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標簽 > hemt
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GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢,但同時也存在一些缺...
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢,如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時,這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢,因為其無反向恢復...
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG),在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...
用于高分辨率激光雷達的氮化鎵HEMT電路拓撲結(jié)構(gòu)
激光雷達(LiDAR)基于通過將光束照射到物體上并準確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實世界的場景,可以收集三維信息以供計算機系統(tǒng)...
2023-05-06 標簽:拓撲結(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達 791 0
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表,具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示, AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到,由下往上依次為180nm高溫A...
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性
通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn),PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...
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