金剛石半導體前景
金剛石作為絕佳的寬禁帶半導體材料的同時還集力學、熱學、聲學、光學、電學等優(yōu)異性能于一身, 這使其在高新科技尖端領(lǐng)域中, 特別是電子技術(shù)中得到廣泛關(guān)注, 被公認為是最具前景的新型半導體材料基于這些優(yōu)勢, 寬禁帶半導體尤其是金剛石在高頻高壓條件下具有廣泛且不可替代的應用優(yōu)勢和前景。
隨著大尺寸、高質(zhì)量以及大范圍、高靈活度的金剛石沉積技術(shù)的逐步開發(fā), 有望使大規(guī)模集成電路和高速集成電路的發(fā)展進入一個新時代。
與此同時, 金剛石制備技術(shù)的發(fā)展也推動了金剛石光學及光電子學的快速進步, 實現(xiàn)了光電子器件的尺寸大幅降低。高精度金剛石棱鏡、金剛石圖形化電極以及金剛石聲表面波器件的應用都將推動光學、電學和聲學領(lǐng)域技術(shù)的進一步發(fā)展。
金剛石相比于其他材料具有諸多極其優(yōu)異的物理化學性能指標, 如極佳的機械性能、熱學性能、透光性、半導體性能及化學惰性, 是一種全方位的不可替代的特殊多功能材料。這些特性在很多情況下都遠遠優(yōu)于其他材料。
金剛石盈利能力或提升
首先,氧化鎵、金剛石是第四代半導體材料。其中,氧化鎵是一種無機化合物,也是超寬禁帶半導體材料,氧化鎵超寬禁帶半導體材料制造的功率器件,更耐熱、更高效、成本更低、應用范圍更廣,有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導體材料。生產(chǎn)氧化鎵的公司包括了三安光電、南大光電、士蘭微、中瓷電子等。
而金剛石是最有應用前景的新一代半導體材料之一。其熱導率和體材料遷移率在自然界中最高,在制作功率半導體器件領(lǐng)域應用潛力巨大。目前,全球都在加緊金剛石在半導體領(lǐng)域的研制工作。其中,日本已成功研發(fā)超高純2英寸金剛石晶圓量產(chǎn)方法,其存儲能力相當于10億張藍光光盤。隨著我國加快推動關(guān)鍵技術(shù)突破,功能金剛石材料將由實驗室階段向商業(yè)化轉(zhuǎn)變。
人造金剛石不僅僅是培育鉆石,有望切入下一代半導體材料領(lǐng)域。目前,中兵紅箭、黃河旋風、力量鉆石、豫金剛石供應我國超73%高溫高壓法工業(yè)金剛石,前三家供應約65%份額。綜合考慮擴產(chǎn)計劃,預計行業(yè)總產(chǎn)值至2025年達103億元,復合增速23%。因擴產(chǎn)速度有限,擴產(chǎn)受限+產(chǎn)能擠壓+需求增加,現(xiàn)有市場供不應求可能導致價格進一步上漲,工業(yè)金剛石未來盈利能力有望進一步提升。
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