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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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詳細(xì)介紹集各種存儲(chǔ)器優(yōu)異性能于一身的MRAM
MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā),全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...
MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比較具有相對(duì)優(yōu)勢
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRA...
2020-12-15 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)MRAM 444 0
everspin的MR25H10是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備,由131,072個(gè)8位字組成。MR25H10提供串行EEP...
2020-12-10 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)人工智能 316 0
MRAM是一種非常復(fù)雜的薄膜多層堆疊,由10多種不同材料和超過30層以上的薄膜與堆疊組成,部分薄膜層的厚度僅達(dá)數(shù)埃,比人類的發(fā)絲還要薄5...
2020-12-10 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)RAMMRAM 397 0
被各大原廠所看好的MRAM存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展
MRAM是一種以電阻為存儲(chǔ)方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問兩種特性,可以兼做內(nèi)存和硬盤的新型存儲(chǔ)介質(zhì)。寫入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍,此外...
MRAM的性能能力以及如何使用MRAM提高邊緣計(jì)算的可靠性
在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備、可穿戴設(shè)備、人工智能、汽車和便攜式設(shè)計(jì)等應(yīng)用中,邊緣計(jì)算的使用日益增加。隨著這種需求的增加,程序存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)...
傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片到達(dá)技術(shù)節(jié)點(diǎn)
前言:實(shí)現(xiàn)硬件方面的復(fù)興,才能充分挖掘人工智能時(shí)代的潛力。在性能、功耗和密度(面積/成本)方面得到顯著改善的新興存儲(chǔ)可以滿足邊緣計(jì)算、近邊緣和云計(jì)算的需...
關(guān)于嵌入式STT-MRAM效應(yīng)與流致反轉(zhuǎn)的分析
最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場,使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來進(jìn)行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進(jìn)程,因此當(dāng)時(shí)...
目前主流的MRAM利用巨磁阻效應(yīng)( GMR)和磁性隧道結(jié)(MTJ))的隧穿電阻效應(yīng)來進(jìn)行存儲(chǔ)。以MTJ為例,其元胞結(jié)構(gòu)包括自由層、隧道層和固定層3個(gè)層面...
關(guān)于MRAM與現(xiàn)行各類存儲(chǔ)器之間的比較
MRAM在讀寫方面可以實(shí)現(xiàn)高速化,這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性,即MRAM本身可...
PCM與MRAM將在非易失性存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位
MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來的十年中,兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類型(相變存儲(chǔ)器和磁RAM)將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
未來MRAM存儲(chǔ)器將占主導(dǎo)地位并取代其它所有類型
MRAM是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的縮寫。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲(chǔ)器(...
MVentures和imec.xpand以及韓國存儲(chǔ)器制造商SK Hynix,Robert Bosch Venture Capital和TEL Vent...
簡單分析新興存儲(chǔ)器MRAM與ReRAM嵌入式的市場
新興的記憶已經(jīng)存在了數(shù)十年。盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功,但它們也落后于離散存儲(chǔ)器的高性價(jià)比替代方案。盡管具有更高的性能,耐...
新興存儲(chǔ)器鐵電RAM嵌入式應(yīng)用的優(yōu)勢是什么
存儲(chǔ)器IC市場一直是動(dòng)態(tài)的,但是隨著邊緣計(jì)算,人工智能(AI),5G和自動(dòng)駕駛的興起,對(duì)存儲(chǔ)器技術(shù)的需求正在不斷擴(kuò)大和發(fā)展。由于持續(xù)的大流行,使工作和商...
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)有著出色的可擴(kuò)展性和耐用性
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)它結(jié)合了非易失性,出色的可擴(kuò)展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩(STT)寫入是一種通過對(duì)齊...
基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案的詳細(xì)講解
本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯片漏電...
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是怎樣的
MRAM與傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)(MTJ ),而后者則是電荷。 每一個(gè)磁性隧道結(jié)包含一個(gè)固定層和一個(gè)自由層。固定層的...
非易失性MRAM存儲(chǔ)器在各級(jí)高速緩存中的應(yīng)用
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失...
磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM的特點(diǎn)是什么
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,芯片工藝制程的不斷演進(jìn)和成本的不斷降低,半導(dǎo)體芯片廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、個(gè)人終端、汽車電子、可穿戴設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等各個(gè)領(lǐng)域。...
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