SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39
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基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23218 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:211047 
半導體器件。目前電力半導體器件所使用的材料仍然以硅為主，當然，隨著技術(shù)的發(fā)展更高性能的半導體材料也逐漸被應用，如碳化硅(SiC)，砷化鎵(GaN)等。
2023-04-04 15:31:431718 
調(diào)壓；將工頻交流電直接轉(zhuǎn)換成其他頻率的交流電，稱為交-交變頻。??直流-直流(DC-DC)變換，將恒定直流變成斷續(xù)脈沖輸出，以改變其平均值。2. 電力電子技術(shù)的發(fā)展??在有電力電子器件以前，電能轉(zhuǎn)換
2008-06-23 17:48:34
GaN與SiC 冰火兩重天。GaN受消費類市場疲軟的影響，市場增長微乎其微。SiC在光伏新能源、電動汽車以及儲能、充電樁等行業(yè)取得了快速發(fā)展。
2023-02-24 14:25:42684 SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長并主導市場份額，IDTechEx在報告中給出了各類器件的應用時間表。雖然經(jīng)過驗證的SiC MOSFET與理論SiC MOSFET之間的性能差距
2023-02-23 11:10:321060 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15482 SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:22
0 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141386 寬帶隙 （WBG） 半導體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 半導體材料顯示出優(yōu)異的性能，允許功率器件在高壓下工作，尤其是在高溫和開關(guān)頻率下。電力電子系統(tǒng)的設(shè)計人員正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。
2022-08-17 14:43:02254 (SiC) 的采用，電力電子技術(shù)走上了一條非凡的道路。Yole Développement (Yole) 估計了這些寬帶隙材料的總體情況。雖然硅仍然占據(jù)市場主導地位，但 GaN 和 SiC 器件的出現(xiàn)一直在引領(lǐng)技術(shù)走向新的高效成果。 在技術(shù)基礎(chǔ)上，碳化硅技術(shù)側(cè)重于在更大直徑和功率
2022-08-08 15:19:37503 
碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持續(xù)增長。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN
2022-08-08 09:52:41205 
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應該得到適當?shù)墓芾?，這使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:57791 
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導體，其在多種電力電子應用中的使用量不斷增長。這是由于這種材料的卓越性能，在功率密度、耐高溫性和高開關(guān)頻率下的操作方面優(yōu)于硅 (Si)。
2022-08-03 08:04:312744 
在基本半導體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292339 
半導體應用中替代現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。新世紀之初，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 已經(jīng)足夠成熟，并獲得足夠的牽引力，將其他潛在的替代品拋在身后，并得到全球工業(yè)制造商的充分關(guān)注。
2022-07-27 15:52:59659 我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來芯片設(shè)計的前沿。
2022-07-27 15:44:03433 電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41617 
頻率，以及承受更高工作溫度和電壓的能力。 為了使電動汽車能夠更快地充電，汽車電力電子設(shè)計人員需要 GaN 和 SiC 器件以及能夠滿足電動汽車效率和功率密度要求的新動力總成架構(gòu)。 為了在給定電池容量的情況下獲得最大的充電續(xù)航里程，整個電源轉(zhuǎn)換鏈
2022-07-26 15:55:411333 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:183990 
先進研究計劃局DARPA的高功率電子器件應用寬禁帶技術(shù)HPE項目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時對我國寬禁帶半導體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:4628 今日寬禁帶半導體聯(lián)盟秘書長陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:042102 、醫(yī)療、通信射頻。 不過從細微差別來說，GaN（氮化鎵）晶體管適合于高效率、高頻率、高功率密度要求的應用場合；碳化硅(SiC)由于熱導率是GaN的三倍以上，因此在高溫應用領(lǐng)域具有優(yōu)勢，因此多用于1200V以上高溫大電力領(lǐng)域。 GaN作為后進者，由于器件水平發(fā)
2020-11-09 10:56:042525 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:009611 
新一代逆變器采用GaN和SiC等先進開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:002570 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235537 
隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體材料（即第三代半導體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發(fā)展方向。
2017-10-17 17:23:191565 電力系統(tǒng)的自動化發(fā)展展望
2017-01-17 19:43:038 現(xiàn)代電力電子及電源技術(shù)的發(fā)展給你一個完整的認識
2015-12-07 14:04:408 圍繞電力電子政策、電力電子與軌道交通、電力電子與新能源技術(shù)、半導體照明技術(shù)以及碳化硅SiC與氮化鎵GaN進行展開，吸引了行業(yè)知名企業(yè)及專家參與。
2013-11-25 09:51:141054 由愛戴愛集團主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站于10月25-26號蘇州會議中心落下帷幕。繼PEC電力電子蘇州站圓滿結(jié)束后，PEC電力電子西安站蓄勢待發(fā)。
2013-11-06 14:42:551062 由愛戴愛集團主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站將于10月25-26號蘇州會議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會蘇州站期間，將涵蓋圍繞先進電力電子技術(shù)、電力電子與新能源、能源效率、新能源汽車/電動汽車以及碳化硅與氮化鎵進行展開，吸引了行業(yè)知名企業(yè)及專家參與。
2013-10-23 16:42:50715 由愛戴愛集團主辦，《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國國際電力電子峰會暨產(chǎn)品展示會—蘇州站將于10月25日在蘇州會議中心隆重開幕。截止日前，英飛凌科技（中國）有限公司、富士電機（中國）有限公司
2013-10-15 17:21:26978 PEC是Power Electronics China的縮寫，內(nèi)容涵蓋電力電子器件（工業(yè)/消費）、電力電子裝置、GaN/SiC材料、汽車電力電子、半導體制造與封裝、電能質(zhì)量、電源管理、散熱管理、磁性元件、能量儲存、無源器件以及測試測量等
2013-09-12 16:53:101614 PEC電力電子蘇州站（10月25-26日，蘇州會議中心），將迎來業(yè)界內(nèi)知名人士，共同探討新能源汽車及電力電子技術(shù)在未來的發(fā)展趨勢，以及能否真正意義上為國民經(jīng)濟的帶來質(zhì)的飛躍等話題。屆時，眾多權(quán)威專業(yè)媒體將進行現(xiàn)場報道，敬請期待！
2013-09-05 11:05:551724 PEC是Power Electronics China的縮寫，內(nèi)容涵蓋電力電子器件（工業(yè)/消費）、電力電子裝置、GaN/SiC材料、汽車電力電子、半導體制造與封裝、電能質(zhì)量、電源管理、散熱管理、磁性 元件、能量儲存、無源器件以及測試測量等。
2013-08-26 12:02:02944 SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493348 功率半導體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024464 電力電子技術(shù)向高頻領(lǐng)域發(fā)展的幾點見解
今天，電力電子技術(shù)的發(fā)展方向之一是工作頻率
2010-03-03 14:30:302256
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