為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會(huì)不同呢？資料下載

中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關(guān)的一個(gè)最重要的參數(shù)就是MOSFET開(kāi)通和關(guān)斷dV/dt。 MOSFET開(kāi)通和關(guān)斷dV/dt主要受驅(qū)動(dòng)電路、PCB布局、外部的柵極電阻以及MOSFET本身的參數(shù)如內(nèi)部柵極電阻和寄生電容、引線電感等因素的影響。 當(dāng)上面的這些條件都確定時(shí)，設(shè)計(jì)過(guò)PFC的工程師會(huì)發(fā)現(xiàn)下面的一個(gè)問(wèn)題：當(dāng)輸入電壓改變的時(shí)候，開(kāi)通的過(guò)程中，不同的輸入電壓對(duì)于dV/dt、di/dt的影響不大；關(guān)斷過(guò)程中，不同的輸入電壓，dV/dt、di/dt并不相同，輸入的交流電壓越低，dV/dt、di/dt越高，這是什么原因？ 當(dāng)輸入電壓低的時(shí)候，相對(duì)的輸入電流大，那么，每個(gè)同期流過(guò)MOSFET的峰值電流也會(huì)變大，因此關(guān)斷過(guò)程中，ID的電流大；由于ID的電流大，基于跨導(dǎo)特性對(duì)應(yīng)的VGS、也就是米勒平臺(tái)的電壓也會(huì)增大，根據(jù)關(guān)斷時(shí)驅(qū)動(dòng)電路的特性： C ? dV/dt = VGP/RG VGP越大，dV/dt越大，關(guān)斷得越快，di/dt也越大。 使用AOS Alpha MOS5高壓功率MOSFET測(cè)量的波形，如下圖所示。 圖1：不同的電壓下關(guān)斷波形圖2：不同的電壓下開(kāi)通波形 dV/dt、di/dt不僅和EMI相關(guān)，還和MOSFET和系統(tǒng)的可靠性相關(guān)，關(guān)斷的過(guò)程中dV/dt過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致MOSFET誤觸發(fā)導(dǎo)通，也會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部的寄生三極管的導(dǎo)通，因此在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，要在各種不同的極端的條件下校核最?lèi)毫拥膁V/dt、di/dt。 (mbbeetchina)