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電子發(fā)燒友網(wǎng)>光電顯示>猶他大學(xué)開發(fā)出“自旋極化”新OLED技術(shù)

猶他大學(xué)開發(fā)出“自旋極化”新OLED技術(shù)

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23日消息,三星宣布成功開發(fā)出15.6英寸超高清(UHD分辨率)OLED顯示屏,預(yù)計二月份量產(chǎn)。
2019-01-24 15:00:41559

研究人員開發(fā)出半導(dǎo)體測量新技術(shù),靈敏度比以往測量技術(shù)提升了10萬倍!

UT(德州大學(xué),University of Texas)研究人員開發(fā)出一種半導(dǎo)體測量新技術(shù),這項技術(shù)的靈敏度比以往測量技術(shù)提升了10萬倍。
2019-05-05 15:38:122846

德州大學(xué)開發(fā)出半導(dǎo)體測量新技術(shù) 比以往提升10萬倍

UT(德州大學(xué),University of Texas)研究人員開發(fā)出一種半導(dǎo)體測量新技術(shù),這項技術(shù)的靈敏度比以往測量技術(shù)提升了10萬倍。 UT電氣與計算機工程專業(yè)的研究生Sukrith Dev與UT中紅外光學(xué)研究小組的電氣與計算機工程副教授Daniel Wasserman共同完成了該研究。
2019-05-14 10:01:211299

美國華盛頓州立大學(xué)開發(fā)出了一種能檢測牛奶是否變質(zhì)的新型傳感器

據(jù)麥姆斯咨詢報道,美國華盛頓州立大學(xué)(Washington State University,簡稱WSU)的科學(xué)家團(tuán)隊開發(fā)出一種新型傳感器技術(shù),使得牛奶以標(biāo)示的日期作為保質(zhì)期這一傳統(tǒng)方法或?qū)⒊蔀闅v史
2019-05-14 09:17:14576

日本一研究結(jié)果顯示可通過操縱分子內(nèi)的電子自旋極大地降低OLED所需的能耗

據(jù)悉,來自日本理化學(xué)研究所RIKEN和加州大學(xué)的科學(xué)家,攜手國際合作伙伴,日前展示了一種新的方法來操縱對OLED內(nèi)電子傳輸至關(guān)重要的激子。他們的研究表明,OLED中激子形成的電子傳輸過程可以通過操縱分子內(nèi)的電子自旋來控制。這一發(fā)現(xiàn)可以極大地降低OLED所需的能耗。
2019-06-11 15:48:051551

德國開發(fā)出一種單層OLED原型 制造成本或大大降低

據(jù)外媒報道,德國馬克斯普朗克聚合物研究所(Max Planck Institute for Polymer Research)開發(fā)出一種單層OLED的原型,這預(yù)示著相對于現(xiàn)在多層疊在一起的OLED來說,制造成本可能大大降低。
2019-07-15 15:18:051829

韓國開發(fā)出一種用于面膜的OLED材料 可粘附到面部皮膚上進(jìn)行光療

日前,韓國研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種用于面膜的OLED材料,該材料薄且有彈性,足以粘附到面部皮膚上進(jìn)行光療。
2019-12-19 11:29:45619

瑞典烏普薩拉大學(xué)開發(fā)出新型染料敏化太陽能電池

據(jù)瑞典烏普薩拉大學(xué)官網(wǎng)近日報道,該校研究人員開發(fā)出一種新型染料敏化太陽能電池,它可以采集來自室內(nèi)燈具的光線。
2020-03-12 16:21:283072

俄羅斯大學(xué)開發(fā)出了大型的金屬線材產(chǎn)品3D打印技術(shù)

在高級研究基金會和布良斯克國立技術(shù)大學(xué)(BSTU)的聯(lián)合項目的框架內(nèi),已經(jīng)開發(fā)出用于大型金屬線材產(chǎn)品3D打印的加性和減性硬化技術(shù)(ASUT)。
2020-03-16 16:38:543216

OLEDWorks宣布已開發(fā)高性能多堆棧OLED微顯示技術(shù)

OLED照明開發(fā)商OLEDWorks宣布,他們已經(jīng)開發(fā)出一種高性能多堆棧OLED微顯示技術(shù)。在國際SID展示周上,OLEDWorks將展示這項技術(shù),以及3、4和5層微顯示器制造結(jié)果。
2020-08-04 13:28:37610

Nature Comm.:為反鐵磁自旋電子器件的設(shè)計提供了新思路

自旋霍爾效應(yīng)實現(xiàn)了電荷電流和自旋電流之間的有效轉(zhuǎn)換,基于此的自旋軌道矩可以通過電流驅(qū)動磁翻轉(zhuǎn),是現(xiàn)代自旋電子學(xué)的關(guān)鍵領(lǐng)域。低功耗、定向性的磁翻轉(zhuǎn)需要自旋電流的自旋極化方向與磁矩方向共線。然而,對稱性
2020-10-11 10:15:013518

