+IN+結(jié)構(gòu)，I區(qū)是本征高阻半導(dǎo)體且長(zhǎng)度遠(yuǎn)超過(guò)
2018-01-17 09:53:02
磁敏電阻器的主要參數(shù)如下： (1)磁阻靈敏度，是指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下.磁敏電阻器約阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度的相對(duì)變化率?！ ?2)磁阻系，是指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與其標(biāo)稱阻值之比?！ ?3)磁阻比，是指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與零磁感應(yīng)強(qiáng)度下的阻值之比。
2011-09-24 11:00:55
），可達(dá)到150-180KHz。三．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的參數(shù)與特性： （1）轉(zhuǎn)移特性圖1-10：IGBT的轉(zhuǎn)移特性這個(gè)特性和MOSFET極其類似，反映了管子的控制能力
2009-05-12 20:44:23
英飛凌IGBT參數(shù)中文版搞電源變頻器電焊機(jī) 必備資料
2019-02-09 21:33:19
問(wèn)下大家，一般開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒(méi)有計(jì)算關(guān)系？還是說(shuō)一般取經(jīng)驗(yàn)值，為什么一般上升速度會(huì)做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
關(guān)于限制穩(wěn)壓器啟動(dòng)時(shí)dV/dt和電容的電路的詳細(xì)介紹
2021-04-12 06:21:56
頻譜測(cè)量提示波形參數(shù)dt小于等于0錯(cuò)誤，怎么解決？
2017-05-21 10:54:55
額溫槍方案有哪些優(yōu)勢(shì)？額溫槍具有哪些技術(shù)參數(shù)？
2021-06-10 14:38:53
切換參數(shù)下的切換損耗。于開(kāi)通及關(guān)斷時(shí)分別達(dá)到di/dt=1.5千安培(kA)/微秒(μs)和dv/dt=4.5千伏特(kV)/μs的條件設(shè)定RG。HS3 IGBT具有最低的切換損耗EON及EOFF，且
2018-10-10 16:55:17
Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開(kāi)關(guān)可以降低開(kāi)關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來(lái)越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在
2009-11-28 11:26:1543 單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)
2010-03-19 11:58:0640 4路硬盤錄像機(jī)詳細(xì)技術(shù)參數(shù)--DV-375
2010-12-26 22:19:0162 本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
Si827x數(shù)據(jù)表：具有高瞬態(tài)(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 電動(dòng)機(jī)的三相定子繞組流過(guò)電流之后產(chǎn)生了旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，而根據(jù)電磁感應(yīng)的原理，電動(dòng)機(jī)的外殼就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。此感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小，就取決于變 頻器IGBT的開(kāi)關(guān)頻率的大小和C*DV/DT（與IGBT的開(kāi)關(guān)的速度有關(guān)）；由于高性能的控制要求較高的開(kāi)關(guān)頻率，其開(kāi)關(guān)速度要求較快，則DV/DT 偏大。
2017-10-05 22:49:5024024 
IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應(yīng)？ IGBT操作時(shí)所面臨的問(wèn)題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險(xiǎn)。 當(dāng)上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 反向恢復(fù)電流過(guò)大及IGBT內(nèi)部的閂鎖（latch-up）進(jìn)而導(dǎo)致失效。同時(shí)過(guò)高的dv/dt 與di/dt 也會(huì)引發(fā)更高的共模與差模噪聲，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路甚至其它器件的誤動(dòng)作。當(dāng)增大Rg時(shí)必須考慮關(guān)斷延時(shí)與門
2018-06-08 10:30:001289 
由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對(duì)柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個(gè)由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過(guò)Q6的電流鏡像到流過(guò)Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實(shí)現(xiàn)了對(duì)IGBT開(kāi)通時(shí)柵極電流的調(diào)控，IGBT開(kāi)通時(shí)di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這里存在著潛在的風(fēng)險(xiǎn)。
2019-02-04 11:17:0037672 
器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝，進(jìn)一步擴(kuò)展光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800 V，靜態(tài)dV/dt為1000
2019-01-16 18:18:01442 和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800V，靜態(tài)dV/dt為1000V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。 日前發(fā)布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380 VAC線路低電壓邏輯，控制電
