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BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 419 0
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiá...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 419 0
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是適用于這些應(yīng)用場景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 435 0
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 454 0
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 405 0
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 467 0
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 431 0
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 517 0
GNE1040TB柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊
GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列,該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和...
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準(...
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢,但同...
2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 2935 0
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中,如電源、電機(jī)控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著...
2023-11-09 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 2703 0
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