三星和斯坦福大學(xué)已聯(lián)合開發(fā)出迄今最精細(xì)的OLED技術(shù)

10月26日消息,據(jù)國外媒體報道,三星和斯坦福大學(xué)已聯(lián)合開發(fā)出了迄今最精細(xì)的OLED技術(shù),像素密度高達(dá) 10000 PPI(像素 / 英寸),遠(yuǎn)高于目前所有顯示器上的像素密度。
2020-10-26 15:04:001506

三星和斯坦福大學(xué)發(fā)出PPI高達(dá)10000的OLED屏幕

目前,OLED已經(jīng)成為當(dāng)下手機屏幕的主流,各個價位段的手機都在采用色彩更飽滿的OLED屏幕。近日有外媒報道稱,三星正在和斯坦福大學(xué)合作研發(fā)全新的OLED屏幕,這塊屏幕擁有高達(dá)10000的PPI,將再次刷新OLED屏幕的顯示精度。
2020-10-27 11:50:483078

澳門大學(xué)發(fā)出新型微流控技術(shù)

澳門大學(xué)微電子研究院的團(tuán)隊研發(fā)出一種于微芯片上加樣的新型技術(shù),不但優(yōu)化了芯片上配液的操作,還極大的提高了配液效率,將有望用于可攜式生化實驗分析設(shè)備的開發(fā),實現(xiàn)科技成果轉(zhuǎn)化,助力大灣區(qū)科技創(chuàng)新
2020-11-09 12:02:473277

自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)有著出色的可擴(kuò)展性和耐用性

極化電流的技術(shù)。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來使用超精細(xì)工藝生產(chǎn)的MRAM的技術(shù),可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器,微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791

LG開發(fā)出內(nèi)置透明OLED顯示屏的自動滑門

LG今天宣布其與瑞典制造商Assa Abloy Entrance Systems合作,開發(fā)出內(nèi)置透明OLED顯示屏的自動滑門。這款門將面向企業(yè)、商業(yè)用戶使用,絢麗多姿的大門將能夠更好地迎接客戶、與員工交流或展示廣告。
2020-12-08 09:38:412089

反鐵磁自旋霍爾效應(yīng)——局域空間反演破缺之美

當(dāng)電流沿著反鐵磁磁矩方向時,由反鐵磁磁矩M決定的載流子自旋與局域空間反演破缺誘導(dǎo)的自旋軌道場H相垂直而發(fā)生相互作用,從而向面外進(jìn)動(–M×H),產(chǎn)生面外的自旋極化。
2021-03-03 16:53:372214

手性與自旋—手性甲硫氨酸分子的自旋極化輸運和光電流選擇性

綜上,手性誘導(dǎo)的自旋選擇性效應(yīng)在推動自旋電子學(xué)器件革命的同時,也啟發(fā)了人們對生命和地球的新一輪探索。核酸、蛋白質(zhì)和多糖等多數(shù)生物大分子都表現(xiàn)出手性特征,在人體內(nèi)分別傾向于呈現(xiàn)出右手螺旋、左手螺旋和右手螺旋狀態(tài)。
2022-08-03 15:20:101614

自旋鎖的發(fā)展歷史與使用方法

自旋鎖是Linux內(nèi)核里最常用的鎖之一,自旋鎖的概念很簡單,就是如果加鎖失敗在等鎖時是使用休眠等待還是忙等待,如果是忙等待的話,就是自旋鎖,這也是自旋鎖名字的由來。自旋鎖的邏輯是,用自旋鎖保護(hù)的臨界
2022-08-08 08:51:371321

韓國浦項科技大學(xué) (POSTECH):開發(fā)出可附著在皮膚上的聽覺傳感器

【韓國浦項科技大學(xué) (POSTECH):開發(fā)出可附著在皮膚上的聽覺傳感器】 近日消息,韓國浦項科技大學(xué) (POSTECH)的研究人員開發(fā)出一種可附著在皮膚上的麥克風(fēng)傳感器,即使在極為嘈雜環(huán)境
2022-10-30 13:14:42572

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué):成功研制 用于搜尋新粒子的單自旋量子傳感器

傳感新品 【中國科學(xué)技術(shù)大學(xué):成功研制 用于搜尋新粒子的單自旋量子傳感器】 尋找粒子物理標(biāo)準(zhǔn)模型之外的新粒子,對物理新探索非常重要。記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,該校杜江峰院士團(tuán)隊近期成功研制出用于
2023-04-03 17:08:18525

硅基半導(dǎo)體自旋量子比特實現(xiàn)超快調(diào)控

來源:科技日報 5月7日從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,該校郭光燦院士團(tuán)隊郭國平教授、李海歐教授等人與國內(nèi)同行以及本源量子計算有限公司合作,在硅基鍺量子點中實現(xiàn)了自旋量子比特操控速率的電場調(diào)控,以及自旋翻轉(zhuǎn)
2023-05-09 15:22:34370

什么是量子自旋霍爾效應(yīng)?