2019-03-12 22:30:01322 柵極電路的正偏壓VGE、負(fù)偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0042 英飛凌電流源型驅(qū)動(dòng)芯片，一種非常適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案的產(chǎn)品，將同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無(wú)核變壓器技術(shù)平臺(tái)的隔離式驅(qū)動(dòng)芯片，能精準(zhǔn)地實(shí)時(shí)控制開(kāi)通時(shí)的dv/dt。下面我們來(lái)仔細(xì)看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:072945 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過(guò)調(diào)整來(lái)達(dá)到特定于應(yīng)用的最佳dv/dt和開(kāi)關(guān)損耗。
2020-09-29 11:43:232051 由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:021660 高共模噪聲是汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)必須克服的一個(gè)重大問(wèn)題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時(shí)，共模噪聲（又稱 dV/dt 噪聲）便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來(lái)源，并提出一些方法來(lái)盡量減少噪聲對(duì)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的影響。
2021-03-15 15:16:273189 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會(huì)不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。 伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過(guò)載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過(guò)載結(jié)溫
2021-10-26 15:41:192729 
Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側(cè)，用來(lái)抑制變頻器逆變側(cè)的Du/Dt，保護(hù)電動(dòng)機(jī)，同時(shí)，還能夠延長(zhǎng)變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無(wú)法改變變頻器逆變側(cè)的電壓波形。
2021-12-20 10:19:545283 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:223889 
首先，讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)包括：開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、開(kāi)通電流上升率di/dton、開(kāi)通電壓下降率dv/dton，電流上升時(shí)間tr
2022-04-27 15:10:216745 使用寬帶隙 （WBG） 器件設(shè)計(jì)電子轉(zhuǎn)換器確實(shí)存在與高 dv/dt 瞬態(tài)相關(guān)的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼈兺ǔ?huì)導(dǎo)致有源和無(wú)源元件中的寄生參數(shù)。WBG 器件的 dv/dt 比硅基 IGBT 大，眾所周知
2022-07-26 08:02:531062 
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中，放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
2022-12-19 09:38:491180 電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078 
封裝的集成三相整流與逆變單元PIM（功率集成模塊） IGBT模塊，采用TRENCHSTOP IGBT7、第七代發(fā)射極控制二極管和PressFIT壓接技術(shù),模塊內(nèi)集成有NTC。 產(chǎn)品特性 低通態(tài)電壓VCE（sat）和Vf 過(guò)載時(shí)Tvjop=175°C 增強(qiáng)dv/dt可控性 基于dv/dt =5kV/ μ s，
2023-01-29 19:00:04931 IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:36:593924 
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:285337 
IGBT是一個(gè)受門極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件，只有門極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:44703 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01556 
di/dt水平過(guò)高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時(shí)，施加到半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力會(huì)大大超過(guò)額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528 
的器件，只有門極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:44913 
９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)
2022-03-29 10:35:54214 
①靜態(tài)dV/dt：會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化，導(dǎo)致錯(cuò)誤開(kāi)通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開(kāi)通。
2023-07-14 14:39:26702 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電子燈鎮(zhèn)流器IGBT門驅(qū)動(dòng)因素.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 10:29:220 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 、絕緣基板、驅(qū)動(dòng)電路和封裝材料等組成。 選擇適合的IGBT模塊需要考慮多個(gè)因素，包括額定電壓、額定電流、最大耗散功率、開(kāi)
2024-01-18 17:31:231082 型號(hào)和規(guī)格，以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個(gè)參數(shù)的考慮，下面將詳細(xì)介紹這些參數(shù)。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的IGBT型號(hào)的額定電壓應(yīng)大于應(yīng)用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續(xù)電流。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12260
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