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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來(lái)越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。
MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以...
2018-07-11 標(biāo)簽:MOSFET 23.1萬(wàn) 0
mos管工作原理:它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過(guò)工...
boost升壓電路是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)直流升壓電路,它通過(guò)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)控制電感儲(chǔ)存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。
2019-09-04 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源電感 9.7萬(wàn) 0
MOS的概念、工作原理、分類(lèi)以及相關(guān)應(yīng)用詳解
Hi,大家好。歡迎來(lái)到我們【半導(dǎo)體概念科普】系列文章,本系列會(huì)針對(duì)半導(dǎo)體重要且基礎(chǔ)的概念做一些科普,輔助一些技術(shù)報(bào)告/文章的閱讀和理解。 集成電路按照所...
對(duì)MOSFET與IGBT詳細(xì)的區(qū)別分析以及舉例說(shuō)明
本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗,并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)...
MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)詳解
MOSFET憑開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計(jì)一個(gè)適合應(yīng)用的...
2016-10-09 標(biāo)簽:MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)電路 6.5萬(wàn) 0
MOS管的構(gòu)造及MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)
實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過(guò)程中襯底在出廠前就和源極連接,所以在符號(hào)的規(guī)則中,表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-(c)是P溝道MO...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 5.3萬(wàn) 0
MX1919L雙路有刷直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的中文數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載
類(lèi)別:IC中文資料 2018-12-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路VDD 1.6萬(wàn) 4
MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片IR2111立即下載
類(lèi)別:IC中文資料 2011-07-19 標(biāo)簽:MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片IR2111 1.3萬(wàn) 5
功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)PDF電子書(shū)免費(fèi)下載立即下載
類(lèi)別:模擬數(shù)字 2019-06-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.2萬(wàn) 9
理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS,必須利用外部的條件和電路特性,實(shí)現(xiàn)其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管,由于其寄生的二極管或...
2012-04-12 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 6.2萬(wàn) 1
Power Master 半導(dǎo)體推出第二代 1200V eSiC MOSFET
PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET,以滿足直流電動(dòng)汽車(chē)充電站、太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、...
MOSFET的簡(jiǎn)述及工作原理及應(yīng)用領(lǐng)域解析
MOSFET是具有源極(Source),柵極(Gate),漏極(Drain)和主體(Body)端子的四端子設(shè)備。通常,MOSFET的主體與源極端子連接,...
2021-04-27 標(biāo)簽:集成電路開(kāi)關(guān)MOSFET 4.4萬(wàn) 0
詳細(xì)解析MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transisto...
2018-04-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 4.3萬(wàn) 0
MOSFET開(kāi)關(guān)中電壓尖峰的形成原因、后果及解決方案
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱(chēng)功率MOSFE...
近年來(lái),SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能,這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè),到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億...
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transist...
2012-04-10 標(biāo)簽:MOSFET 3.2萬(wàn) 0
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