量子自旋霍爾效應(yīng)是一種拓?fù)浣^緣體的特性,指的是一種材料在內(nèi)部是絕緣的,但是在邊緣有導(dǎo)電的態(tài)。這些邊緣態(tài)具有特殊的性質(zhì),例如不受雜質(zhì)或缺陷的影響,以及具有反向的自旋極化。
2023-05-23 11:38:531360

一種有趣的自旋輸運調(diào)控機制--自旋分離器

? 0 1?引言?? 自旋輸運的調(diào)控一直是自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域的中心課題。到目前為止,沿著這條路線兩個著名的發(fā)現(xiàn)是半金屬輸運和純自旋流的預(yù)測,前者實現(xiàn)了100%自旋極化的單自旋輸運,后者表征為兩個自旋
2023-06-28 17:39:18481

韓國KAIST開發(fā)出可水洗柔性透明OLED

韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)院長Lee Kwang-hyung宣布,電氣電子工程學(xué)院Kyung-chul Choi教授團(tuán)隊使用MXene納米技術(shù)成功開發(fā)出防水、透明、柔性OLED ,即使暴露在水中,也能發(fā)光并顯示。
2023-06-29 11:41:21236

廈門大學(xué)團(tuán)隊研制成功拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">自旋固態(tài)光源芯片

高效率、小型化自旋極化光子源依賴于自旋量子態(tài)的有效操控與輸運。傳統(tǒng)自旋操控的條件苛刻,需要外加磁場或低溫環(huán)境,且極化率低、穩(wěn)定性差、易受電磁信號干擾。
2023-07-15 16:36:19466

自旋鎖和互斥鎖的區(qū)別有哪些

自旋自旋鎖與互斥鎖很相似,在訪問共享資源之前對自旋鎖進(jìn)行上鎖,在訪問完成后釋放自旋鎖(解鎖);事實上,從實現(xiàn)方式上來說,互斥鎖是基于自旋鎖來實現(xiàn)的,所以自旋鎖相較于互斥鎖更加底層。 自旋鎖與互斥
2023-07-21 11:19:527256

半導(dǎo)體所等在手性分子產(chǎn)生自旋極化研究的進(jìn)展

利用手性與自旋極化的相互轉(zhuǎn)換產(chǎn)生自旋流是近年來自旋電子學(xué)領(lǐng)域的研究熱點,相關(guān)現(xiàn)象被稱之為“手性誘導(dǎo)自旋選擇性”(Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS)。
2023-08-30 17:14:15793

基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結(jié)構(gòu)的自旋卡諾電子學(xué)器件設(shè)計

為了減小界面處的晶格形變,提高電子透射性能,我們基于STGNR和5-STGNR納米帶,設(shè)計了全新的自旋卡諾電子學(xué)器件。采用非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理論,選取對稱與不對稱邊緣的STGNR納米帶,計算了多種構(gòu)型的異質(zhì)結(jié)并計算自旋卡諾輸運性質(zhì),包括熱電流的自旋極化、熱致磁阻和自旋塞貝克效應(yīng)等。
2023-09-12 17:59:51487

基于OLED-on-silicon技術(shù)的微型氣體傳感器平臺開發(fā)

據(jù)麥姆斯咨詢報道,德國弗勞恩霍夫有機電子、電子束和等離子體技術(shù)研究所(Fraunhofer FEP)開發(fā)出基于硅上OLEDOLED-on-silicon)技術(shù)并具有最小芯片面積的微型磷光傳感器
2023-10-31 11:22:41117

如何用C++11實現(xiàn)自旋

下面我會分析一下自旋鎖,并代碼實現(xiàn)自旋鎖和互斥鎖的性能對比,以及利用C++11實現(xiàn)自旋鎖。 一:自旋鎖(spin lock) 自旋鎖是一種用于保護(hù)多線程共享資源的鎖,與一般互斥鎖(mutex
2023-11-11 16:48:23679

臺積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片

據(jù)報道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器(SOT-MRAM)陣列芯片,并搭配創(chuàng)新的運算架構(gòu),使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646

臺積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片,功耗極低

臺積電近日宣布,與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器(SOT-MRAM)陣列芯片,該芯片具有極低的功耗,僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲器領(lǐng)域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346

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