能力很強(qiáng)但為何鮮見應(yīng)用
目前來說,金剛石在半導(dǎo)體中既可以充當(dāng)襯底,也可以充當(dāng)外延(在切、磨、拋等加工后的單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過程),單晶和多晶也均有不同用途。
在CVD生長(zhǎng)技術(shù)、馬賽克拼接技術(shù)、同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)、異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)的推動(dòng)下,大尺寸單晶金剛石(SCD)的制備逐漸走向成熟 。HTHP法制備單晶金剛石直徑已達(dá)20mm;
CVD法同質(zhì)外延生長(zhǎng)的獨(dú)立單晶薄片最大尺寸可達(dá)1英寸;采用馬賽克拼接技術(shù)生長(zhǎng)的金剛石晶圓可達(dá)2英寸 ;采用金剛石異質(zhì)外延技術(shù)的晶圓也已達(dá)到4~8英寸;除此之外,金剛石還會(huì)充當(dāng)導(dǎo)熱襯底,如金剛石基GaN晶圓已達(dá)8英寸。
不僅如此,在器件應(yīng)用上,金剛石的應(yīng)用體系又與硅基半導(dǎo)體相兼容 。如此有利的條件和眾多突破下,行業(yè)似乎仍然沒有拿得出手的產(chǎn)品,問題到底出現(xiàn)在哪里?
摻雜是攔路虎
目前來說,金剛石半導(dǎo)體的p型摻雜已經(jīng)比較成熟,但n型摻雜依舊有許多問題遠(yuǎn)未解決,n型摻雜元素在金剛石中具有高電離能,很難找到合適的施主元素。
n型摻雜中,含氮(N)金剛石電阻率較高 ;硫(S)在金剛石溶解度很低,薄膜質(zhì)量不高,有較多非晶相;磷(P)是應(yīng)用最為廣泛也是公認(rèn)最有潛力的摻雜元素,但金剛石中氫原子會(huì)鈍化磷原子,抑制磷原子電離,致使電阻率高。
不過,n型摻雜已取得很大進(jìn)展,還有一些研究發(fā)現(xiàn),硼氮協(xié)同摻雜所獲得的金剛石大單晶電導(dǎo)率比單一硼摻雜金剛石提高了10~100倍。
反觀同屬第四代半導(dǎo)體材料的氮化鋁(AlN)和氧化鎵(Ga2O 3 ),同樣擁有摻雜的困境:如氮化鋁(AlN)的n型摻雜已實(shí)現(xiàn),p型摻雜卻只停留在理論階段,氧化鎵(Ga2O 3 )暫時(shí)無(wú)法實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的p型摻雜。
造芯的講究多
集成電路的制造包話許多單項(xiàng)工藝,它們對(duì)材料都有一些特殊的要求,與此同時(shí),各項(xiàng)工藝還會(huì)存在相容性的問題。不得不說,從金剛石到晶圓再到芯片的路上,充滿了困境,逐一解決這些問題會(huì)是一個(gè)長(zhǎng)線的研究過程。
如在金剛石雙面點(diǎn)狀摻雜形成PN節(jié) ;再如,利用表面轉(zhuǎn)移摻雜來制造金剛石FET,使得金剛石FET的設(shè)計(jì)和制造不同于標(biāo)準(zhǔn)器件 ;另外,金剛石的氧化物為氣體,沒有適合于器件應(yīng)用的固態(tài)本征氧化物,這為一些器件如MOS的設(shè)計(jì)和制作帶來困難,在光刻掩膜等工藝上也有諸多不便。
雖然幾十年間,行業(yè)已經(jīng)攻破諸多問題,但當(dāng)金剛石真正做到產(chǎn)業(yè)內(nèi)部時(shí),是否能夠經(jīng)受得住最終產(chǎn)品的考驗(yàn),誰(shuí)都無(wú)法說清楚。
尺寸和成本是關(guān)鍵
首先,晶圓尺寸越大,可生產(chǎn)的芯片就越多,金剛石也是同樣道理,只有大尺寸晶圓才能引領(lǐng)商業(yè)化的未來。但就目前來說,金剛石大尺寸襯底材料缺乏,且普遍采用的異質(zhì)外延襯底、襯底拼接等方法得到的大尺寸外延材料內(nèi)部缺陷過多,以CVD摻氮金剛石為例,目前尺寸為6mm x 7mm的金剛石單晶薄片位錯(cuò)密度可低至400cm ^-2^ ,但4~8英寸的金剛石異質(zhì)外延晶圓位錯(cuò)密度接近10^7^cm ^-2^ 。
其次,讓金剛石進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈就要足夠便宜。與硅相比,碳化硅(SiC)的價(jià)格是硅的3040倍,氮化鎵(GaN)的價(jià)格是硅的6501300倍,而用于半導(dǎo)體研究的合成金剛石材料價(jià)格幾乎是硅的10000倍。如果以這種價(jià)格來看,即使它能夠有效提高芯片的功效,TCO(總擁有成本)也會(huì)被高材料成本所淹沒。
既然如此困難,是否意味著只得放棄?并非如此,事實(shí)上,金剛石仍然被認(rèn)為是制備下一代高功率、高頻、高溫及低功率損耗電子器件最有希望的材料 ,雖然目前存在一些問題,但市場(chǎng)仍然會(huì)接納新事物的到來。
評(píng)論
查看更多