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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國(guó)市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過(guò...
中國(guó)電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級(jí)的核心路徑。這一趨勢(shì)不僅是技...
國(guó)產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)
進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過(guò)30%來(lái)絞殺國(guó)產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的...
SC5016大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng) 第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)設(shè)備
SC5016大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是專(zhuān)為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)檢測(cè...
2025-03-13 標(biāo)簽:大功率測(cè)試系統(tǒng)IGBT 441 0
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢...
揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)
近日,由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航 共贏未來(lái)”SiC、...
2025-03-07 標(biāo)簽:IGBTSiC揚(yáng)杰科技 854 0
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(...
見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rè...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 768 0
電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離?
在探討電機(jī)控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅(qū)動(dòng)為何需要隔離的問(wèn)題時(shí),我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其在電機(jī)控制中的應(yīng)用,...
電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車(chē)”的戰(zhàn)略選擇:國(guó)產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊
國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢(shì),既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國(guó)電力電...
逆變器應(yīng)用中國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管損耗計(jì)算對(duì)比
國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管在125kW儲(chǔ)能變流器逆變損耗計(jì)算對(duì)比以及國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單...
華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品
引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品...
在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下,新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件,發(fā)揮著不可替代的作用。...
2025-02-21 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)模塊IGBT 1303 0
IGBT的演進(jìn)歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索
一文了解IGBT的前世今生 引言 1、何為IGBT? 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu).....
IGBT模塊封裝中環(huán)氧樹(shù)脂技術(shù)的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)探析
一、環(huán)氧樹(shù)脂在IGBT模塊封裝中的應(yīng)用現(xiàn)狀 1. **核心應(yīng)用場(chǎng)景與工藝** ? IGBT模塊封裝中,環(huán)氧樹(sh...
2025-02-17 標(biāo)簽:封裝IGBT環(huán)氧樹(shù)脂 1.4萬(wàn) 0
華潤(rùn)微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤(rùn)微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會(huì)。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車(chē)規(guī)主驅...
BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì),使其成為電力電子...
2025-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電壓 446 0
125KW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
傾佳電子楊茜分析在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)應(yīng)用中,國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)模塊全面取代傳統(tǒng)老舊IGBT模塊的技術(shù...
2025-02-11 標(biāo)簽:IGBTSiC儲(chǔ)能變流器 374 0
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