貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書 探討基于GaN的電力電子器件的優(yōu)勢(shì)

2024年12月3日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。
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《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家暢談氮化鎵技術(shù)）一書探討了比硅效率更高、開(kāi)關(guān)速度更快、功率密度更大的氮化鎵如何徹底改變電力電子行業(yè)。從汽車和工業(yè)應(yīng)用，再到消費(fèi)電子和可再生能源，GaN技術(shù)的優(yōu)勢(shì)對(duì)各行各業(yè)都有著深遠(yuǎn)影響。這本新電子書提供了ADI、Bourns及其他公司的專家對(duì)GaN的見(jiàn)解，包括GaN的優(yōu)勢(shì)、設(shè)計(jì)人員首次使用GaN可能面臨的挑戰(zhàn)以及如何順利完成從硅到GaN的過(guò)渡。本電子書還重點(diǎn)介紹了ADI和Bourns的相關(guān)產(chǎn)品，包括GaN控制器和驅(qū)動(dòng)器，以及功率電感器等。
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ADI LTC7890/1同步降壓控制器是一款高性能的降壓型DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器，通過(guò)高達(dá)100V的輸入電壓驅(qū)動(dòng)N溝道同步GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體解決方案相比，這些器件簡(jiǎn)化了應(yīng)用設(shè)計(jì)，無(wú)需保護(hù)二極管和其他額外的外部組件。
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LT8418是一款100V半橋GaN驅(qū)動(dòng)器，集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)器級(jí)、驅(qū)動(dòng)器邏輯控制和保護(hù)功能。LT8418提供分離式柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)調(diào)整GaN FET的開(kāi)啟和關(guān)閉壓擺率，因此能抑制振鈴并優(yōu)化EMI性能。
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由于GaN技術(shù)的高開(kāi)關(guān)頻率，需要用戶仔細(xì)選擇無(wú)源元件。Bourns提供針對(duì)GaN高頻優(yōu)化的先進(jìn)磁性元器件，包括其PQ扁線功率電感器、CWP3230A片式電感器和 TLVR1105T TLVR電感器。這些器件具有低電感、高額定電流和低輻射的屏蔽結(jié)構(gòu)。
Bourns HCTSM150102HL變壓器具有更強(qiáng)的隔離能力、15mm最小電氣間隙/爬電距離和7.64kV (2s) 耐壓，提升了隔離高壓危險(xiǎn)的水平。該變壓器采用鐵氧體環(huán)形磁芯，具有高耦合系數(shù)和效率。
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