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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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對于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來說,功率半導(dǎo)體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...
2024-06-19 標簽:三極管二極管電子系統(tǒng) 599 0
IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu),由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)控制Bipolar雙極晶體管的開關(guān)動作。發(fā)熱量巨大的電子器件、芯片、MOSFET...
中國IGBT發(fā)展的這20年,誕生了許多優(yōu)秀的企業(yè)。除了比亞迪、斯達半導(dǎo)和中車時代電氣,還有擁有國內(nèi)第一條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線的華潤微;全球...
安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模塊, 助力可再生能源應(yīng)用簡化設(shè)計并降低成本
在相同的外形尺寸和熱閾值下,QDual3模塊能提供高出10%的功率 ? 2024 年6月12日-- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè) 安森美(onsem...
上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實現(xiàn)單機2MW儲能變流器
英飛凌的TRENCHSTOPIGBT7,作為新一代IGBT技術(shù)的璀璨明珠,是大功率儲能變流器PCS技術(shù)升級的推動力,它進一步提高了逆變器效率和功率密度。...
安森美發(fā)布高功率密度IGBT模塊,助力能源系統(tǒng)優(yōu)化
在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域,美國納斯達克上市的安森美公司(onsemi,股票代碼:ON)再次展現(xiàn)其技術(shù)實力。近日,該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDua...
安森美發(fā)布第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊
近日,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),最新發(fā)布第 7代1200VQDual3 絕緣柵雙極晶體管(IG...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)近日,TrendForce發(fā)布了最新的全球電動車逆變器市場數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)顯示,因受電動車傳統(tǒng)淡季影響,2024年第一季全球牽引...
? 柵極驅(qū)動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號,從而實現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。隨著各種智能電子設(shè)備的不斷普及和應(yīng)用,...
國產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)出口國際市場
前言隨著全球科技水平的提高和科學(xué)研究的深入,科學(xué)儀器成為各個國家和地區(qū)科研機構(gòu)、高校和企業(yè)必不可少的工具。受益于全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跑馬圈地擴張產(chǎn)能,測...
聚焦功率半導(dǎo)體測試 | 普賽斯儀表多款測試新品亮相中國光谷九峰山論壇
“聚勢賦能共赴未來”,2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會,已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動作為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最...
攬獲殊榮!普賽斯儀表榮獲“金翎獎”功率半導(dǎo)體領(lǐng)域2024年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎項
全球半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,暢通著能源產(chǎn)業(yè)的命脈。新能源時代,功率半導(dǎo)體成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的名片之一。4月23日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展...
捷捷微電與晶能微電子深化合作,共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章
近日,捷捷微電與總部位于杭州的浙江晶能微電子有限公司(簡稱“晶能”)在吉利科技大廈隆重簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。此舉標志著雙方在工控IGBT領(lǐng)域的合作將進一步加...
在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實現(xiàn)碳中和的進程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)
傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中,IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD(快恢復(fù)二極管)為主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力,對開關(guān)損耗是很大的拖累。
來源:投資界 近日,株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司(簡稱“中車時代半導(dǎo)體”)宣布增資引入26位戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺,金額為人民幣 43.278億元。 據(jù)...
東芝12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠完工,產(chǎn)能預(yù)計提升2.5倍
東芝透露,目前正致力于相關(guān)設(shè)備的安裝,旨在確保在2024財年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。一旦全面投產(chǎn),東芝功率半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品MOSFET和IGBT的產(chǎn)量預(yù)計將達到...
2024-05-27 標簽:東芝IGBT功率半導(dǎo)體 642 0
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