0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM

駿龍電子 ? 來(lái)源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-11-22 14:28 ? 次閱讀

以下文章來(lái)源于 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

新品

采用IGBT7的CIPOS Maxi

10-20A 1200V IPM

高性能CIPOS Maxi轉(zhuǎn)模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)芯片,該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能,這大大降低了損耗,提高了效率,并增加了功率密度。產(chǎn)品組合包括從10A ,15A和20A三種新產(chǎn)品。

該系列集成了6個(gè)TRENCHSTOP IGBT7,驅(qū)動(dòng)采用經(jīng)過(guò)優(yōu)化的1200V,6通道SOI柵極驅(qū)動(dòng)器,提供出色的保護(hù),并優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。

該IPM是1200V等級(jí)中最小、最緊湊的封裝,額定功率超過(guò)4kW,具有出色的功率密度、可靠性和性能。它具有出色的保護(hù)功能,例如欠壓保護(hù)和低壓保護(hù),所有通道電壓鎖定、保護(hù)期間所有開(kāi)關(guān)關(guān)閉、防止交叉導(dǎo)通、過(guò)流保護(hù)、溫度監(jiān)控。

產(chǎn)品型號(hào):

■ IM12B10CC1

10A 1200V PG-MDIP-24封裝

■ IM12B15CC1

15A 1200V PG-MDIP-24封裝

■ IM12B20EC1

20A 1200V PG-MDIP-24封裝

產(chǎn)品特點(diǎn)

DCB的完全隔離雙列直插式塑封模塊

1200V TRENCHSTOP IGBT7

堅(jiān)固耐用的1200V SOI柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

集成自舉電源功能

過(guò)流關(guān)機(jī)

所有通道的欠壓鎖定

保護(hù)期間關(guān)斷所有六個(gè)開(kāi)關(guān)

防止交叉導(dǎo)通

VBS=15V時(shí),信號(hào)傳輸允許的負(fù)VS電位最高可達(dá)11V

獨(dú)立的低壓側(cè)發(fā)射器引腳

應(yīng)用價(jià)值

1200V IPM級(jí)封裝尺寸最小,功率密度高,性能卓越

堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)可提供出色的保護(hù)

高效率

高速開(kāi)關(guān),調(diào)制頻率可高達(dá)20kHz

適用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,功耗更低

簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和制造

框圖

7591eaa2-a877-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

應(yīng)用領(lǐng)域

風(fēng)機(jī)

水泵

暖通空調(diào)室外風(fēng)扇

低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    2188

    瀏覽量

    138716
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1267

    文章

    3793

    瀏覽量

    249009
  • IPM
    IPM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    161

    瀏覽量

    38947

原文標(biāo)題:新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM

文章出處:【微信號(hào):駿龍電子,微信公眾號(hào):駿龍電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    森國(guó)科推出全新1200V/25A IGBT

    森國(guó)科推出1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款I(lǐng)GBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng),當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無(wú)閂鎖效應(yīng),短路時(shí)間極短,僅5μs,最大工作
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:16 ?304次閱讀
    森國(guó)科<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b>/25<b class='flag-5'>A</b> IGBT

    三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?664次閱讀
    三菱電機(jī)<b class='flag-5'>1200V</b>級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn),讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:58 ?348次閱讀
    瞻芯電子<b class='flag-5'>推出</b>采用TC3Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET

    新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM

    新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二極管
    的頭像 發(fā)表于 10-09 08:04 ?326次閱讀
    新品 | 采用IGBT7的<b class='flag-5'>CIPOS</b>? <b class='flag-5'>Maxi</b> <b class='flag-5'>10-20A</b> <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IPM</b>

    英飛凌推出低功耗CIPOS Maxi智能功率模塊(IPM)系列

    英飛凌科技股份有限公司近期宣布,其電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案再添新成員——低功耗CIPOS? Maxi智能功率模塊(IPM)系列,該系列作為第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品家族的擴(kuò)展
    的頭像 發(fā)表于 08-14 11:27 ?752次閱讀

    英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊,適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    英飛凌科技推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的低功耗CIPOSMaxi智能功率模塊(IPM)系列,進(jìn)一步擴(kuò)展了其第七代TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1系列
    的頭像 發(fā)表于 08-14 08:14 ?405次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>高性能 <b class='flag-5'>CIPOS</b>? <b class='flag-5'>Maxi</b> 智能功率模塊,適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊,適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    【 2024 年 8 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的低功耗CIPOS? Maxi智能功率模塊 (
    發(fā)表于 08-12 16:35 ?563次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>高性能 <b class='flag-5'>CIPOS</b>? <b class='flag-5'>Maxi</b> 智能功率模塊,適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

    1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)

    量產(chǎn)階段并通過(guò)可靠性測(cè)試。 ? 1200V 藍(lán)寶石基GaN 器件 ? 據(jù)介紹,目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)四種規(guī)格的型號(hào),包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、
    的頭像 發(fā)表于 07-31 01:06 ?3536次閱讀

    Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?940次閱讀

    先導(dǎo)中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

    在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 14:25 ?609次閱讀

    納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

    納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 14:02 ?717次閱讀
    納芯微<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V</b>首款SiC MOSFET NPC060N120<b class='flag-5'>A</b>系列產(chǎn)品

    1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 18:02 ?0次下載

    1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 17:16 ?0次下載

    1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-10 15:23 ?0次下載

    安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊

    智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 11:38 ?819次閱讀