GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
GAN HEMT的工藝流程
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1. GaN外延層形成 |
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2. N+離子注入 |
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3. Isolate離子注入 |
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4. AlGaN Recess or 選擇刻蝕 為了形成Gate的Recess構(gòu)造，需要非常淺的加工。極低速率、選擇加工、無(wú)損傷非常重要。 |
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5. SiN Gate 絕緣膜形成 |
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6. SiN Gate 絕緣膜加工 要求低損傷刻蝕。 |
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7. Gate電極形成&Lift off Gate電極的形成使用蒸鍍的 Lift off工藝。 |
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8. S/D電極形成＆加工 Ti/Al以濺射成膜、通過(guò)刻蝕加工 形成電極。 |
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9. 支持基板貼合&研磨 |
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10. 背面Via刻蝕 為了連接電極，需要對(duì)背面的 Si/SiC進(jìn)行Via加工。 |
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11. 種子金屬層成膜 在電鍍之前，通過(guò)濺射形成種子層。 |
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12. 電鍍 |
審核編輯：湯梓紅
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原文標(biāo)題：GaN HEMT工藝全流程
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