為提高其開(kāi)關(guān)速度，要求驅(qū)動(dòng)電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。還需要一定的柵極驅(qū)動(dòng)電流。
開(kāi)通時(shí)，柵極電流可由下式計(jì)算：
????? （1）
關(guān)斷時(shí)，柵極電流由下式計(jì)算：
??????????????????????? （2）
式（1）是選取開(kāi)通驅(qū)動(dòng)元件主要依據(jù)，式（2）是選取關(guān)斷驅(qū)動(dòng)元件的主要依據(jù)。
???????????????????????????? ??電力場(chǎng)效應(yīng)管的一種驅(qū)動(dòng)電路
IR2130可以驅(qū)動(dòng)電壓不高于600V電路中的MOSFET，內(nèi)含過(guò)電流、過(guò)電壓和欠電壓等保護(hù)，輸出可以直接驅(qū)動(dòng)6個(gè)MOSFET或IGBT。
TLP250內(nèi)含一個(gè)光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測(cè)器，具有輸入、輸出隔離，開(kāi)關(guān)時(shí)間短，輸入電流小、輸出電流大等特點(diǎn)。適用于驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT。
（四）???? 絕緣柵雙極型晶體管
IGBT的結(jié)構(gòu)和基本原理
IGBT也是一種三端器件，它們分別是柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
擎住效應(yīng)
擎住效應(yīng)? 由于IGBT復(fù)合器件內(nèi)有一個(gè)寄生晶閘管存在，當(dāng)IGBT集電極電流Ic大到一定程度，可使寄生晶閘管導(dǎo)通，從而其柵極對(duì)器件失去控制作用，這就是所謂的擎住效應(yīng)。
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路
驅(qū)動(dòng)的基本要求
要有較陡的脈沖上升沿和下降沿
要有足夠大的驅(qū)動(dòng)功率
要有合適的正向驅(qū)動(dòng)電壓UGE
要有合適的反偏壓? 反偏壓一般取為-2～-10V
驅(qū)動(dòng)電路與控制電路之間最好進(jìn)行電氣隔離
驅(qū)動(dòng)電路
適用于高頻小功率場(chǎng)合的驅(qū)動(dòng)電路
??????????????????????? IGBT驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例一
適合于中大功率場(chǎng)合的驅(qū)動(dòng)電路
??????????????????????????? IGBT驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例二
IGBT專用集成模塊驅(qū)動(dòng)電路
比較典型的有日本三菱公司的M57918L
電力電子器件的緩沖電路和串并聯(lián)
緩沖電路
