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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案
在當今工業(yè)自動化和電力電子領域,高效、可靠的功率半導體器件是各類設備穩(wěn)定運行的核心。揚杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求...
三菱電機集團近日宣布與GE Vernova公司(美國馬薩諸塞州劍橋)簽署諒解備忘錄,強化雙方在高壓直流(HVDC)輸電系統(tǒng)用功率半導體領域的合作。該協(xié)議...
1安培輸出電流的IGBT柵極驅動電路光耦合器-ICPL-155E
IGBT的柵極電壓可通過不同的驅動電路來產(chǎn)生。這些驅動電路設計的優(yōu)劣對IGBT構成的系統(tǒng)長期運行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以...
爆款方案!捷捷微電MOSFET、IGBT雙殺,微型逆變器效率狂飆200%
微型逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組件,其性能與功率器件的選型密切相關。捷捷微電針對不同功率需求,提供了基于MOSFET和IGBT的多樣化解決方案。本文結....
變頻器中IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)爆炸是電力電子設備中較為嚴重的故障之一,其成因復雜且危害性大。以下從設計、應用、環(huán)境及維護等多維度分析可能導致IG...
IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢/應用領域/技術趨勢/測試與選型要點——你知道多少?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(雙極型晶體管)的低導通壓降優(yōu)勢,在...
數(shù)明半導體推出全新600V/4A半橋門極驅動SiLM228x系列
在工業(yè)電機控制、新能源逆變以及開關電源等高壓高功率應用中,傳統(tǒng)門極驅動方案長期面臨三大技術瓶頸:在高壓環(huán)境下,抗干擾能力薄弱易引發(fā)誤觸發(fā);驅動...
揚杰IGBT七單元模塊:全封裝矩陣平替進口,重構國產(chǎn)化功率器件新生態(tài)
國產(chǎn)化破局 重構功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應鏈震蕩與國產(chǎn)替代浪潮中,揚杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝...
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應用哪里?
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領域核心開關器件,通過柵極電壓...
逆變焊機新時代:碳化硅(SiC)技術開啟高效節(jié)能新篇章
在工業(yè)制造領域,焊接設備是核心生產(chǎn)力工具之一,其效率與能耗直接影響生產(chǎn)成本和環(huán)保標準。傳統(tǒng)焊機多采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)...
部分外資廠商IGBT模塊失效報告作假對中國功率模塊市場的深遠影響
部分IGBT模塊廠商失效報告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠影響,可以從技術、商業(yè)、行業(yè)競爭等多維度分析,并結合中國功率模塊市場的動態(tài)變化進行.....
大功率IGBT模塊你了解多少?結構特性是什么?主要應用在哪里?
一、核心定義與結構特性 大功率IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為核心,集成續(xù)流二極管(FWD)的復合功率器件,通過多層封裝技術實現(xiàn)高電壓、...
大功率IGBT模塊/在線測試/檢修/失效分析IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀SC5016
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀SC5016 一、產(chǎn)品技術概述 SC5016是面向第三代半導體測試需求開發(fā)的高精度自動化測試平臺,采用專利型多級程控電源架構,...
國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性
國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率...
新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的...
IGBT的靜態(tài)參數(shù)有哪些?怎樣去精確測量這些參數(shù)呢?
IGBT靜態(tài)參數(shù)是評估其正常工作狀態(tài)下電學特性的關鍵指標,主要包含以下核心參數(shù)及定義: 一、基本靜態(tài)參數(shù) ? 柵極-發(fā)射極...
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