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SOI全稱為Silicon-On-Insulator,即絕緣襯底上的硅,該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶體管之間,加入絕緣體物質(zhì),可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。
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